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1、精选优质文档-倾情为你奉上 光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术课程基于网络考核方案一、考核改革的目的1通过本课程考核的改革，深入探索现代远程开放教育、成人学习课程考核的基本模式； 2通过本课程考核的改革，探索光伏检测与分析替代教材硅材料检测技术课程的形成性考核和终结性考试的目标、形式、题型、题量、难易程度等；3通过本课程考核的改革，进一步强化教学过程的落实，指导学生在学习过程中理解把握课程的内容，引导学生实现各个学习环节，达到学习目标；4探索远程成人考核的信度、效度，保证学习质量。二、考核对象本课程适合工学科动力能源类光伏发电技术及应用专业（专科）使用。三、考核目标通过考核既要检测学生对光伏
2、（硅）材料检测技术基本理论知识的掌握程度，又要检测学生对专业理论知识的运用程度，重点考核学生的专业实践能力。四、考核方式本课程考核由网上形成性考核和网络终结性考试相结合形式。形成性考核占总成绩的50%，由4次作业构成，登陆形成性考核系统进行，随平时学习过程中完成；终结性考试占总成绩的50%，登陆终考考试系统进行，在学期末进行，具体时间及安排见国家开放大学统一考试安排。课程考核成绩满分100分。形成性考核成绩和终结性考试成绩均达到60分以上（双及格），方可获得本课程合格证。（一）形成性考核通过形成性考核一方面可以加强对地方电大教师教学过程的引导、指导和管理，优质的完成教学任务，实现教学目标；另一
3、方面可以加强对学生平时自主学习过程的指导和监督，重在对学生自主学习过程进行的指导和检测，引导学生按照教学要求和学习计划完成学习任务，达到掌握知识、提高能力的目标，提高学生的综合素质。第一部分 形考说明设计4次测验题，占课程综合成绩的50。形式：4次测试题，题型有单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题。注：每次形考任务按百分制进行成绩评定。操作：所有形成性考核试题均由国家开放大学统一编制。第二部分 形考内容序号章节内容形式发布时间最迟提交 时间权重1第一章第二章硅单晶常规电学参数的物理测试化学腐蚀法检测晶体缺陷单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题第3周第4周302第三章第四章半导体晶体定向红外
4、吸收法测定硅单晶中的氧和碳的含量、多晶硅中基硼、基磷含量的检验单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题第6周第7周303第五章第六章纯水的检测高纯分析方法单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题第9周第10周204第六章第七章高纯分析方法其他物理检测仪器简介单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题第12周第13周20第一次考核目的与要求 学习完第一章、第二章之后完成本测试（100分）。题型：单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。样题：1单项选择题（每小题2分）（ ）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。A 冷热探笔法 B三探针法 C单探针点接触整流法 D冷探笔法答案：A2多项选择题(每小题3
5、分)国内外导电类型测量的具体方法主要有（ ）。A冷热探笔法 B三探针法 C单探针点接触整流法 D冷探笔法答案：ABCD3判断题（每小题2分）位错是半导体中最主要的缺陷，它属于线缺陷。答案：4配伍题（每小题3分）将下列缺陷一一对应。（1）空位 A.点缺陷（2）位错 B.线缺陷（3）层错 C.面缺陷答案：（1）-A、（2）-B、（3）-C目的：考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。要求：1认真研读教材第一、二章内容，理清各知
6、识点之间的联系和主要脉络。2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。解题思路：1冷热探笔法测试硅单晶导电类型以及测试原理和操作步骤；四探针法测试硅单晶电阻率的原理及操作步骤；2硅单晶导电类型、多数载流子、少数载流子、非平衡少数载流子寿命等参数的概念；3硅单晶电化学腐蚀机理及常用腐蚀剂；硅单晶中缺陷的腐蚀；测试方法及步骤；4影响硅单晶电化学腐蚀速度的各种因素。第二次考核目的与要求 学习完教材第三章、第四章以后完成本测试（100分）。 题型：单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。目的：考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学
7、习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。要求：1认真研读教材第三、四章内容，理清各知识点之间的联系和主要脉络。2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。解题思路：1硅单晶晶体取向的表示方法；光图定向法的原理及操作；2影响光图定向法及X光定向法的各种因素；X光的性质与产生；3红外吸收法测定硅单晶中氧碳含量的原理及操作步骤；多晶硅中基硼、基磷含量的检测原理、步骤及计算；4红外吸收法测定硅单晶中氧、碳含量的测准因素。 第三次考核目的与要求 学习完教材第五章、第六章以后完成本测验（100分）。题型：单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题
8、。目的：考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。要求：1认真研读教材第五章、第六章的内容，理清各知识点之间的联系和主要脉络。2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题解题思路：1离子交换法制高纯水的全部工艺操作及步骤；高纯水的测试；2离子交换法制备高纯水的原理；3三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定；三氯氢硅中硼的分析； 4露点法测定气体中的水分。第四次考核目的与要求 学习完教材第六篇、第七章内容后完成本测试（100分）。题型
9、：单项选择题、多项选择题，判断题，配伍题。目的：考查学生对基本理论和基本概念的掌握程度，并检测学生运用基本理论和基本概论分析相关专业问题的能力。帮助学生找出学习的薄弱环节，明确努力的方向，帮助教师了解学生的学习效果，根据学生的需求不断调整教学策略，提高教学效果。要求：1认真研读教材第六章、第七章内容。2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题。解题思路：1三氯氢硅中痕量杂质的化学光谱测定；三氯氢硅中硼的分析； 2三氯氢硅中磷的气相色谱测定；气相色谱法测定干法氢的组分；3露点法测定气体中的水分；氯化氢中水分的测定；4X射线形貌技术；质谱分析；中子活化分析；电子显微镜。（二）终结性考试主要目的：主
10、要考核学生对光伏（硅）材料检测技术的基本理论、基本知识、基本概念、基本技能的理解与把握。第一部分 考核说明比重：占课程综合成绩的50%，按百分制计算。题型：单项选择题、多项选择题，配伍题、简答题。操作：采用网络终考考试系统考试，国家开放大学统一编制试题，地方广播电视大学组织考试。时间：60分钟第二部分 考核内容一、单项选择题（在各题的备选答案中，只有1项是正确的，请将正确答案的序号，填写在题中的括号内。每小题2分，共20分）1（ ）是目前国内最常用的判断半导体导电类型的方法。A冷热探笔法 B三探针法 C单探针点接触整流法 D冷探笔法答案：A二、多项选择题（本题共30分，每小题3分，多选、少选、
11、错选均不得分）1. 国内外半导体硅单晶导电类型的测量具体方法有（ ）。A）冷热探笔法 B）三探针法 C）单探针点接触整流法 D）冷探笔法2. 构成电化学腐蚀需要具备的条件主要有（ ）。A）被腐蚀的半导体各个部分或区域之间存在电位差B）具有不同电极电位的半导体各部分要互相接触C）半导体电极电位的不同部分处于互相连通的电解质溶液中D）电解质腐蚀液可以是各种酸性或碱性的答案：1.ABCD 2.ABCD三、配伍题（本题共20分，每小题2分）1.将下列电阻率测量方法与电阻率值一一对应。（1）冷热探笔法 A.10-4104cm（2）整流法 B.11000cm（3）两探针法 C.1000cm以下答案：（1）-C、（2）-B、（3）-A四、简答题（简要回答下列各题，每小题10分，共30分）1用冷热探笔法测量P型半导体时，为什么冷端带正电，热端带负电？答：对于P型半导体，空穴扩散流的方向是从热端到冷端，电场的方向是从冷端指向热端，冷端带正电，热端带负电。五、考试手段形成性考核运用“形成性考核测评系统”。终结性考试运用网络终考考试系统进行。考试方式：开卷。考试时间：60分钟及格条件：双及格六、考试日期另行通知。 专心-专注-专业
