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1、泓域咨询/赤峰碳化硅项目招商引资方案赤峰碳化硅项目招商引资方案xxx（集团）有限公司目录第一章 项目概述11一、 项目名称及投资人11二、 编制原则11三、 编制依据12四、 编制范围及内容13五、 项目建设背景13六、 结论分析14主要经济指标一览表16第二章 项目建设背景、必要性18一、 SiC材料：产业链核心环节，国内外厂商积极布局18二、 乘碳中和之东风，2025年市场规模有望较2020年翻5倍18三、 工控：SiC模块有望在轨交、智能电网、风电等领域实现全方位渗透19四、 推动产业集中发展20第三章 公司基本情况22一、 公司基本信息22二、 公司简介22三、 公司竞争优势23四、
2、公司主要财务数据24公司合并资产负债表主要数据24公司合并利润表主要数据25五、 核心人员介绍25六、 经营宗旨27七、 公司发展规划27第四章 行业发展分析33一、 射频：5G推动GaN-on-SiC需求提升33二、 SiC器件与传统产品价差持续收窄，具备经济效益指日可待33三、 衬底：碳化硅产业链最关键环节，技术壁垒较高35第五章 建设规模与产品方案38一、 建设规模及主要建设内容38二、 产品规划方案及生产纲领38产品规划方案一览表38第六章 项目选址41一、 项目选址原则41二、 建设区基本情况41三、 大力完善园区功能44四、 激发人才创新活力44五、 项目选址综合评价45第七章 建
3、筑工程技术方案46一、 项目工程设计总体要求46二、 建设方案46三、 建筑工程建设指标47建筑工程投资一览表47第八章 法人治理49一、 股东权利及义务49二、 董事56三、 高级管理人员61四、 监事64第九章 发展规划分析67一、 公司发展规划67二、 保障措施71第十章 运营管理74一、 公司经营宗旨74二、 公司的目标、主要职责74三、 各部门职责及权限75四、 财务会计制度78第十一章 环境保护方案84一、 编制依据84二、 环境影响合理性分析85三、 建设期大气环境影响分析87四、 建设期水环境影响分析88五、 建设期固体废弃物环境影响分析88六、 建设期声环境影响分析89七、
4、环境管理分析89八、 结论及建议92第十二章 工艺技术及设备选型94一、 企业技术研发分析94二、 项目技术工艺分析96三、 质量管理97四、 设备选型方案98主要设备购置一览表99第十三章 人力资源分析101一、 人力资源配置101劳动定员一览表101二、 员工技能培训101第十四章 投资估算及资金筹措104一、 投资估算的依据和说明104二、 建设投资估算105建设投资估算表107三、 建设期利息107建设期利息估算表107四、 流动资金109流动资金估算表109五、 总投资110总投资及构成一览表110六、 资金筹措与投资计划111项目投资计划与资金筹措一览表112第十五章 项目经济效益
5、分析113一、 基本假设及基础参数选取113二、 经济评价财务测算113营业收入、税金及附加和增值税估算表113综合总成本费用估算表115利润及利润分配表117三、 项目盈利能力分析117项目投资现金流量表119四、 财务生存能力分析120五、 偿债能力分析121借款还本付息计划表122六、 经济评价结论122第十六章 招标及投资方案124一、 项目招标依据124二、 项目招标范围124三、 招标要求125四、 招标组织方式127五、 招标信息发布127第十七章 项目总结分析129第十八章 补充表格131营业收入、税金及附加和增值税估算表131综合总成本费用估算表131固定资产折旧费估算表13
6、2无形资产和其他资产摊销估算表133利润及利润分配表134项目投资现金流量表135借款还本付息计划表136建设投资估算表137建设投资估算表137建设期利息估算表138固定资产投资估算表139流动资金估算表140总投资及构成一览表141项目投资计划与资金筹措一览表142报告说明碳化硅衬底应用逐步成熟，主要分为导电型碳化硅衬底和半绝缘型碳化硅衬底。据工信部发布重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版），碳化硅衬底可分为两类，一类是具有高电阻率（电阻率105cm）的半绝缘型碳化硅衬底，经GaN外延生长可制成射频器件。半绝缘型碳化硅衬底的制备过程追求“绝对纯净”，去除晶体中的各种杂质对实现碳化
7、硅晶体本征高电阻率十分重要。另一类为低电阻率（电阻率1530mcm）的导电型碳化硅衬底，经SiC外延生长可进一步制成SiC二极管、SiCMOSFET等功率器件。导电型碳化硅衬底以良好导电性为追求目标，在PVT法下，相较半绝缘型衬底其生产难度更低，但在生产过程中，电阻率易发生分布不均情况，仍需更好扩径及掺杂控制技术。国产碳化硅衬底质量在部分参数上比肩国际龙头，但在单晶性能一致性、成品率、成本等方面仍存在不小差距。评估碳化硅衬底产品质量的核心参数主要有直径、微管密度、多型面积、电阻率范围、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、表面粗糙度等。通过比较国产碳化硅企业与海外龙头企业的产品技术参数，可以发现在产品直
8、径、总厚度变化、电阻率、表面粗糙度等多项指标上国产4英寸和6英寸碳化硅衬底与海外厂商产品基本相同。制备器件中微管的存在可能导致器件过高的漏电流甚至器件击穿，各厂商都在致力于未来降低微管密度，部分龙头碳化硅企业如II-VI可将4-6寸产品的微管密度稳定控制在0.1cm-2以下，国内厂商的产品微管密度基本在0.5-5cm-2，存在差距。同时，国内公司在单晶性能一致性、成品率、成本等单晶质量指标方面仍存在较大差距。未来随着大尺寸产品的研发生产和中小尺寸碳化硅生产技艺的不断成熟，预计国产碳化硅产品种类不断丰富，产品质量将比肩国际龙头企业。国内外厂商大规模扩产，但国内有效产能不足致中短期仍将维持供不应求
9、目前全球碳化硅材料行业处于加速扩产、跑马圈地的阶段，海内外厂商均加速扩产，但应避免重复建设的问题，造成产能无序扩张。本土企业持续加大衬底投入迈进扩产步伐，投资金额超240亿元、规划年产能超420万片。中国企业呈现小而散的局面，综合Yole等第三方机构数据，2020年国内碳化硅衬底龙头厂商山东天岳和天科合达在全球市场份额合计约为8%。但受电动车、光伏等下游应用驱动，我国本土企业也开始紧追国际厂商步伐，积极投资扩产以实现衬底供应国产化。根据统计，截至21年底国内厂商对衬底环节的投资超过240亿元，规划产能超过420万片/年（等效6寸），对比CASA的数据，2020年底国内衬底产能仅为25.8万片/
10、年（等效6寸）。国内目前仅山东天岳、天科合达、三安光电、世纪金光、同光晶体、中电科材料、中科钢研等具备量产能力，且以4寸衬底为主。虽然国内企业大幅扩产，但受衬底良率及质量等因素影响，实际产能或严重不足。根据谨慎财务估算，项目总投资22138.87万元，其中：建设投资17688.95万元，占项目总投资的79.90%；建设期利息449.71万元，占项目总投资的2.03%；流动资金4000.21万元，占项目总投资的18.07%。项目正常运营每年营业收入37200.00万元，综合总成本费用30718.19万元，净利润4733.95万元，财务内部收益率14.66%，财务净现值-260.01万元，全部投资
11、回收期6.73年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产线设备技术先进，即提高了产品质量，又增加了产品附加值，具有良好的社会效益和经济效益。本项目生产所需原料立足于本地资源优势，主要原材料从本地市场采购，保证了项目实施后的正常生产经营。综上所述，项目的实施将对实现节能降耗、环境保护具有重要意义，本期项目的建设，是十分必要和可行的。本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目概述一、 项目名称及投资人（一）项目名称赤峰碳化硅项目（二）项目投资人xxx（集团）有限公司（三
12、）建设地点本期项目选址位于xxx（以选址意见书为准）。二、 编制原则本项目从节约资源、保护环境的角度出发，遵循创新、先进、可靠、实用、效益的指导方针。保证本项目技术先进、质量优良、保证进度、节省投资、提高效益，充分利用成熟、先进经验，实现降低成本、提高经济效益的目标。1、力求全面、客观地反映实际情况，采用先进适用的技术，以经济效益为中心，节约资源，提高资源利用率，做好节能减排，在采用先进适用技术的同时，做好投资费用的控制。2、根据市场和所在地区的实际情况，合理制定产品方案及工艺路线，设计上充分体现设备的技术先进，操作安全稳妥，投资经济适度的原则。3、认真贯彻国家产业政策和企业节能设计规范，努力
13、做到合理利用能源和节约能源。采用先进工艺和高效设备，加强计量管理，提高装置自动化控制水平。4、根据拟建区域的地理位置、地形、地势、气象、交通运输等条件及安全，保护环境、节约用地原则进行布置；同时遵循国家安全、消防等有关规范。5、在环境保护、安全生产及消防等方面，本着“三同时”原则，设计上充分考虑装置在上述各方面投资，使得环境保护、安全生产及消防贯穿工程的全过程。做到以新代劳，统一治理，安全生产，文明管理。三、 编制依据1、中国制造2025；2、“十三五”国家战略性新兴产业发展规划；3、工业绿色发展规划(2016-2020年)；4、促进中小企业发展规划（20162020年）；5、中华人民共和国国
14、民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要；6、关于实现产业经济高质量发展的相关政策；7、项目建设单位提供的相关技术参数；8、相关产业调研、市场分析等公开信息。四、 编制范围及内容1、项目提出的背景及建设必要性；2、市场需求预测；3、建设规模及产品方案；4、建设地点与建设条性；5、工程技术方案；6、公用工程及辅助设施方案；7、环境保护、安全防护及节能；8、企业组织机构及劳动定员；9、建设实施与工程进度安排；10、投资估算及资金筹措；11、经济评价。五、 项目建设背景SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1）碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。2）碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度，使得SiCMOSFET泄漏电流较硅基IGBT大幅减少，降低导电损耗。同时，SiCMOSFET属于单极器件，不存在拖尾电流，且较高的载流子迁移率减少了开关时间，开关损耗因此得以降低。根据Rohm的研究，相同规格的碳化硅MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大减低73%。3）涵盖MOSFET自身特点，较IGBT具备高频优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。六、 结论分析（一）项目选址本
