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1、三极管基础知识及测量方式三极管基础知识及测量方式一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的CB结势垒电场的作用下到达集 电区，形成集电极电流IC。在共发射极晶体管电路中,发射结 在基极电路中正向偏置,其电压降很小。绝大部分的集电极和发 射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很 小，所以基极电流约为IB二5V/50 k Q =。如果晶体管的共发射极电流放大系数P = IC /IB =100,集电极电流 IC= p*IB=10mA。在 500Q:的集电极负载电阻上
2、有电压降VRC=10mA*500Q=5V,而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V ,如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib ,在集电极电路中将出现个相应的交变电流ic,有c/ib=p,实现了双极晶 体管的电流放大作用。三極管金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时，p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗 尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时， 电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间 形成导电沟道。当VDS / 0时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。
3、使半导体表面达到强反型时 所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGSVT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相 同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压VGS 对源漏电流 IDS 的控制。二、晶体管的命名方式晶体管：最经常使用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG （旧）或（T） 表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国 产管用xxx表示，其中每一名都有特定含义：如3 A X31,第一名3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP 型锗材料；B代表NP
4、N型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。 第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高 频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各 类指标略有不同。注意,二极管同三极管第二位意义大体相同,而第三位那么含 义不同。关于二极管来讲，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整 流管。上面举的例子，具体来讲确实是PNP型锗材料低频小功率管。关于入口 的三极管来讲,就各有不同,要在实际利用进程中注意积存资料。经常使用的入口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列 中,第三位含义同国产管的第三位大体相同。三、经常使用中小
5、功率三极管参数表型号材料与极性Pcm(W)Icm(mA)BVcbo(V)ft(MHz)3DG6CSI-NPN20451003DG7CSI-NPN100601003DG12CSI-NPN300403003DG111SI-NPN100201003DG112SI-NPN100601003DG130CSI-NPN300601503DG201CSI-NPN2545150C9011SI-NPN3050150C9012SI-PNP-500-40C9013SI-NPN50040C9014SI-NPN10050150C9015SI-PNP-100-50100C9016SI-NPN2530620C9018SI-N
6、PN50301.1GC8050SI-NPN11.5A40190C8580SI-PNP1-1.5A-402002N5551SI-NPN6001802N5401SI-PNP-6001601002N4124SI-NPN20030300四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型选用欧姆档的R* 100 （或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另 一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤， 又测得一组电阻值，这样测 3 次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组 值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重 复上述做法，若测得两个
7、阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是 NPN 型的。2）判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时B大（表针摆动幅度大），反接时B 就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对 NPN 型管，发射极接 黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能 接触，假设指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，那么说明假设是正确 的，从而确信集电极和发射极。（2）电流放大系数B的估算选用欧姆档的R* 100 （或R* 1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表 笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把 手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动
8、越大，B值越高。晶体三极管的结构和类型 晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极 管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分， 中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而 发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区”发射”的是空穴，其移动方向与电流方向一 致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区”发射”的是自由电子，其移动方向与电流方 向相反，故发射
9、极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的 导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，底视图位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小 功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排 列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的 特性及相应的技术参数和资料。
10、晶体三极管的电流放大作用 晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电 流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将AIc/AIb的比值称为晶体三 极管的电流放大倍数，用符号“卩”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值， 但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流 和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的 断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的
11、导通电压，并处于某一恰当的值时，三 极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三 极管具有电流放大作用，其电流放大倍数P=AIc/AIb，这时三极管处放大状态。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一 定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化， 这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当 于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员 在维修过程中，经
12、常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工 作状态。使用多用电表检测三极管三极管基极的判别：根据三极管的结构示意图，我们知道三极管的基极是三极管中两个PN 结的公共极，因此，在判别三极管的基极时，只要找出两个PN结的公共极，即为三极管的 基极。具体方法是将多用电表调至电阻挡的Rxlk挡，先用红表笔放在三极管的一只脚上， 用黑表笔去碰三极管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三极管的基极。如 果一次没找到，则红表笔换到三极管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一 下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三极管的一个脚上，用红表笔去测两次看 是否全通，
13、若一次没成功再换。这样最多没量12次，总可以找到基极。三极管类型的判别：三极管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基极是 P型材料还N型材料即可。当用多用电表Rxlk挡时，黑表笔代表电源正极，如果黑表笔接 基极时导通，则说明三极管的基极为P型材料，三极管即为NPN型。如果红表笔接基极导 通，则说明三极管基极为N型材料，三极管即为PNP型。3兔裁孚电路中三程窮的使用方法- nrMrwr实用电路电了钱术-WictOKoft Tntrrnet Fsplorec画网|文件归刪叨直者卩唏工貝豬的竣oo圍圃血pe|a-J A 丄ktp:/rr. tvccw.时三孤跖刃匕 当忘创佰马比vrat
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