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19）中华人民共和国国家知识产权局汐（12 ）发明专利申请（10）申请公布号CN111446175A（43）申请公布日2020.07.24（21）申请号 CN202010264996.2（22）申请日 2020.04.07（71）申请人 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司地址214028江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋（72）发明人 王全龙;曹立强;陈峰;孙绪燕（74）专利代理机构 上海智晟知识产权代理事务所（特殊普通合伙）代理人 张东梅（51）Int.CI权利要求说明书 说明书 幅图射频芯片集成封装结构及其制备方法（57）摘要本发明提供了一种射频芯片集成封装结构 及其制备方法，所述射频芯片集成封装结构的制 备方法包括：在临时键合载板的第一表面形成第 一导电层，在所述第一导电层上形成一个或多个 导电柱；将芯片附连至所述第一导电层上；形成 绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一导电层、所述 芯片、所述一个或多个导电柱；去除部分绝缘 膜，暴露出第一导电层的部分导电线路，形成屏 蔽层接地处；形成屏蔽层，所述屏蔽层覆盖所述
