《光电技术自测题.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《光电技术自测题.doc（4页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、光电技术期中测验题一 填空1在光辐射能的测量中，建立了两套参量和单位。一套参量是（ ），适用于整个电磁波谱；另一套参量是（ ），适用于可见光波段。2发光强度的单位是（ ），光通量的单位是（ ），光照度的单位是（ ）。3本征吸收的长波限表达式为（ ）。非本征吸收有（ ）、（ ）、（ ）、（ ）、 （ ）等。半导体对光的吸收主要是（ ）。4半导体的光电效应主要有（ ）、（ ）、（ ）。5 PN结外加正偏电压时，耗尽区变（ 窄 ），结电容变（ 大 ）；PN结外加反偏电压时，耗尽区变（大 ） ，结电容变 （ 窄 ）。6光子探测器输出光电流为，其中M指（ 光电增益 ），指（ 量子效率 ）。7光电探测器噪
2、声主要有（ 热噪声 ）、（ 1/f噪声 ）、（ 产生复合噪声 ）、（ 温度噪声 ） 、（ 散粒噪声 ）。8光电探测器的积分灵敏度与采用的光源有关。通常测试光子探测器的积分灵敏度，辐射源采用（2856K的白炽钨丝灯 ）；测试热探测器的积分灵敏度，辐射源采用（ 500K黑体 ）。9激光器的基本组成包括三部分，分别为（ 工作物质 ）、（ 谐振腔 ）、（ 泵浦源 ）。10可见光波长范围（ 0.38-0,。78 ）。紫外光波长范围（ ）。红外光波长范围 （ ）。二 单项选择1 海水可以视为灰体，300K的海水与同温度的黑体比较 （ ）A 峰值辐射波长相同 B 发射率相同C 发射率随波长变化 D 都不能确
3、定2 下列探测器最适合于作为光度量测量的探测器 （ ）A 热电偶 B 红外光电二极管C 2CR113蓝硅光电池 D 杂质光电导探测器3 硅光二极管在适当偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。适当偏置是 （ ）A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置4 为了描述显示器的每个局部面元在各个方向的辐射能力，最适合的辐射度量是（ ）A 辐射照度 B 辐射亮度C 辐射出度 D 辐射强度5. 为了提高测辐射热计的电压响应率，下列方法中不正确的是 （ ）A 将辐射热计制冷 B 使灵敏面表面黑化C 将辐射热计封装在一个真空的外壳里 D 采用较粗的信号导线6. 光谱光视效率V(
4、505nm)=0.40730，波长为505nm、1mW的辐射光，其光通量为（ ）A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm 7. 下列探测器的光电响应时间，由少数载流子的寿命决定： （ ）A 线性光电导探测器 B 光电二极管C 光电倍增管 D 热电偶和热电堆8. 下列光电器件, 哪种器件正常工作时需加100-200V的高反压 （ ）A Si光电二极管 B PIN光电二极管 C 雪崩光电二极管 D 光电三极管9.有关半导体对光的吸收,下列说法正确的是 （ ）A 半导体对光的吸收主要是非本征吸收B 本征半导体和杂质半导体内部都可能发生本征吸收C 产生本征吸收的
5、条件是入射光子的波长要大于波长阈值D 产生本征吸收的条件是入射光子的频率要小于频率阈值10. 在常温下，热探测器的 D*108-109cmHz1/2/W ，而 D* 的极限值可达到1.81010cmHz1/2/W。实际热探测器的D*低于极限值的主要原因是下列因素难以忽略( )A热辐射 B 热传导和热对流 C 热传导和热辐射 D 以上都不是11 表中列出了几种国外硅APD的特性参数。根据表中数据，要探测830nm的弱光信号，最为合适的器件是 （ ）A C30817E B C30916EC C30902E D C30902S12.给光电探测器加合适的偏置电路，下列说法不正确的是 ( )A 可以扩大
6、探测器光谱响应范围 B 可以提高探测器灵敏度C 可以降低探测器噪声 D 可以提高探测器响应速度13.下列光源中哪一种光源，可作为光电探测器在可见光区的积分灵敏度测量标准光源： （ ）A 氘灯 B 低压汞灯 C 色温2856K的白炽灯 D 色温500K的黑体辐射器14.对于P型半导体来说，以下说法正确的是（ ）A 电子是多子 B 空穴是少子C能带图中施主能级靠近导带底 D能带图中受主能级位于价带顶15.若要检测10-7s的光信号，最合适的光电探测器是（ ）A PIN型光电二极管 B 3DU型光电三极管C PN结型光电二极管 D 2CR11型光电池16.对于光敏电阻，下列说法不正确的是（ ）A弱光
7、照下，光电流与光照度有良好的线性关系B光敏面做成蛇形，有利于提高灵敏度C光敏电阻具有前历效应D光敏电阻光谱特性的峰值波长，低温时向短波方向移动17负电子亲和势阴极和正电子亲和势阴极相比有重要差别，其参与发射的电子是（ ）A 不是冷电子而是热电子 B不是热电子而是冷电子C 既是冷电子又是热电子 D 既不是冷电子也不是热电子18.光电跟踪制导系统中为了实现对飞行目标的红外（中红外）和紫外探测辐射进行探测，最为合适的探测器是（ ）A PMT和PC B PC和PMT C 热探测器和Si-PD D Si-PD和热探测器19对于激光二极管和发光二极管来说，下列说法正确的是（ ）A 激光二极管只能连续发光
8、B 发光二极管的单色性比激光二极管的单色性要好C激光二极管内部没有谐振腔D发光二极管辐射光的波长决定于材料的禁带宽度20对于N型半导体来说，下列说法正确的是（ ）A费米能级靠近导带底B空穴为多子C电子为少子 D费米能级靠近于价带顶21根据光电器件伏安特性，下列哪些器件不能视为恒流源（ ）A光电二极管 B光电三极管 C光电倍增管 D光电池22光敏电阻的暗电导为2S（西门子），在200Lx的光照下亮暗电导之比为100：1，则光电导为（ ）A 198S B 202S C 200S D 2S23有关热探测器，下列说法不正确的是（ ）A光谱响应范围从红外到紫外有着相同的响应B响应时间为mS量级C器件吸收
9、光子能量，使其中的非传导电子变为传导电子D各种不同波长的辐射对于器件的响应都有贡献24 CCD 摄像器件的信息是靠（ ）存储。A 载流子 B 电荷 C 电子 D 光子25利用光热效应制作的器件有（ ）A 光电导探测器 B 光伏探测器 C 光磁电探测器 D 热电探测元件三 简答题1 解释名词：载流子、本征激发2为什么光电二极管加正向电压时表现不出明显的光电效应？3说明叫做 NEA？为什么 NEA 材料制成的光电阴极灵敏度极高？4分别指明可见光谱区和中红外光谱区的范围。5分别画出本征半导体和 N 型半导体的能带图。6用光敏电阻测量时，不宜用强光照射，为什么？7同温度的黑体和灰体，它们的光谱辐射特性
10、有何相同和相异？8解释杂质光电导探测器：a 常用于中远红外探测；b 通常必须在低温条件下工作？9在 PMT 的高压供电电路中，第一个倍增极和阳极的电压要比中间几极的电压高，为什么？10热探测器与光子探测器的工作原理、光谱响应分别有什么不同？11探测器的比探测率和哪些因素有关？一个探测器的灵敏度很高，是不是它的比探测率就一定很高？12为什么光电探测器使用时要加偏置电路？画图说明光伏探测器的反向偏置电路。13用金属材料和半导体材料做成的测辐射热计的电阻-温度系数有什么区别？举例说明它们的应用场合。14什么是光电探测器的灵敏度？为什么测量光谱灵敏度的系统一般需要单色仪？15试叙述半导体发光二极管和半导体激光器在结构上的差异，以及各自特性上的差异。四 分析计算题1下表中列出了几种国外硅APD的特性参数。根据表中参数：（1）计算C30916E的D*值；（2）说明工作电压为什么要达到几百伏？如果低于或者超过工作电压，将会出现什么情况？2设某目标可视为灰体，平均发射率为0.85，温度为320K，其直径近似为5 m，计算目标的辐射出射度。
