一半径为R的带有一缺囗的细圆环.doc

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1、班级_学号_姓名_第7-1 静电一. 填空题 1. 电量Q相同的四个点电荷置于正方形的四个顶点上,O点为正方形中心,欲使每个顶点的电荷所受电场力为零,则应在O点放置一个电量q=_的点电荷. 2. 在点电荷系的电场中,任一点的电场强度等于_,这称为场强叠加原理 . 3. 一半径为R的带有一缺囗的细圆环,缺囗长度为d(dd2 ),均匀带等量异号电荷+q和-q,忽略边缘效应,则两板间相互作用力的大小是:( ) (A) (B) (C) (D)三. 计算题 8. 如图所示,一均匀带电细棒弯成半径为R的半圆,已知棒上的总电量为q,求半圆圆心O点处的电场强度. 9. 试证明均匀带电圆环轴线上任一给定点P处的

2、场强公式为: 式中q为圆环所带电量,R为圆环半径,x为P点到环心的距离. 10. 设有一均匀带电薄圆盘,半径为R,电荷面密度为s,求圆盘轴线上的场强分布函数. 班级_学号_姓名_第 7-2 一. 填空题 1. 均匀电场的电场强度E与半径为R的半球面的轴线平行,则通过半球面的电场强度通量F_,若在半球面的球心处再放置点电荷q,q不改变E分布,则通过半球面的电场强度通量F=_ 2. 真空中的高斯定理的数学表达式为_,其物理意义是_ _. 3. 一点电荷q位于一立方体中心,立方体边长为a,则通过立方体每个表面的E通量是_;若把这电荷移到立方体的一个角顶上,这时通过电荷所在顶角的三个面的E通量是_,通

3、过立方体另三个面的E通量是_. 二. 选择题 4. 根据高斯定理=,可以证明下述结论正确的是:( ) (1)通过闭合曲面的总通量仅由面内的电荷决定; (2)通过闭合曲面的总通量为正时,面内一定没有负电荷; (3)闭合曲面上各点的场强为零,面内一定没有电荷; (4)闭合曲面上各点的场强仅由面内电荷决定. 5. 应用高斯定理求场强E时,要求E的分布具有对称性,对于没有对称性的电场分布,例如电偶极子产生的电场,高斯定理就不再成立,你认为这种说法:( ). (1)正确 (2)错误 (3)无法判断 6. 下述带电体系的场强分布可以用高斯定理来计算的是:( ) (1)均匀带电圆板 (2)有限长均匀带电棒

4、(3)电偶极子 (4)带电介质球(电荷体密度是离球心距离r的函数) 7. 两个无限大均匀带正电的平行平面,电荷面密度分别为s1和s2,且s1s2,则两平面间电场强度的大小是:( ) (1)(s1+s2)/2e0 (2)(s1+s2)/e0 (3)(s1-s2)/2e0 (4)(s1-s2)/e0三计算题 8. 真空中厚度为d的无限大均匀带电平板,电荷体密度为r,求板外一点电场强度的大小和板内与板的一个表面相距d/4处的场强大小. 9. 无限长均匀带电圆柱体,电荷体密度为r,半径为R,求柱体内外的场强分布. 四. 证明题. 10. 一带电球体,电荷体密度与球半径成反比,即r=K/r. K为比例常

5、数,试证明球面上和球体内任一点的场强值相等. 班级_学号_姓名_第7-3一. 填空题 1. 在电力线分布如图所示的电场中,把一个负点电荷从A点移到B点,电势能将_ (填增加,减少或不变);、两点_ 点电势较高. 2. 三个相同的点电荷q,分别放在边长为L的等边三角形的三个顶点处,则三角形中心的电势U_,电场强度大小E_,将单位正电荷从中心处移到无限远时,电场力作功A_. 3. 半径为R的均匀带电细圆环,电荷线密度为l,则环心处的电势U_场强大小_. 4. 静电场中某点的电势,其数值等于_,或_. 5. 已知均匀带正电圆盘的静电场的电力线分布如图所示,由这电力线分布图可断定圆盘的边缘处一点P的电

6、势UP与中心O处的电势U0的大小关系是UP_U0 (填 、或R2 ,r2R1 ,球面带电为-Q,求两球面间的电势差;若有一试验电荷q0从外球面处移到无限远处,电场力作功多少? 12. 一半径为R的“无限长”圆柱形带电体,其电荷体密度为r=Ar( rR ),式中A为常数,试求:(1)圆柱体内,外各点场强大小分布;(2)选距离轴线的距离为l(lR)处为电势零点,计算圆柱体内、外各点的电势分布. 班级_学号_姓名_第7-5 静电 (习题课后作业) 一、填空题 1. 真空中半径为R的球体均匀带电,总电量为q,则球面上一点的电势U=_;球心处的电势U=_. 2. 无限大的均匀带电平面,电荷面密度为s,P点与平面的垂直距为d,若取平面 的电势为零,则P点的电势UP=_,若在P点由静止释放一个电子(其质量为m,电量绝对值为e),则电子到达平面的速率v=_

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