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1、教学环节教学内容及步骤（包括教学方法学生活动10.3.1反相器10.3晶体管（图 10.3.1）基极电源1.电路VGB （可省）;V开关三极管；基极偏置电Rk，Rb阻；Rc阻；+vg集电极电源 G2.工作原理动画 晶体管反相器3功能集电极负载电反相器+民(+12)0=4(J尽0V图10.3.1晶体管反相器vIvO低电平咼电平高电平低电平反相器教学环节教学内容及步骤（包括教学方法与教学手段）学生活动10.3.2 MOS反相器、简单的MOS反相器1. 电路如图10.3.2所示。V为N沟道增强型场效应管，VT = 4 Vo2. 工作原理图10.3.2 MOS反相器v = 0 时，v v，V 导通,I
2、GS T低电平。3功能:反相器图10.3.3用场效应管作负载的反相器vvO-低咼咼低4. 缺点为满足vo为低电平，当VDD、ID一定时，由VO= VD，IDRD, RD大些好；但当Vo恢复为高电平时，由于寄生电容Cl的存在, 充电时间常数t = RDCl就很大，波形失真且影响工作速度。解决办法采用MOS管作负载。二、用MOS管作 负载的MOS反相器1. 电路V1驱动管，作开关用，跨导较大; V2负载管，作负载用，始终工作在饱 和区，跨导较小。教学环节教学内容及步骤(包括教学方法与教学手段)学生活动2. 工作原理VI = VGSVT1时，V导通，VO为低电平；I GS T11OV产VGS V 1+ VDD 1 TP TN3. 工作原理(1) V = 0 (低电平),vQS1 lvTpl , V2导通，v。为高电平。 vi = 1 (高电平),Vgs1 Vtn，V1 导通；但 |VGS2I IVTPb V2截止，vo为低电平。4功能：反相器vIvo01105. 优点(1)无论输出高、低电平，均有一管导通，充放电时间常数T小，工作速度快；V、V2必有一个截止功耗低。
