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1、9 金属半导体与半导体异质结一、肖特基势垒二极管欧姆接触：通过金属-半导体的接触实现的连接。接触电阻很低。金属与半导体接触时，在未接触时，半导体的费米能级高于金属的费米能级，接触后，半导体的电子流向金属，使得金属的费米能级上升。之间形成势垒为肖特基势垒。在金属与半导体接触处，场强到达最大值，由于金属中场强为零，所以在金属半导体结的金属区中存在外表负电荷。影响肖特基势垒高度的非抱负因素：肖特基效应的影响，即势垒的镜像力降低效应。金属中的电子镜像到半导体中的空穴使得半导体的费米能级程下降曲线。附图：电流电压关系：金属半导体结中的电流运输机制不同于 pn 结的少数载流子的集中运动打算电流，而是取决于
2、多数载流子通过热电子放射跃迁过内建电势差形成。附肖特基势垒二极管加反偏电压时的 I-V 曲线： 反向电流随反偏电压增大而增大是由于势垒降低的影响。肖特基势垒二极管与 Pn 结二极管的比较：1.反向饱和电流密度同上，有效开启电压低于 Pn 结二极管的有效开启电压。2.开关特性肖特基二极管更好。应为肖特基二极管是一个多子导电器件，加正向偏压时不会产生集中电容。从正偏到反偏时也不存在像 Pn 结器件的少数载流子存储效应。二、金属-半导体的欧姆接触附金属分别与 N 型 p 型半导体接触的能带示意图三、异质结：两种不同的半导体形成一个结小结：1.当在金属与半导体之间加一个正向电压时，半导体与金属之间的势
3、垒高度降低，电子很简洁从半导体流向金属，称为热电子放射。2.肖特基二极管的反向饱和电流比 pn 结的大，因此到达一样电流时，肖特基二极管所需的反偏电压要低。10 双极型晶体管双极型晶体管有三个掺杂不同的集中区和两个 Pn 结，两个结很近所以之间可以相互作用。之所以成为双极型晶体管，是应为这种器件中包含电子和空穴两种极性不同的载流子运动。一、工作原理附 npn 型和 pnp 型的构造图放射区掺杂浓度最高，集电区掺杂浓度最低附常规 npn 截面图造成实际构造简洁的缘由是：1.各端点引线要做在外表上，为了降低半导体的电阻，必需要有重掺杂的 N+型掩埋层。2.一片半导体材料上要做很多的双极型晶体管，各
4、自必需隔离，应为不是全部的集电极都是同一个电位。通常状况下，BE 结是正偏的，BC 结是反偏的。称为正向有源。附图：由于放射结正偏，电子就从放射区越过放射结注入到基区。BC 结反偏，所以在BC 结边界，抱负状况下少子电子浓度为零。附基区中电子浓度示意图：电子浓度梯度说明，从放射区注入的电子会越过基区集中到 BC 结的空间电荷区，那里的电场会将电子扫到集电区。我们期望更多的电子能够进入集电区而不是在基区和多子空穴复合。因此和少子集中长度相比，基区宽度必需很小。工作模式：附共放射极电路中 npn 型双极型晶体管示意图1. 假设 BE 电压为零或者小于零反偏，那么放射区中的多子电子就不会注入到基区。
5、由于 BC 也是反偏的，这种状况下，放射机电流和集电极电流是零。称为截至状态。2. 随着 BE 结电压增大，集电极电流会增大，从而集电极上电阻分压 Vr 增大， 意味着在晶体管 CB 上分压确定值减小；在某一点出，集电极电流会增大到组后大使得电阻分压后再 BC 结零偏。过了这一点后，集电极电流微笑增加会导致Vr 微小增加，从而使 BC 结变为正偏Vcb0。称为饱和。饱和时，BE 结和 BC 结都是正偏的，集电极电流不受 BE 结电压。附双极型晶体管共放射极的电流电压特性，添加了负载线：Ic=0 时晶体管处于截至区。当基极电流变化时，集电极电流没有变化，处于饱和区。当 Ic=Ib 成立时，晶体管
6、处于正向有源区。小结：1. 基区宽度调制效应厄尔利效应：中性基区宽度随 BC 结电压变化而发生变化，于是集电极电流随 BC 结或 CE 结电压变化而变化。2. 大注入效应使得集电极电流随 CE 结电压增加而低速率增加。11 金属-氧化物-半导体场效应晶体管根底MOSFET 的核心是 MOS 电容。在半导体中，由于施加了一个穿过 MOS 电容的电压，氧化物-半导体界面的能带将发生弯曲。其费米能级是该电压的函数，因此通过适当的电压可以使得半导体外表的特性从 p 型转换为 N 型，或 n 型转换为 p 型。附根本 mos 电容构造平带电压：使半导体内部没有能带弯曲所加的栅压。阈值电压：到达阈值反型点
7、所需要的栅压。 阈值反型点：外表势 s 为两倍的f费米能级与本征费米能级之差的状态.当小于阈值电压时，未强反型，沟道未形成，截至；大于等于阈值电压时，强反型，沟道形成，导通。阈值电压大于零，为增加型，零栅压时未反型。阈值电压小于零，为耗尽型，零栅压时已反型。对于 p 型衬底的 Mos,能使反型层电荷密度转变的来源有：1.来自空间电荷区 P 型衬底的少子电子的集中；2.热运动产生的电子空穴对。界面态：半导体在界面处的周期突然停顿，使得电子能级存在于禁带中，这些允许的能太称为界面态。三、MOSFET 的根本工作原理附 N 沟增加型 MOSFET 和耗尽型的剖面图：留意电路符号附 I(D)-V(GS
8、)曲线的原理图附 n 沟增加型 MOSFET 的特性曲线当 V(DS)大于阈值电压时，沟道中反型电荷为零的点移向愿端。此时电子从源端进入沟道，通过沟道流向漏端。在电荷为零的点处，电子被注入空间电荷区，并被电场扫向漏端。附 n 沟耗尽型 MOSFET 的特性曲线亚阈值电导是指在 MOSFET 中当栅源电压小于阈值电压时漏电流不为零。这种状况下，晶体管被偏置在弱反型模式下，漏电流是由集中机制而非漂移机制把握。该电导会在集成电路中产生一个明显的静态偏置电流。13 结型场效应晶体管PnJEFT 的根本工作原理以 N 沟为例，多数载流子电子自源极流向漏极，器件的栅极是把握端。附转变栅源电压的电流电压特性曲线现在分析栅电压为零，漏电压变化的状况。随着漏源电压的增大，栅与沟道形成的 Pn 结反偏，空间电荷区向沟道扩展。随着空间电荷区的扩展，有效沟道电阻增大，曲线斜率变小。附转变漏源电压时的特性曲线。
