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1、第 4 章3. 存储器的层次结构主要体现在什么地方？为什么要分这些层次？计算机如何管理这些层次？答：存储器的层次结构主要体现在Cache-主存和主存-辅存这两个存储层次上。Cache-主存层次在存储系统中主要对CPU访存起加速作用，即从整体运行的效果分析，CPU访存速度加快，接近于Cache的速度，而寻址空间和位价却接近于主存。主存-辅存层次在存储系统中主要起扩容作用，即从程序员的角度看，他所使用的存储器其容量和位价接近于辅存，而速度接近于主存。综合上述两个存储层次的作用，从整个存储系统来看，就达到了速度快、容量大、位价低的优化效果。主存与CACHE之间的信息调度功能全部由硬件自动完成。而主存
2、与辅存层次的调度目前广泛采用虚拟存储技术实现，即将主存与辅存的一部分通过软硬结合的技术组成虚拟存储器，程序员可使用这个比主存实际空间（物理地址空间）大得多的虚拟地址空间（逻辑地址空间）编程，当程序运行时，再由软、硬件自动配合完成虚拟地址空间与主存实际物理空间的转换。因此，这两个层次上的调度或转换操作对于程序员来说都是透明的。4. 说明存取周期和存取时间的区别。解：存取周期和存取时间的主要区别是：存取时间仅为完成一次操作的时间，而存取周期不仅包含操作时间，还包含操作后线路的恢复时间。即：存取周期 = 存取时间 + 恢复时间5. 什么是存储器的带宽？若存储器的数据总线宽度为32位，存取周期为200
3、ns，则存储器的带宽是多少？解：存储器的带宽指单位时间内从存储器进出信息的最大数量。存储器带宽 = 1/200ns 32位 = 160M位/秒 = 20MB/秒 = 5M字/秒注意：字长32位，不是16位。（注：1ns=10-9s）6. 某机字长为32位，其存储容量是64KB，按字编址它的寻址范围是多少？若主存以字节编址，试画出主存字地址和字节地址的分配情况。解：存储容量是64KB时，按字节编址的寻址范围就是64K，如按字编址，其寻址范围为：64K / （32/8）= 16K主存字地址和字节地址的分配情况：（略）。讨论：1、一个存储器不可能有两套地址，注意字长32位，不是16位，不能按2字节编
4、址；2、在按字节编址的前提下，按字寻址时，地址仍为16位；3、字寻址的单位为字，不是B（字节）。4、按字编址的地址范围为016K-1，空间为16K字；按字节编址的地址范围为064K-1，空间为64KB。不能混淆；5、画存储空间分配图时要画出上限。7. 一个容量为16K32位的存储器，其地址线和数据线的总和是多少？当选用下列不同规格的存储芯片时，各需要多少片？1K4位，2K8位，4K4位，16K1位，4K8位，8K8位解：地址线和数据线的总和 = 14 + 32 = 46根；选择不同的芯片时，各需要的片数为：1K4：（16K32） / （1K4） = 168 = 128片2K8：（16K32）
5、/ （2K8） = 84 = 32片4K4：（16K32） / （4K4） = 48 = 32片16K1：（16K32）/ （16K1） = 132 = 32片4K8：（16K32）/ （4K8） = 44 = 16片8K8：（16K32） / （8K8） = 24 = 8片讨论：地址线根数与容量为2的幂的关系，在此为214，14根；数据线根数与字长位数相等，在此为32根。（不是2的幂的关系。X：32=25，5根）8. 试比较静态RAM和动态RAM。答：略。（参看课件）9. 什么叫刷新？为什么要刷新？说明刷新有几种方法。解：刷新：对DRAM定期进行的全部重写过程；刷新原因：因电容泄漏而引起的D
6、RAM所存信息的衰减需要及时补充，因此安排了定期刷新操作；常用的刷新方法有三种：集中式、分散式、异步式。集中式：在最大刷新间隔时间内，集中安排一段时间进行刷新，存在CPU访存死时间。分散式：在每个读/写周期之后插入一个刷新周期，无CPU访存死时间。异步式：是集中式和分散式的折衷。讨论：1）刷新与再生的比较：共同点： 动作机制一样。都是利用DRAM存储元破坏性读操作时的重写过程实现； 操作性质一样。都是属于重写操作。区别：解决的问题不一样。再生主要解决DRAM存储元破坏性读出时的信息重写问题；刷新主要解决长时间不访存时的信息衰减问题。操作的时间不一样。再生紧跟在读操作之后，时间上是随机进行的；刷
7、新以最大间隔时间为周期定时重复进行。动作单位不一样。再生以存储单元为单位，每次仅重写刚被读出的一个字的所有位；刷新以行为单位，每次重写整个存储器所有芯片内部存储矩阵的同一行。芯片内部I/O操作不一样。读出再生时芯片数据引脚上有读出数据输出；刷新时由于CAS信号无效，芯片数据引脚上无读出数据输出（唯RAS有效刷新，内部读）。鉴于上述区别，为避免两种操作混淆，分别叫做再生和刷新。2）CPU访存周期与存取周期的区别：CPU访存周期是从CPU一边看到的存储器工作周期，他不一定是真正的存储器工作周期；存取周期是存储器速度指标之一，它反映了存储器真正的工作周期时间3）分散刷新是在读写周期之后插入一个刷新周
8、期，而不是在读写周期内插入一个刷新周期，但此时读写周期和刷新周期合起来构成CPU访存周期。4）刷新定时方式有3种而不是2种，一定不要忘了最重要、性能最好的异步刷新方式。10. 半导体存储器芯片的译码驱动方式有几种？解：半导体存储器芯片的译码驱动方式有两种：线选法和重合法。线选法：地址译码信号只选中同一个字的所有位，结构简单，费器材；重合法：地址分行、列两部分译码，行、列译码线的交叉点即为所选单元。这种方法通过行、列译码信号的重合来选址，也称矩阵译码。可大大节省器材用量，是最常用的译码驱动方式。11. 一个8K8位的动态RAM芯片，其内部结构排列成256256形式，存取周期为0.1s。试问采用集
9、中刷新、分散刷新和异步刷新三种方式的刷新间隔各为多少？解：采用分散刷新方式刷新间隔为:2ms，其中刷新死时间为：2560.1s=25.6s采用分散刷新方式刷新间隔为：256（0.1s+0.1s）=51.2s采用异步刷新方式刷新间隔为:2ms12. 画出用10244位的存储芯片组成一个容量为64K8位的存储器逻辑框图。要求将64K分成4个页面，每个页面分16组，指出共需多少片存储芯片。解：设采用SRAM芯片，则：总片数 = （64K8位） / （10244位）= 642 = 128片题意分析：本题设计的存储器结构上分为总体、页面、组三级，因此画图时也应分三级画。首先应确定各级的容量：页面容量 =
10、 总容量 / 页面数 = 64K8 / 4 = 16K8位，4片16K8字串联成64K8位组容量 = 页面容量 / 组数 = 16K8位 / 16 = 1K8位，16片1K8位字串联成16K8位组内片数 = 组容量 / 片容量 = 1K8位 / 1K4位 = 2片，两片1K4位芯片位并联成1K8位存储器逻辑框图：（略）。讨论：X 不分级画；问题：1）不合题意；2）芯片太多难画；3）无页译码，6：64译码选组。X 页选直接联到芯片；问题：1）SRAM一般只一个片选端；2）译码输出负载能力需考虑。X 附加门电路组合2级译码信号；（应利用译码器使能端输入高一级的译码选通信号）13. 设有一个64K8
11、位的RAM芯片，试问该芯片共有多少个基本单元电路（简称存储基元）？欲设计一种具有上述同样多存储基元的芯片，要求对芯片字长的选择应满足地址线和数据线的总和为最小，试确定这种芯片的地址线和数据线，并说明有几种解答。解：存储基元总数 = 64K8位 = 512K位 = 219位；思路：如要满足地址线和数据线总和最小，应尽量把存储元安排在字向，因为地址位数和字数成2的幂的关系，可较好地压缩线数。解：设地址线根数为a，数据线根数为b，则片容量为：2ab = 219；b = 219-a；若a = 19，b = 1，总和 = 19+1 = 20； a = 18，b = 2，总和 = 18+2 = 20； a
12、 = 17，b = 4，总和 = 17+4 = 21； a = 16，b = 8，总和 = 16+8 = 24； 由上可看出：片字数越少，片字长越长，引脚数越多。片字数减1、片位数均按2的幂变化。结论：如果满足地址线和数据线的总和为最小，这种芯片的引脚分配方案有两种：地址线 = 19根，数据线 = 1根；或地址线 = 18根，数据线 = 2根。14. 某8位微型机地址码为18位，若使用4K4位的RAM芯片组成模块板结构的存储器，试问：（1）该机所允许的最大主存空间是多少？（2）若每个模块板为32K8位，共需几个模块板？（3）每个模块板内共有几片RAM芯片？（4）共有多少片RAM？（5）CPU如
13、何选择各模块板？解：（1）该机所允许的最大主存空间是：218 8位 = 256K8位 = 256KB（2）模块板总数 = 256K8 / 32K8 = 8块（3）板内片数 = 32K8位 / 4K4位 = 82 = 16片（4）总片数 = 16片8 = 128片（5）CPU通过最高3位地址译码输出选择模板，次高3位地址译码输出选择芯片。地址格式分配如下：15. 设CPU共有16根地址线，8根数据线，并用（低电平有效）作访存控制信号，作读写命令信号（高电平为读，低电平为写）。现有下列存储芯片：ROM（2K8位，4K4位，8K8位），RAM（1K4位，2K8位，4K8位），及74138译码器和其他
14、门电路（门电路自定）。试从上述规格中选用合适芯片，画出CPU和存储芯片的连接图。要求：（1）最小4K地址为系统程序区，409616383地址范围为用户程序区；（2）指出选用的存储芯片类型及数量；（3）详细画出片选逻辑。解：（1）地址空间分配图： 系统程序区（ROM共4KB）：0000H-0FFFH 用户程序区（RAM共12KB）：1000H-FFFFH （2）选片：ROM：选择4K4位芯片2片，位并联 RAM：选择4K8位芯片3片，字串联(RAM1地址范围为:1000H-1FFFH,RAM2地址范围为2000H-2FFFH, RAM3地址范围为:3000H-3FFFH) （3）各芯片二进制地址分配如下：A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0ROM1,200000000000000000000011111111111RAM100010000000000000001111111111111RAM200100000000000000010111111111111
