传感器原理及检测技术复习题

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1、-?传感器原理及检测技术?复习题一、选择题1、传感器中直接感受被测量的局部是BA.转换元件 B.敏感元件 C.转换电路 D.调理电路2、属于传感器静态特性指标的是DA.幅频特性 B.阻尼比 C.相频特性 D.灵敏度3、属于传感器时域动态特性指标的是A A.阶跃响应 B.固有频率 C.临界频率 D.阻尼比4、属于传感器动态特性指标的是C A.量程 B.灵敏度 C.阻尼比 D.重复性5、传感器能感知的输入变化量越小,表示传感器的DA.线性度越好 B.迟滞越小 C.重复性越好 D.分辨力越高6、衡量在同一工作条件下,对同一被测量进展屡次连续测量所得结果之间的不一致程度的指标是AA.重复性 B.稳定性

2、C.线性度 D.灵敏度7、一般以室温条件下经过一定的时间间隔后,传感器的输出与起始标定时输出的差异来表示传感器的CA.灵敏度 B.线性度 C.稳定性 D.重复性8、传感器的线性围愈宽,说明传感器工作在线性区域且传感器的A A.工作量程愈大 B.工作量程愈小 C.准确度愈高 D.准确度愈低9、表示传感器或传感检测系统对被测物理量变化的反响能力的量为BA.线性度 B.灵敏度 C.重复性 D.稳定性10、在明确传感器输入/输出变换关系的前提下,利用*种标准器具产生的标准非电量输入,确定其输出电量与输入量之间关系的过程,称为CA.校准 B.测量 C.标定 D.审核11、按传感器能量源分类,以下传感器不

3、属于能量转换型的是DA.压电式传感器 B.热电式传感器 C.光电式传感器 D.压阻式传感器12、*温度计测量围是20+200,其量程为BA. 200 B. 220 C. 180 D. 24013、*温度测量仪的输入输出特性为线性,被测温度为20时,输出电压为10mV,被测温度为25时,输出电压为15mV,则该传感器的灵敏度为DA. 5mv/ B. 10mv/ C. 2mv/ D. 1mv/14、热电偶的T端称为CA.参考端 B.自由端 C.工作端 D.冷端15、随着温度的升高,NTC型热敏电阻的电阻率会BA.迅速增加 B.迅速减小 C.缓慢增加 D.缓慢减小16、有一温度计,测量围为0200o

4、C,精度为0.5级,该表可能出现的最大绝对误差为A A.1 oC B.0.5 oC C.10 oC D.200 oC17、热电偶式温度传感器的工作原理是基于BA.压电效应 B.热电效应C.应变效应 D.光电效应18、热电偶的热电动势包括AA.接触电动势和温差电动势 B.接触电动势和非接触电动势C.非接触电动势和温差电动势 C.温差电动势和汤姆逊电动势19、将毫伏表接入热电偶回路中,只要保证两个结点温度一致,就能正确测出热电动势而不影响热电偶的输出,这一现象利用了热电偶的C A.中间温度定律 B.参考电极定律 C.中间导体定律 D.中间介质定律20、金属导体的电阻随温度的升高而AA.变大 B.变

5、小C.不变 D.无法确定21、适合于使用红外传感器进展测量的被测物理量是B A.转速 B.温度 C.厚度 D.加速度22、电阻应变片配用的测量电路中,为了克制分布电容的影响,多采用 D 。A直流平衡电桥 B直流不平衡电桥C交流平衡电桥 D交流不平衡电桥23、电阻应变式扭矩传感器在测量时会引起应变片的哪个物理量发生变化CA.磁导率 B.热导率C.电阻率 D.介电常数24、假设单臂电桥的灵敏度为1/4,在一样情况下,双臂电桥的灵敏度为B A. 1/4 B. 1/2C. 2 D. 425、金属电阻应变片受力会产生电阻值的变化,其主要原因是D A.压阻效应 B.压磁效应 C.压电效应 D.电阻丝的几何

6、尺寸变化26、半导体应变片的工作原理是基于 A A.压阻效应 B.热电效应 C.压电效应 D.压磁效应27、对于金属丝式应变片,灵敏系数K等于B A. B. C. D. 28、应变仪电桥的四臂工作方式中,其输出电压U0为D A. B. C. D.29、差动电桥由环境温度变化引起的误差为 DA. B. C. D.030、将电阻应变片贴在上,就可以分别做成测力、位移、加速度等参数的传感器。CA.质量块 B.导体 C.弹性元件 D.机器组件31、霍尔元件是由何种材料制成的BA.导体 B.半导体 C.绝缘体 D.以上三种均可32、霍尔元件体积小,构造简单,可以测量CA.湿度 B.酒精浓度 C.转速 D

7、.温度33、霍尔元件采用恒流源鼓励是为了 B A.提高灵敏度 B.克制温漂 C.减少不等位电势34、霍尔电势公式中的角是指 C A、磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角 B、磁力线与霍尔元件部电流方向的夹角C、磁力线与霍尔薄片垂线之间的夹角35、差动变压器式位移传感器属于AA.电感式传感器 B.电容式传感器 C.光电式传感器 D.电阻式传感器36、自感式位移传感器为常数,如果保持不变,则可构成何种类型的位移传感器 CA.变气隙型 B.螺管型 C.变面积型 D.变极距型37、自感式位移传感器是将被测物理量位移转化为BA.电阻R的变化 B.自感L的变化 C.互感M的变化 D.电容C的变化38、用电涡流式

8、速度传感器测量轴的转速,当轴的转速为50r/min,时,输出感应电动势的频率为50Hz,则测量齿轮的齿数为AA. 60 B. 120 C. 180 D. 24039、当*些晶体沿一定方向受外力作用而变形时.其相应的两个相对外表产生极性相反的电荷,去掉外力时电荷消失,这种现象称为B A.压阻效应 B.压电效应 C.应变效应 D.霍尔效应40、压电式压力传感器不适于测量DA.爆炸力 B.冲击力C.动态力 D.静态力41、在压电式力与压力传感器中,压电元件能将被测量转换成AA.电荷或电压输出B.电压或电流输出C.电容或电压输出D.电感或电压输出42、在压电式加速度传感器中,将被测加速度转变为力的是B

9、 A.压电元件 B.质量块 C.弹性元件 D.基体43、在光线作用下,半导体的电导率增加的现象属于 B A、外光电效应 B、光电效应 C、光电发射 D、光导效应44、当一定波长入射光照射物体时,反映该物体光电灵敏度的是 C A、红限 B、量子效率 C、逸出功 D、普朗克常数45、单色光的波长越短,它的 A A.频率越高,其光子能量越大 B.频率越高,其光子能量越大 C.频率越高,其光子能量越小 D.频率越高,其光子能量越小46、光电管和光电倍增管的特性主要取决于 A A.阴极材料 B.阳极材料 C.纯金属阴极材料 D.玻璃壳材料47、封装在光电隔离耦合器部的可能是DA.一个发光二极管和一个发光

10、三极管 B.一个光敏二极管和一个光敏三极管 C.两个发光二极管或两个光敏三极管 D.一个发光二极管和一个光敏三极管48、光敏三极管的构造可以看成,用光敏二极管替代普通三极管中的DA.集电极B.发射极C.集电结D.发射结49、在四倍细分的光栅位移传感器中,根据两路信号的相位差区分方向时,相位差值不能是D A. 45 B. 90 C. 135 D. 18050、固体半导体摄像元件CCD是一种C A. PN结光电二极管电路 B. PNP型晶体管集成电路 C. MOS型晶体管开关集成电路 D. NPN型晶体管集成电路51、固体半导体摄像机所使用的固体摄像元件为DA. LCD B. LED C. CBD

11、 D.CCD52、矿灯瓦斯报警器的瓦斯探头属于A A.气敏传感器 B.水份传感器 C.湿度传感器 D.温度传感器53、高分子膜湿度传感器用于检测DA.温度 B.温度差 C.绝对湿度 D.相对湿度54、适合在爆炸等极其恶劣的条件下工作的压力传感器是B A.霍尔式 B.光纤式 C.电感式 D.电容式55、由于所用波登管的频响较低,所以适用于静态或变化缓慢压力测量的压力传感器为B A.涡流式 B.霍尔式 C.电感式 D.压阻式56、模/数转换器的分辨率以输出二进制数的位数表示,如模/数转换器的输出为十位,最大 输入信号为5V,则转换器的输出能分辨出输入的电压信号为CA. 2/510V B. 510/

12、2 VC. 5/210V D. 210/5 V57、将微弱的、变化缓慢的直流信号变换成*种频率、以便于放大和传输的交流信号的过程称为AA.调制 B.解调 C.滤波 D.整流58、利用光电耦合电路抑制干扰的方法属于BA.接地 B.隔离C.屏蔽 D.滤波59、属于发电型位移传感器的是DA.磁栅式位移传感器 B.光栅式位移传感器 C.感应同步器 D.压电式位移传感器60、电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化转为何种物理量的输出CA.电阻B.电容C.电压D.电荷61、假设模/数转换器输出二进制数的位数为10,最大输入信号为2. 5 V,则该转换器能分辨出的最小输入电压信号为B A. 1. 22mV

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