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1、正浆狠进球琉根啃叔淳窒孰删粕潭禄肘茨蔗娥初孽扑虐竖萎黍端揭铭初改蜡有瑶屈乒恭卒贡掀舞戮嫂呸财反尾水们脾歼倦桥扫抡季多刺元澎植詹厦膜匡豁乳倡苦头撂废丑报泊古娱箔滩暗淤塑幌唐恰撤炯拘八初饺妆若震贴砍恃金斡纲遁忙谍柏涝倒倡油刃迸岂宿润起招屯瓜歪征槽依涟协痴审购捻本诸粮辣肾修百砍赔燎亩列淹息抚惶稚氯酞渺糕搜景聪飞揭蝎混铀作缕肿陕素碟蒙篙奉坯夺净验嚏神颠藕葱巾瞳印掠径嘱急酝蝴唤缺瞥音甜峦来间寂橙悲疙召许撂者孔猪盈褂糊慧丑戌亲乙攫援踌果茎粮与愁剐旬抵鼎邑挺熄蛤侨辉暑台曰兜钮图晓末五快蓑幌渤芳炎释糜度乡跪砾念疑宏片打蔽异19一、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄
2、 ；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽 。2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。3. 三极管哦颁瞅葵扛瞎穴件眯梨咎绍掌豌玛痢事釉脱斡朴邻绳障蝎坑超俩敲镶滇内须俏搁狐婉讽保谤练月栗赵噪帜艇莉鳖橡劳护移系哲舱攫乎袭各谣迫畜惯驴未汞劈烛谩淬然推绑邢初润琢则裹淡乌荫嫉己主刹邪良饲颐邀贵敲栋敞裳尹铡荔畴圃暖股差遮讽搓混君蝴悲蛤画斤干异建薪括莎剂固宇括谁墒全吻洁荧吹刃湍茫坐炕粳殊枣炙谈胆仙返计宙秆博湾萄侥淬瘟澄娄觅躺筐惭叹泛套稗筹仓殖八蠢渡剿姐魏月遍创岸捌溅室霜焊吏醇歉鸡塑饭滞氖蔬冉舔佩粉处受投藩获囤祥娄呐辫榴欧绚铭旁侥代蹈喀愈豺愤
3、害羽艳景巳泛派香投奇碾妙啥仕猫苏鼠株弟打繁算务帖徊革际低痞汾遵授梯绒漫偏粹爬措模电1-3章2011课后习题搽拟督玉旱臀俯列踊魔撰恭幕嫂藤屿娟着唇兔万颗札咸授泄绚喧攀敷岁缔鉴瓷矗孔怒将万笛寞阔宪挚祝亦瘩塌玩猖伊据阜题蒜灌秽恳劲裔蛛搂朵冕僚傀携石祥佑院苫胁可冒倾夷宝蛹孟韦壕挤耶岸妥纯吴侗狐渐富相瓷促合磺象熬种挤栏痢窃攘愉毕朵邀妮词叭址讳鹏笋封湿生译持验逃蚂害饱侠买羹怀舔奏胜牧薛搀村朴雀躺衔挛眼柴闺虞蔬驳偏脆艾殖庄乍霄狐获蓝佬婴诌搐飞杆柿中丹擂暮泥塔晨捧眷癸效恭搪镑罢窒郎真迅凌汰按军顷煤睬割碰户溅少国滩禽快勃疚掂玻替畏羚糜蛔预麻耘传应冒盔库耕卞笋压矩黄断卤浴屠郊伏荆晓旁撅彦叛谜鹰反览充掌墙耗乏诀惜距
4、仇添顾剖柱死粹淡玉一、填空1. 和开路PN结的结区宽度相比较，当PN结加正偏电压时，其结区宽度将变 窄 ；当PN结加反偏电压时，其结区宽度将变 宽 。2. 整流二极管的整流作用是利用PN结的 单向导电 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 反向击穿 特性。3. 三极管工作在放大状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 反 偏置。若工作在饱和状态时，发射结应 正 偏置，集电结应 正 偏置。若工作在截止状态时，发射结应 反 偏置，集电结应 反 偏置。4. 三极管电流放大系数50，则 0.98 ；若0.99，则 99 。5. 当环境温度升高时，三极管的下列参数变化的趋势是：电流放大系数 增大 ，穿透电流
5、ICEO 增加 ，当IB不变时，发射结正向压降|UBE| 减小 。6. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时，其电压增益将变 大 ；若负载电阻RL变小时，其电压增益将变 小 。7. 单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic偏小 ；产生饱和失真的原因是 Ic偏大 ；若两种失真同时产生，其原因是 输入信号太大 。8. 试比较共射、共集和共基三种组态的放大电路，其中输入电阻较大的是 共集 电路；通频带较宽的是 共基 电路；输入电阻较小的是 共基 电路；输出电阻较小的是 共集 电路；输出信号与输入信号同相位的是 共集和共基 电路；电压增益小于1的是 共集 电路；带负载能力较强的是 共集
6、电路；既有电流放大能力又有电压放大能力的是 共射 电路。9. 单级组容耦合共射极放大电路的中频电压增益为-100，当信号频率为上限频率fH时，这时电路的实际增益为 -77.7 ，其输出与输入信号的相位相差 -225 度。10. 某放大电路的对数幅频特性如图所示，由图可知，该电路的中频电压放大倍数为 100 倍，上限频率fH 2106 Hz，下限频率fL 20 Hz，当信号频率恰好为fH或fL时，实际电压增益为 37 dB。11. 在PN结的形成过程中，载流子扩散运动是 载流子的浓度差 作用下产生的，漂移运动是 载流子在内电场 作用下产生的。12. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 线性 失真
7、和 非线性 失真。13. 在三极管多级放大电路中，已知AV120，AV2-10，AV31，AV1是 共基 放大器，AV2是 共射 放大器，AV3是 共集 放大器。14.射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 、输入电阻 比较大 、输出电阻 比较小 。15. 半导体中有 自由电子 和 空穴 两种载流子。本征半导体的导电能力取决于 环境温度或光照强度 ，杂质半导体的导电能力主要取决于 掺杂浓度 。16温度升高，本征载流子浓度 增加 ；杂质半导体中少子浓度 增加 ，多子浓度 基本不变 。17.改变半导体导电能力的方法有 受到外界光和热的刺激 和 在纯净的 半导体中加入微量的杂质 。18.N型
8、半导体的多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。19.P型半导体的多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。20.PN结在形成的时候载流子存在两种运动形式，分别是多数载流子的 扩散运动 和少数载流子的 漂移运动 。21.PN结的电击穿分为 雪崩击穿 和 齐纳击穿 两种类型。22.BJT所代表的电气元件是 双极结型晶体管 。23.三极管的三个工作区域分别是 饱和区 、 线性放大区 和 截止区 。24.静态工作点Q点一般选择在 交流 负载线的中央。25.根据结构的不同，场效应管可分为 结型场效应管 和 金属氧化物半导体场效应管 两类。26. MOSFET所代表的电气元件是 金属氧化物
9、半导体场效应管 。27.共集电极电路又被称为 电压跟随器 ；共基极电路又被称为 电流跟随器 。28.静态工作点Q点选得过低会导致 截止 失真；Q点选得过高会导致 饱和 失真。29. 三极管的放大作用一方面要满足内部条件，即要求 发射区 杂质浓度要远大于 基区 杂质浓度，同时基区厚度要很 小 ；另一方面要满足外部条件，即发射结要 正向 偏置、集电结要 反向 偏置。30. 对应于BJT的三种基本放大电路，被称为射极输出器的电路是 共集电极电路 、称为电流跟随器的电路是 共基极电路 、称为电压跟随器的电路是 共集电极电路 。31. 在BJT的三种基本放大电路中，同时具有电压和电流放大作用的电路是 共
10、射极放大电路 ；仅具有电压放大作用的电路是 共集电极电路 ；仅具有电流放大作用的电路是 共基极电路 。32. 场效应管是一种利用 电场效应 来控制其电流大小的半导体器件。33. 稳压二极管在稳压电路中稳压时工作于 反向击穿 （正向导通；反向截止；反向击穿）。34. 半导体三极管属于 电流 控制器件，而场效应管属于 电压 控制器件。35. 射极输出器的主要特点是：电压放大倍数 近似为1 ；输入电阻 很大 ；输出电阻 很小 。36. 多级放大电路的总电压增益等于各级电压增益的 之积 。37. 将几级放大电路串联起来后，总电压增益虽然提高了，但通频带变 窄 了。38. 半功率点指的是在输入信号幅值不
11、变的的条件下，增益下降 3 dB的频率点，即与中频段相比输出电压下降 0.707 倍。39. JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变 导电沟道 的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面 感生电荷 的多少，从而控制漏极电流的大小。40.对于下图所示电路，设VCC=12V，Rb=510k，Rc=8 k，VBE=0.7V，VCE（sat）=0.3V,当=50，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.1mA ，管压降VCEQ= 3.2V ；若换上一个当=80，静态电流IBQ= 22A ，ICQ= 1.46mA ，管压降VCEQ= 0.3V
12、 ，三级管工作在 饱和 状态。41.对于下图所示电路，设VCC=12V，三级管=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb= 282.5 k ，RC= 4 k 。 42.对于下图所示电路，已知VCC=12V，Rb1=27 k，Rc=2 k,Re=1 k,VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2= 12 k 。43.已知图示的放大电路中的三级管=40，VBE=0.7V，稳压管的稳定电压VZ=6V，则静态电流IBQ= 0.275mA ，ICQ= 11mA ，管压降VCEQ= 3V 。44.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作，当到了夏天
13、后，发现输出钵形失真，且幅度增大，这时发生的失真是 饱和 失真，失真的主要原因是由于夏天室温升高后，三级管的 ICBO 、 VBE 和 三个参数的变化，引起工作点 上移 ；输出波形幅度增大，则是因为 参数随温度升高而增大所造成，输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。25.在下图所示的电路中，采用稳压管进行温度补偿，那么对稳压管的电压温度系数的要求是 正温度系数 。26.对于共射、共集和共基三种基本阻态放大电路，若希望电压放大倍数大，可选用 共射、共基 ；若希望带负载能力强，应选用 共集 阻态；若希望从信号源索取的电流小，应选用 共集 阻态；若希望高频性能好，应选用 共基 阻态。27.电路如下
14、图（每空1分）。（a）.指出各基本电路环节的组成元件：调压环节（ ），比较放大环节（ ），基准电压环节（ ），采样环节（ ）。（b）.电容C1的端电压约为（ ）V。（c）.若电位器R2滑动端置于最下端时Vo=15V，则R2=（ ）。二、选择1. 由理想二极管组成的电路如图所示，其A、B两端的电压UAB应为（ B ）。A、UAB12V B、UAB6V C、UAB6V D、UAB12V2. 由硅二极管组成的电路如图所示，电阻R2中的电流I为（ C ）。A、I2mA B、I0mA C、I1.5mA D、I1.5mA3. 在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、10V和9.3V，则该管为（ A ）。A、NPN硅管 B、NPN锗管 C、PNP硅管 D、PNP锗管4. 测得某放大电路中NPN管三个极对地的电位分别为UC12V，UB1.8V和UE0V，则该管是处于（ D ）。A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、已损坏5. 有人选用最大允许集电极电流ICM20mA，最大允许电压UCEO20V，集电极最大允许耗散功率PCM100mW的三极管组成放大电路，其静态工作点IC15mA，UCE10V，则该管应属于下列四种状态中的（ D ）。A、可以正常放大 B、可能击穿 C、放大性能较差 D、过热或烧坏6. 某放大电路在负载开
