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1、射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率图片: 描述:这是一个标准的推拉力振荡器的基础上,功率MOSFET晶体管。 图片: 描述: 图片: 射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率 随着电路显示在这里,您可以创造高频率的电磁波非常高的输出功率。 可能的应用实验,无线电力传输,射频转发器,特斯拉线圈等。依赖于线圈,电容器和冷却的晶体管的输出功率在20W的范围和更可以得到。 在很短的距离,其他电子电路可能会受到干扰甚至摧毁。广播 RFID技术,防盗,无线局域网,医疗器械(心脏起搏器! )可干扰大面积! 从来没有经营这条赛道上没有采取预防措施! 这可能是非法操作在你的国家!组成部分的数值: 工作电压为1
2、5V直流 如果您希望使用较小的工作电压,则必须增加R2和R3的阻值。振荡开始时压降的R2响应。 R3的达到了MOSFET的thresold电压,约。 4 .至6V 场效应管: IRF510 受体1 ,的R4 100,000 R2的, R3的27K C4,C5: 100u C1选择您想要的频率 C2 ,补体C3加州10 的C1 素D1 , D2类15V Z型二极管 阿PushPull振荡器需要一个线圈的中心抽头。对于我的测试中我用12打开1毫米绝缘铜线,直径约40毫米。 该中心抽头连接到PAD1 频率范围从200kHz至10MHz时生成使用此线圈。 共振频率的计算方法是(约) 重要的! 电容器,特别是的C1应低ESR ,不然他们将会升温和被摧毁! 发光二极管连接到一个小的接收线圈照亮了约20厘米的距离。在10厘米,它成为热点,并最终被摧毁!