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1、长沙理工大学考试试卷试卷编号 07 拟题教研室（或教师）签名 电子教研室 教研室主任签名 课程名称（含档次） 模拟电子技术 课程代号 专 业 电类相关专业 层次（本、专） 本科 考试方式（开、闭卷） 闭卷 一、填空（本题共18分，每空1分）：1二极管最主要的特性是_。2如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，则桥式整流后(不滤波)的输出电压为_V，经过电容滤波后为_V，整流二极管所承受的最大反向电压为_V。3差分放大电路，若两个输入信号为uI1uI2，则输出电压uO _；若u I1 =100mV，u I 2 =80mV，则差模输入电压uId_mV；共模输入电压uIc _mV。4在信号处理
2、电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 _滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用_滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 _滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 _滤波器。5若三级放大电路中Au1 Au2 30dB，Au3 20dB，则其总电压增益为_dB，折合为_ 倍。6乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ _、静态时的电源功耗PDC_。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_，但这种功放有_失真现象。7集成三端稳压器CW7915的输出电压为_V。二、单项选择（本题共20分,每个选择2分）：0iD/mA-4 uGS/V51在某放大电路中，测得三极
3、管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（ ）。A. NPN 型硅管 B. NPN 型锗管 C. PNP 型硅管 D. PNP 型锗管2某场效应管的转移特性如图1所示，该管为（ ）。A. P沟道增强型MOS管 B. P沟道结型场效应管 C. N沟道增强型MOS管 D. N沟道耗尽型MOS管3通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ ）。A. 输入电阻高 B. 输出电阻低 C. 共模抑制比大 D. 电压放大倍数大 图1T2T16RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成，即RC串并联选频网络和（ ）。A. 基本共射放大电路 B. 基本共集放大电路C.
4、反相比例运算电路 D. 同相比例运算电路8与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( )。a. 不用输出变压器 b. 不用输出端大电容 c. 效率高 d. 无交越失真5图2所示复合管，已知T1的b1 = 30，T2的b2 = 50，则复合管的b 约为（ ）。 图2A. 1500 B. 80 C. 50 D. 304图3所示电路中，Ri为其输入电阻，RS为常数，为使下限频率fL降低，应（ ）。A. 减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小Ri D. 增大C，增大Ri7已知某电路输入电压和输出电压的波形如图4所示，该电路可能是（ ）。A. 积分运算电路 B. 微分运
5、算电路 C. 过零比较器 D. 滞回比较器+uO_usRBRs+VCCVC+RCRiOtuItuo图3图4O9稳压二极管稳压时，其工作在( )，发光二极管发光时，其工作在( )。a正向导通区 b反向截止区 c反向击穿区三、分析与计算（本题共62分）：1(本小题14分) 放大电路如图5所示，电路中电容容量足够大，三极管的50，rbb200，UBE0.6V，RB1120K，RB240K，RCRL4K，RE2.1K，VCC12V，信号源内阻RS10K，（1）估算电路的静态工作点IBQ、IEQ、UCEQ；（2）画出微变等效电路；（3）计算电路的放大倍数、输入电阻Ri和输出电阻Ro的值。（4）去掉旁路电
6、容CE，求电压放大倍数，输入电阻Ri。2(本小题8分) 电路如图6所示，设满足深度负反馈条件。（1）判断级间反馈的极性和组态；（2）求其闭环电压放大倍数Auf。 图5 图63(本小题12分) 设图7中A为理想运放，求各电路的输出电压值。图74(本小题8分) 试用相位平衡条件判断图8所示电路是否可能产生正弦波振荡。如可能振荡，指出该振荡电路属于什么类型（如变压器反馈式、电感三点式、电容三点式等），并估算其振荡频率。已知这两个电路中的L0.5mH，C1 C2 40pF。图85(本小题10分) 图9所示电路中，设A1、A2、A3均为理想运放，其最大输出电压幅值为12V。（1）说明A1、A2、A3各组成什么电路？（2）A1、A2、A3分别工作在线形区还是非线形区？（3）若输入为1V的直流电压，则各输出端uO1、uO2、uO3的电压为多大？图96(本小题10分) 在图10所示电路中，Rf和Cf均为反馈元件，设三极管饱和管压降为0V。（1）为稳定输出电压uO，应如何正确引入负反馈？（2）若使闭环电压增益Auf = 10，确定Rf = ？（3）求最大不失真输出电压功率Pomax = ？最大不失真输出功率时的输入电压幅值为多少？图10第 2 页 （共 4 页）
