成都MOSFET功率器件项目招商引资方案参考范文

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1、泓域咨询/成都MOSFET功率器件项目招商引资方案成都MOSFET功率器件项目招商引资方案xxx有限公司目录第一章 项目背景、必要性10一、 功率MOSFET的行业发展趋势10二、 功率半导体市场规模与竞争格局11三、 功率器件应用发展机遇12四、 培育比较优势突出的现代化开放型产业体系17五、 积极融入更好服务新发展格局20第二章 项目承办单位基本情况24一、 公司基本信息24二、 公司简介24三、 公司竞争优势25四、 公司主要财务数据27公司合并资产负债表主要数据27公司合并利润表主要数据28五、 核心人员介绍28六、 经营宗旨30七、 公司发展规划30第三章 行业发展分析37一、 MO

2、SFET器件概述37二、 全球半导体行业发展概况41第四章 总论42一、 项目名称及项目单位42二、 项目建设地点42三、 可行性研究范围42四、 编制依据和技术原则42五、 建设背景、规模43六、 项目建设进度44七、 环境影响44八、 建设投资估算45九、 项目主要技术经济指标45主要经济指标一览表45十、 主要结论及建议47第五章 建设内容与产品方案48一、 建设规模及主要建设内容48二、 产品规划方案及生产纲领48产品规划方案一览表49第六章 建筑工程技术方案50一、 项目工程设计总体要求50二、 建设方案51三、 建筑工程建设指标52建筑工程投资一览表52第七章 选址可行性分析54一

3、、 项目选址原则54二、 建设区基本情况54三、 加快推动成渝地区双城经济圈建设55四、 加快建设改革开放新高地,塑造国际合作与竞争新优势58五、 项目选址综合评价61第八章 SWOT分析62一、 优势分析(S)62二、 劣势分析(W)64三、 机会分析(O)64四、 威胁分析(T)65第九章 法人治理71一、 股东权利及义务71二、 董事75三、 高级管理人员81四、 监事83第十章 发展规划85一、 公司发展规划85二、 保障措施91第十一章 运营模式分析94一、 公司经营宗旨94二、 公司的目标、主要职责94三、 各部门职责及权限95四、 财务会计制度98第十二章 环境保护方案106一、

4、 编制依据106二、 环境影响合理性分析107三、 建设期大气环境影响分析107四、 建设期水环境影响分析108五、 建设期固体废弃物环境影响分析109六、 建设期声环境影响分析109七、 环境管理分析110八、 结论及建议114第十三章 劳动安全评价115一、 编制依据115二、 防范措施116三、 预期效果评价119第十四章 项目节能分析120一、 项目节能概述120二、 能源消费种类和数量分析121能耗分析一览表121三、 项目节能措施122四、 节能综合评价122第十五章 进度规划方案124一、 项目进度安排124项目实施进度计划一览表124二、 项目实施保障措施125第十六章 工艺技

5、术及设备选型126一、 企业技术研发分析126二、 项目技术工艺分析128三、 质量管理130四、 设备选型方案131主要设备购置一览表131第十七章 项目投资分析133一、 投资估算的依据和说明133二、 建设投资估算134建设投资估算表136三、 建设期利息136建设期利息估算表136四、 流动资金138流动资金估算表138五、 总投资139总投资及构成一览表139六、 资金筹措与投资计划140项目投资计划与资金筹措一览表141第十八章 项目经济效益分析142一、 基本假设及基础参数选取142二、 经济评价财务测算142营业收入、税金及附加和增值税估算表142综合总成本费用估算表144利润

6、及利润分配表146三、 项目盈利能力分析147项目投资现金流量表148四、 财务生存能力分析150五、 偿债能力分析150借款还本付息计划表151六、 经济评价结论152第十九章 风险分析153一、 项目风险分析153二、 项目风险对策155第二十章 项目综合评价说明158第二十一章 附表附录160主要经济指标一览表160建设投资估算表161建设期利息估算表162固定资产投资估算表163流动资金估算表164总投资及构成一览表165项目投资计划与资金筹措一览表166营业收入、税金及附加和增值税估算表167综合总成本费用估算表167利润及利润分配表168项目投资现金流量表169借款还本付息计划表1

7、71报告说明根据Omdia的统计,2019年我国MOSFET器件市场规模为33.42亿美元,2017年-2019年复合年均增长率为7.89%,高于功率半导体行业平均的增速。在下游的应用领域中,消费电子、通信、工业控制、汽车电子占据了主要的市场份额,其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域,主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET器件的市场需求,在汽车电子领域,MOSFET器件在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电机驱动等动力控制系统,以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用,有着广阔的应用市场及发展前景。根据谨慎财务估算,项目总投资9826.82万

8、元,其中:建设投资7817.84万元,占项目总投资的79.56%;建设期利息100.34万元,占项目总投资的1.02%;流动资金1908.64万元,占项目总投资的19.42%。项目正常运营每年营业收入22200.00万元,综合总成本费用17143.18万元,净利润3704.77万元,财务内部收益率30.69%,财务净现值9349.66万元,全部投资回收期4.70年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。该项目的建设符合国家产业政策;同时项目的技术含量较高,其建设是必要的;该项目市场前景较好;该项目外部配套条件齐备,可以满足生产要求;财务分析表明,该项目具有一定盈利能

9、力。综上,该项目建设条件具备,经济效益较好,其建设是可行的。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息,并依托行业分析模型而进行的模板化设计,其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目背景、必要性一、 功率MOSFET的行业发展趋势1、工艺进步、器件结构改进所带来的变化采用新型器件结构的高性能MOSFET功率器件可以实现更好的性能,从而导致采用传统技术的功率器件的市场空间被升级替代。造成该等趋势的主要原因是高性能功率器件的生产工艺不断进行技术演进,当采用新技术的高性能MOSFET功率器件生产工艺演进到成熟稳定的阶段时,就会对现有的功率MOS

10、FET进行替代。同时,随着各个应用领域对性能和效率的要求不断提升,也需要采用更高性能的功率器件以实现产品升级。因此,高性能MOSFET功率器件会不断扩大其应用范围,实现市场的普及。未来的5年中会出现新技术不断扩大市场应用领域的趋势。具体而言,沟槽MOSFET将替代部分平面MOSFET;屏蔽栅MOSFET将进一步替代沟槽MOSFET;超级结MOSFET将在高压领域替代更多传统的VDMOS。第三代半导体材料主要为碳化硅和氮化镓,具有禁带宽度大、电子迁移率高、热导率高的特点,在高温、高压、高功率和高频的领域有机会取代部分硅材料。首先,由于新能源汽车、5G等新技术的应用及需求迅速增加,第三代半导体的产

11、业化变得更加迫切。得益于SiCMOSFET在高温下更好的表现,SiCMOSFET在汽车电控中将逐步对硅基IGBT模块进行替代。根据Yole的数据,2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元,预计到2025年将增长至15.53亿美元,复合增长率为38%。第三代半导体材料仍然处于产业化起步阶段,国内已发布多个政策积极推进第三代半导体行业的发展,例如2019年国务院发布长江三角洲区域一体化发展规划纲要,提出要加快培育一批第三代半导体企业。2、功率器件集成化趋势除了MOSFET功率器件在结构及工艺方面的优化外,终端领域的高功率密度需求也带动了功率器件的模块化和集成化。在中大功率应用

12、场景中,客户更倾向于使用大功率模块。由于大功率模块需要多元件电气互联,同时要考虑高温失效和散热问题,其封装工艺和结构更复杂;在小功率应用场景中,功率器件被封装到嵌入式封装模块中来提高集成度从而减小整体方案的体积。目前,工业领域仍是功率模块的主要应用领域。随着新能源汽车、5G技术的兴起,功率器件模块化趋势将愈发显著。根据Omdia预测,2020-2024年分立器件市场增速为2.8%,而功率模块市场增速为9.2%,高于分立器件市场增速。二、 功率半导体市场规模与竞争格局根据Omdia预测,2019年全球功率半导体市场规模约为464亿美元,预计至2024年市场规模将增长至522亿美元,2019-20

13、24的年化复合增长率为2.4%。在功率半导体领域,国际厂商优势明显,全球前十大功率半导体公司均为海外厂商,包括英飞凌(Infineon)、德州仪器(TexasInstruments)、安森美(ONSemiconductor)、意法半导体(STMicroelectronics)等。行业整体集中度较低,2019年以销售额计的全球功率半导体龙头企业英飞凌市场份额为13.49%,前十大企业市场份额合计为51.93%。目前国内功率半导体产业链正在日趋完善,技术也正在取得突破。同时,中国也是全球最大的功率半导体消费国,2019年市场规模达到177亿美元,增速为-3.3%,占全球市场比例高达38%。预计未来

14、中国功率半导体将继续保持平稳增长,2024年市场规模有望达到206亿美元,2019-2024年的年化复合增长率达3.1%。三、 功率器件应用发展机遇受益于新能源汽车和5G产业的高速发展,充电桩、5G通讯基站及车规级等市场对于高性能功率器件的需求将不断增加,高压超级结MOSFET为代表的高性能产品在功率器件领域的市场份额以及重要性将不断提升。1、充电桩(1)发展机遇2020年,充电桩被列入国家七大“新基建”领域之一。2020年5月两会期间,政府工作报告中强调“建设充电桩,推广新能源汽车,激发新消费需求、助力产业升级”。公安部交通管理局公布数据显示,截至2020年6月新能源汽车保有量有417万辆,与2019年年底相比增加36万辆,增长率达到9.45%。伴随新能源汽车保有量的高速增长,新能源充电桩作为配套基础设施亦实现了快速增长,截止2019年12月,全国充电基础设施累计数量为121.9万个,其中公共桩51.6万个,私人桩70.3万个,充电场站建设数量达到3.6万座。公共充电桩由政府机关等具有公共服务性质的机构置办,服务对象面向所有电动汽车车主。2015年至2019年,全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个,复合年增长率达到了72.9%。近几年来,我国充电站同样有快速发展,充电站保有量已由2015年1,069座增加到2019年的35,849座,复合年增长率为140

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