全桥驱动器芯片UBA2032TUBA2032TS

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1、全桥驱动器芯片飞利浦公司采用EZ-HV文中介绍了 UBA2032T/TS的功能特点,给出了它的典型应用电路。SOI工艺制造的全桥驱动器UBA2032T/TS可用于驱动任何一类 负载,尤其适合于驱动HID灯。1 概述:飞利浦公司推出的UEA2 032高压单片IC是采用EZ-HVS01工艺制造的一种高压全桥驱动器。UEA 2 0 3 2在全桥拓扑中通过外部MOSFET可以驱动任何一种负载,尤其适用于驱动高强度的放电HID 灯如高压钠灯和金卤灯换向器等 commutator o UBA 2 0 3 2的主要特点如下:内置自举二极管和高压电平移位器;桥路电压最高可达5 5 0 V,并可直接从IC的HV

2、脚输入高压,以为内部电路产生低工作电压,而无需附加低压电 源;EEEEEE匡0叵匝0叵s R s c V CV D V * H *L T L n n X +EUBA2032TSUDDBDRCND soDc N LmPGGLEail冒回番国国EE回EER R R Un onG F sCLJE区EEE区叵匝E匣匣叵DDBDRCNDscs R s c c V D V * L T L n 亠 X +ELBA2032TSR R R H s H CFS 刚a困OCR GNL c CLLL ” L c L H s H n nG npG n nsFG(a)SO24(b) SSOP28图1 UBA2O32T/T

3、S引脚排列带输入启动延时,可利用简单的RC滤波器或来自处理器的控制信号产生延迟;振荡器频率可调节;只要BD脚上电压超过桥路截止门限1.2 9V ,所有MOSFET都将被关断;为保证5 0%的占空因数,振荡器信号在馈送到输出驱动器之前应通过除法器;非交叠non-overlap时间可由自适应非交叠电路控制,最小非交叠时间可在内部固定;采用2 4脚SO封装UEA2 032T 和2 8脚SSOP封装UEA2 032TS,引脚排列如图1所示。VddRCSURD5(6)-LVS EXTDK+LVS1(1)12(14)稳定器bM T T高端2駆动器戶竺亍 ()-GIL-3IL-/S.7W UVLOl11(1

4、3)8(10)IX49(H)高端右驱动器低端左验动器-GHR-SHR2 0Q3)18(21)17(20),&f 16J9t21K 5,8,18, 19,22f 24*25CUPGNDGLLDDme图2 UBA3C32T/7S内部结构方框图2内部结构及工作原理2.1内部结构及引脚功能UBA 2 0 3 2片内集成有电压稳压器、振荡器、输入信号延迟和桥路禁止电路、控制逻辑、高/低压电平移位器、高 端左/右驱动器和低端左/右驱动器等单元电路,图2所示是其内部结构框图。表1所列是UBA 2 0 3 2的各引脚功能表1 UBA2032的引脚功能符 号引脚功能UBA2032TUBA2032TS-LVS11

5、逻辑输入负电源电压EXTRD22振荡器信号输入+LVS33逻辑输入正电源电压n.c4,6,16,19,214,5,7,18,19,22,24,25空脚HV56内部低电源电压产生引脚VDD79内部低电源电压SU810启动延时输入信号DD911除法器禁止控制输入BD1012桥路禁止控制输入RC1113内部振荡器RC输入SGND1214信号地GHL1315高端左边MOSFE栅极FSL1416左边浮置电源电压SHL1517高端左边MOSFE源极GLL1720低端左边MOSFE栅极PGND1921功率地GLR2023低端右边MOSFE栅极SHR2226高端右边MOSFE源极FSR2327右边浮置电源电压

6、GHR2428高端右边MOSFE栅极表2逻辑关系器件状态输入(脚)输出(脚)BDSUDDEXTDRGHLGHRGLLGLR启动HXXXLLLLLXXXLLHH振荡HXXXLLLLLLXXLLHHHHGLHHLLHLLHHLLHLLHLHHLLHHHLLHHLLHHL备注:H为咼电平;L为低电平;X表示无关2.2 工作原理UBA 2 0 3 2既可从HV脚施加电压以产生内部低电源电压VDD11.52V,也可将低压电源直接连接到VDD脚 此情况下HV脚必须连接到脚VDD或SGND。当VDD脚或HV脚上的电压高于释放功率驱动电平典型值分别为9V和12.5V时,桥路输出电压将由EXTDR脚上的控制信号

7、来决定。表2列出了IC的状态及输入/输出之间的逻辑关系。一旦脚VDD或HV上的电压降至功率驱动复位电平分别为6.5V和10V 以下,IC将进入再次启动状态。当脚HV电压穿越释放功率驱动电平时,桥路将按照以下两点确定状态换向:(1) 高端左边和低端右边MOSFET导通,高端右边和低端左边MOSFET截止;(2) 高端左边和低端右边MOSFET截止,高端右边和低端左边MOSFET导通。UBA2032可以在三种不同模式下产生振荡:第一种是内部振荡器模式。在该模式下,桥路转换频率由外部电阻ROSC和电容COSC来决定。为实现5 0%的占空比,内部除法器应通过连接脚DD到SGND被赋能同时脚EXTDR必

8、须与脚+LVS-LVS和SGND或VDD连接在一起。第二种是不经内部除法器的外部振荡器模式。在该模式下,将脚RC短路到SGND可使内部振荡器截止。当外部信号 源连接到脚EXTRD时,桥路频率将等于外部振荡器频率,而不是像内部振荡器模式那样,桥路频率为内部振荡器频率的1 /2。第三种为内部除法器的外部振荡器模式。在该模式时,为使内部除法器使能,脚RC、DD和脚SGND必须连接在一 起,而此时全桥输出频率为外部振荡器频率的1/2,桥路换向则通过EXTRD脚信号的下降沿触发。高压 55OV (max)IV员GNDDDSGND1242*1123S5227208alg171015111213UBA2O3

9、2TR1COQ CHR.RioonGLLF$L C2jCRL点火器LL R100fl图3基本应用电路3应用电路3.1 HID灯基本驱动电路UBA 2 0 3 2主要是为驱动HID灯而设计的,图3所示是由UBA 2 0 3 2 T组成的HID灯全桥驱动电路。在这 个基本应用拓扑结构中,IC的桥路禁止、启动延时和外部驱动功能均未被利用,IC脚的一LVS、+LVS、EXTDR 和BD都短接到SGND。脚DD连接到SGND,内部2分频除法器被使能。由于使用了内部振荡器,桥路换向频率可由R OSC和COSC的数值决定:式中,常数Kosc为1.02。当IC脚HV上的电压超过12.5V(典型值)(时,振荡器

10、开始工作。一旦脚H V上的电压降至1 0V(典型值)以下,那么,UEA 2 0 3 2 T将进入启动状态。像高压钠灯这类HID灯,通常需要3-6kV的高压脉冲才能使其启动引燃。因此,在全桥驱动器电路中,应附加点 火 启动 器电路。在普通荧光灯电子镇流器中,灯启动通常利用LC串联谐振在电容两端产生一个1kV以上的高压施加到 灯管上,以使灯管击穿而点燃。而HID灯启动电路则通常由带负阻特性的开关元件(如硅AC双向开关)、电容和升压电感 器等元件组成,该电路可用来产生数千伏的高压点火脉冲。十低电电源系统地-LVSEXTDRHVI DDBDRC12823276269231021112012171316

11、1415UBA2032TSmoon飓NMR 石R1QOQPG四 叮CLLSHLFSL j|C2GHLLL ft100QHL R1QOQ点火器IGMTOR图4汽车前灯軀动电路3.2汽车前灯驱动电路由于HID灯的使用寿命取决于通过石英灯管壁的钠迁移率。因此,为使钠迁移率最小化以延长灯的使用寿命,HID 灯可在相对于系统地的负电压下操作。图4所示是汽车前灯(HID灯)的全桥驱动电路。该电路中的UEA 2 0 3 2 TS的 脚+ LVS和HV与桥路控制电路施加相同的低电源电压,脚LVS连接到系统地。以系统地为参考,该桥路可在450 V 最大值 的负电压下操作,同时“H”桥的输出状态与IC脚ESTDR

12、上的控制信号相关。这样,在HID灯点火时, 电路会产生一个非常大的EMC尖峰脉冲,同时在全桥MOSFET(LL、LR、HR和HL)的栅极上会产生非常高的瞬 态电压或振荡。当MOSFET栅极直接与IC内的输出驱动器输出(脚GHR、GHL、GHL和GLL )直接耦合时,驱 动器输出会产生电压过冲击。为削弱驱动器输出的过应力,可在每只MOSFET栅极上串联一只最小值不低于100Q的电阻,并并联一只高速开关二极管(如IN4148)。如果每只MOSFET的栅极电荷为QG,那么当桥路频率为fbridge时,4只MOSFET的总栅极电流IG为4 fbrigeQG。该电流可由内部低压电源(VDD)来提供。由于VDD提供的最大电流被内部保护电路限制在11mA,因此,为了防止电流供应不足,设计时应附加一个辅助低压电源。UEA 2 0 3 2的同类器件还有U- BA 2 0 3 0和UBA 2 0 3 3 等。

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