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1、知识点汇总(未完善)前言：所涉及知识点均在重点范围内，第七、八章内容还未整理，我尽量及时更新。有利于考前复习，可能不适于做小抄。基本常识：光通量-lm；照度-lx；亮度-sb；光强-cd重点简录：1、P33,量子效率，6 量子效率 2、P52(5)，由禁带宽度Eg计算长波限长波限理论值小于实际值原因：1在实际中短波更易被吸收。2随温度的升高而向短波方向移动3、P52(6)，光敏电阻，10光电导灵敏度 (亮电导 = 光电导+暗电导，因为光敏电阻是正偏的)4、 P75，光电二极管，10 )(亮电流(总电流) = 暗电流 + 光电流，因为光电二极管是正偏的)5、P89，放大倍数，1012详尽考点：C
2、hapter 2电致发光即场致发光，顾名思义，它是固体发光材料在电场激发下发光的一种现象，是将电能直接转化为光能的过程。具体过程：物质中的原子受到电子轰击，使原子中的电子获得动能，由低能态跃迁到高能态；当它由受激状态回复到正常状态时，就会发出辐射。LED发光机理 P22 (就是电致发光)当给发光二极管的PN结加正向电压时，外加电场将削弱内建电场，使空间电荷区变窄，载流子的扩散运动加强。由于电子迁移率总是远大于空穴的迁移率，因此电子由N区扩散到P区是载流子扩散运动的主体。当导带中的电子与价带中的空穴复合时，电子由高能级跃迁到低能级；电子将多余的能量以发射光子的形式释放出来，产生电致发光现象。外光
3、电效应：器件外有电子或光电子产生，如光电倍增管。内光电效应：实际影响的是电压或电导，如光电池，光电二极管Chapter 3P33,量子效率，6 量子效率 单位时间内被光子激励的光电子数(电流I是单位时间的电荷量)单位时间内入射到探测器表面的光子数(功率P是单位时间的能量)光电转换因子，上式即为光电转换定律。噪声等效功率NEP(Noise Equal Power)：当输出信号电流跟噪声一样大时对应的入射光功率。NEP总是越小越好(你可以这么想，噪声是越小越好的，所以噪声等效功率也一样。)。NEP = (S表示Signal(信号)，N表示Noise(噪声)光电导效应：入射光强改变物质导电率的物理现
4、象。当光子能量大于禁带宽度(也因此有了长波限这个概念)，也就是电子有足够的钱过河(禁带)，价带中的电子跨过护城河(禁带)到了导带，留下老婆(空穴)，然后老婆空虚寂寞冷，离婚率(电导率)就增加了。(这个是某总打的比喻)由禁带宽度Eg计算长波限P52(6)，光敏电阻，10光电导灵敏度 (G为光电导，E为光照度，同样E、P可互换)亮电导 = 光电导+暗电导，即 (可以这么记，月球本来是暗的，受到光照后就变亮了，成为了月亮。p 即photo(光)，d即dim(暗)，注意这是正偏的情况。)Chapter 4P75，光电二极管，10(更详细的解析法见百度文库)(哪位兄台拍个清晰的把它改了吧) )(亮电流(
5、总电流) = 暗电流 + 光电流。试从几何意义上理解。) GL负载电导Ub偏置电压(就是那个两杠电池符号。也就是外加电压。可以让光电二极管工作在反向偏置状态)max最大光通量（光通量，光功率P，光照度E在这个问题上是等价的，题目给什么条件，就用什么来代入。）用途：当其他条件已知，上式可用于计算初始电导G0或转折电压U0。也可以求解负载电导GL与RL.(RL=1/GL)。另：1.当光通量改变时，只要将上式中的U0改为U，max改为max即：(可用于计算电压改变量和电流改变量U，不要告诉我说你不知道I=GLU)2. 最大线性输出负载线：过偏置电压和转折点M所做直线在第一象限的部分。也就是倾斜方向明
6、显跟其他线段不一样的那根。3. 补充知识点：一般下标L表示Load(负载)，下标b表示bias(偏置，线偏振的偏也是这个bias)。光电池(Uoc，Isc该部分公式未整理)Chapter 5负电子亲和势：电子处于随时可以脱离的状态，用电子亲和势为负值的材料制作的光电阴极，由光子激发出的电子只要能扩散到表面就能逸出，因此灵敏度极高。(电子亲和势指的是半导体导带底部到真空能级间的能量值，它表征材料在发生光电效应时，电子逸出材料的难易程度。电子亲和势越小，就越容易逸出。)P89，放大倍数，1012(记忆技巧：PK，去P的是阳极，被K的是阴极，跟SM是一回事)0电子光学系统收集率 倍增级收集率二次电子发射系数Chapter 6电荷耦合器件分为表面沟道CCD(SCCD)和体沟道或埋沟道器件(BCCD)。(多容易记，S与B的组合，S表Surface(表面)，B表Bury(埋)胖零：即使是零信号，势阱中也有一定量的电荷，从而减少损耗，提高转移效率。Chapter 7(待续。)唐衣可俊整理
