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1、泓域咨询/云南湿电子化学品项目建议书目录第一章 项目建设背景及必要性分析9一、 硅片9二、 陶瓷基板14三、 找准深度融入“大循环、双循环”切入点16四、 加快建设我国面向南亚东南亚辐射中心17五、 项目实施的必要性20第二章 项目基本情况21一、 项目名称及建设性质21二、 项目承办单位21三、 项目定位及建设理由22四、 报告编制说明24五、 项目建设选址26六、 项目生产规模27七、 建筑物建设规模27八、 环境影响27九、 项目总投资及资金构成27十、 资金筹措方案28十一、 项目预期经济效益规划目标28十二、 项目建设进度规划29主要经济指标一览表29第三章 项目承办单位基本情况32
2、一、 公司基本信息32二、 公司简介32三、 公司竞争优势33四、 公司主要财务数据35公司合并资产负债表主要数据35公司合并利润表主要数据35五、 核心人员介绍36六、 经营宗旨37七、 公司发展规划37第四章 建设内容与产品方案39一、 建设规模及主要建设内容39二、 产品规划方案及生产纲领39产品规划方案一览表40第五章 建筑技术方案说明41一、 项目工程设计总体要求41二、 建设方案43三、 建筑工程建设指标44建筑工程投资一览表45第六章 SWOT分析说明46一、 优势分析（S）46二、 劣势分析（W）48三、 机会分析（O）48四、 威胁分析（T）50第七章 法人治理58一、 股东
3、权利及义务58二、 董事60三、 高级管理人员64四、 监事66第八章 发展规划69一、 公司发展规划69二、 保障措施70第九章 原辅材料供应、成品管理73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十章 项目规划进度74一、 项目进度安排74项目实施进度计划一览表74二、 项目实施保障措施75第十一章 项目环境影响分析76一、 环境保护综述76二、 建设期大气环境影响分析77三、 建设期水环境影响分析77四、 建设期固体废弃物环境影响分析78五、 建设期声环境影响分析78六、 环境影响综合评价80第十二章 劳动安全生产分析81一、 编制依据81二、 防范
4、措施82三、 预期效果评价88第十三章 技术方案分析89一、 企业技术研发分析89二、 项目技术工艺分析92三、 质量管理93四、 设备选型方案94主要设备购置一览表95第十四章 节能说明96一、 项目节能概述96二、 能源消费种类和数量分析97能耗分析一览表98三、 项目节能措施98四、 节能综合评价100第十五章 投资计划方案101一、 投资估算的依据和说明101二、 建设投资估算102建设投资估算表104三、 建设期利息104建设期利息估算表104四、 流动资金105流动资金估算表106五、 总投资107总投资及构成一览表107六、 资金筹措与投资计划108项目投资计划与资金筹措一览表1
5、08第十六章 经济效益110一、 基本假设及基础参数选取110二、 经济评价财务测算110营业收入、税金及附加和增值税估算表110综合总成本费用估算表112利润及利润分配表114三、 项目盈利能力分析114项目投资现金流量表116四、 财务生存能力分析117五、 偿债能力分析117借款还本付息计划表119六、 经济评价结论119第十七章 招投标方案120一、 项目招标依据120二、 项目招标范围120三、 招标要求120四、 招标组织方式121五、 招标信息发布124第十八章 总结评价说明125第十九章 附表127建设投资估算表127建设期利息估算表127固定资产投资估算表128流动资金估算表
6、129总投资及构成一览表130项目投资计划与资金筹措一览表131营业收入、税金及附加和增值税估算表132综合总成本费用估算表132固定资产折旧费估算表133无形资产和其他资产摊销估算表134利润及利润分配表134项目投资现金流量表135报告说明按照代际，可分为第一代、第二代和第三代。1）第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。主要用于制造集成电路，并广泛应用于手机、电脑、平板、可穿戴、电视、航空航天以及新能源车、光伏等产业。2）第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半
7、导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料，广泛应用于卫星通讯、移动通讯、光通信和GPS导航等领域。3）第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带（Eg2.3eV）半导体材料。主要应用于半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器等。相比于第一代、第二代半导体材料，第三代半导体材料禁带宽度更宽，击穿电场更高、热导率更高、电子饱和速率更高
8、、抗辐射能力更强，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料，也称为高温半导体材料。整体而言，全球半导体依然以硅材料为主，目前95%以上的半导体器件和99%以上的集成电路都是由硅材料制作。根据谨慎财务估算，项目总投资17742.39万元，其中：建设投资14133.37万元，占项目总投资的79.66%；建设期利息285.79万元，占项目总投资的1.61%；流动资金3323.23万元，占项目总投资的18.73%。项目正常运营每年营业收入34400.00万元，综合总成本费用27225.56万元，净利润5247.28万元，财务内部收益率21.98%，财务净现值5388
9、.48万元，全部投资回收期5.83年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。此项目建设条件良好，可利用当地丰富的水、电资源以及便利的生产、生活辅助设施，项目投资省、见效快；此项目贯彻“先进适用、稳妥可靠、经济合理、低耗优质”的原则，技术先进，成熟可靠，投产后可保证达到预定的设计目标。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 项目建设背景及必要性分析一、 硅片硅基半导体材料是目前产量最大、应用最广的半导体材料，通常将95-99%纯度的硅称
10、为工业硅。沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，可制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达99.9999999%至99.999999999%（9-11个9）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在石英坩埚中熔化，并掺入硼（P）、磷（B）等元素改变其导电能力，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，便生长出具有特定电性功能的单晶硅锭。单晶硅的制备方法通常有直拉法（CZ）和区熔法（FZ），直拉法硅片主要用在逻辑、存储芯片中，市占率约95%，区熔法硅片主要用在部分功率芯片中，市占率约4%。熔体的温度、提拉速度和籽晶/石英坩埚的旋转速度决定了单晶硅锭的尺寸和晶体质量，掺杂的硼（P）、磷（B）等杂质元素浓度决定了单
11、晶硅锭的电特性。单晶硅锭制备好后，再经过切段、滚磨、切片、倒角、抛光、激光刻、包装后，便成为硅片。根据纯度不同，分为半导体硅片和光伏硅片，半导体硅片要求硅含量为9N（99.9999999%）-11N（99.999999999%），而光伏用硅片一般在4N-6N之间即可，下游应用主要包括消费电子、通信、汽车、航空航天、医疗、太阳能等领域。硅片制备好之后，再经过一列热处理、光刻、刻蚀、薄膜沉积、清洗、CMP、测试等环节，便可成功制得硅晶圆，具体分为几部分：1）晶圆：制作半导体集成电路的核心原料板；2）Die：晶圆上有很多小方块，每一个正方形是一个集成电路芯片；3）划线：这些芯片之间实际上有间隙，这个
12、间距叫做划线，划线的目的是在晶圆加工后将每个芯片切割出来并组装成一个芯片；4）平区：引入平区是为了识别晶圆结构，并作为晶圆加工的参考线。由于晶圆片的结构太小，肉眼无法看到，所以晶圆片的方向就是根据这个平面区域来确定的；5）切口：带有切口的晶圆最近已经取代了平面区域，因为切口晶圆比平区晶圆效率更高，可以生产更多的芯片。半导体硅片通常可以按照尺寸、工艺两种方式进行分类。按照尺寸分类，半导体硅片的尺寸（以直径计算）主要包括23mm、25mm、28mm、50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、125mm（5英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）与300mm（12英寸）
13、等规格。自1960年生产出23mm的硅片之后，硅片尺寸就越来越大，到2002年已经可以量产300mm（12英寸）硅片，厚度则达到了历史新高775m。当硅片尺寸越大，单个硅片上的芯片数量就越多，从而能够提高生产效率、降低生产成本。300mm硅片是200mm硅片面积的2.25倍，生产芯片数量方面，根据SiliconCrystalStructureandGrowth数据，以1.5cm1.5cm的芯片为例，300mm硅片芯片数量232颗，200mm硅片芯片数量88颗，300mm硅片是200mm硅片芯片数量的2.64倍。根据应用领域的不同，越先进的工艺制程往往使用更大尺寸的硅片生产。因此，在摩尔定律的驱
14、动下，工艺制程越先进，生产用的半导体硅片尺寸就越大。目前全球半导体硅片以12英寸为主，根据SEMI数据，2020年全球硅片12英寸占比69%，8英寸占比24%，6英寸及以下占比7%。未来随着新增12英寸晶圆厂不断投产，未来较长的时间内，12英寸仍将是半导体硅片的主流品种，小尺寸硅片将逐渐被淘汰，但是8英寸短期仍不会被12英寸替代。目前量产硅片止步300mm，而450mm硅片迟迟未商用量产，主要原因是制备450mm硅片需要大幅增加设备及制造成本，但是SEMI曾预测每个450mm晶圆厂单位面积芯片成本只下降8%，此时晶圆尺寸不再是降低成本的主要途径，因此厂商难以有动力投入450mm量产。全球8英寸
15、和12英寸硅片下游应用侧重有所不同，根据SUMCO数据，2020年8英寸半导体硅片下游应用中，汽车/工业/智能手机分列前3名，占比分别为33%/27%/19%；2020年12英寸半导体硅片下游应用中，智能手机/服务器/PC或平板分列前3名，占比分别为32%/24%/20%。按照制造工艺分类，半导体硅片分为抛光片、外延片以及SOI硅片。单晶硅锭经过切割、研磨和抛光处理后，便得到抛光片。抛光片本身可直接用于制作半导体器件，广泛应用于存储芯片与功率器件等，此外也可作为外延片、SOI硅片的衬底材料。外延是通过CVD的方式在抛光面上生长一层或多层掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层。因此外延片是抛光片经过外延生长形成的，外延技术可以减少硅片中因单晶生长产生的缺陷，具有更低的缺陷密度、含碳量和含氧量，能够改善沟道漏电现象，提高IC可靠性，
