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1、2016年存储芯片竞争格局分析报告2016年7月出版正文目录1、哪里有数据，哪里就需要存储！61.1、DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 是三大主流存储器61.2、存储产业链：IDM 模式占据主导，生产制造能力很重要72、基于自主可控的需求才是政策强推的根本原因82.1、存储关乎安全，自主可控势在必行82.1.1、存储是信息安全的根基，自主可控方能保障安全82.1.2、存储芯片依赖于进口，国产替代需求空间大92.2、存储芯片四大特性导致国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克102.2.1、技术差距大102.2.2、行业集中度高112.2.3、周期性强122.2.4、资金投入大
2、142.3、存储芯片突围，国家重点支持，直面主战场152.3.1、抓技术152.3.2、拼规模172.4、攻克存储芯片进行时，建议中国政府持续加大政策支持182.4.1、国家意志下，国内多方力量已着手攻克存储芯片182.4.2、发展策略193、NAND FLASH：前景广阔，3D NAND FLASH 有望实现中国弯道超车193.1、移动应用和SSD 是NAND FLASH 需求最大两大领域193.2、SSD 替代HHD 是长久趋势，可引爆NAND FLASH 市场需求203.2.1、SSD 性能优越，替代HHD 是长久趋势203.2.2、HHD 仍是主流存储介质，SSD 替代将引爆NAND
3、FLASH 市场需求243.3、移动存储配置多样，“容量提升+价格下降”推动NAND FLASH需求量继续增加273.3.1、移动终端的存储配置多式多样，NAND FLASH 决定了终端存储容量273.3.2、容量提升+价格下降，移动终端NAND FLASH 需求量继续增加283.4、NAND FLASH 开展新一轮的扩产，3D NAND FLASH 有望实现中国弯道超车293.4.1、从2D 到3D NAND FLASH 全面转型，3D NAND FLASH 成为趋势293.4.2、3D NAND FLASH 时代，中国厂商弯道超车机会来临314、DRAM：市场需求稳中有升，中国厂商参与有望
4、打破格局324.1、移动端和企业端应用需求将进一步提升，总体需求稳中有升324.1.1、移动端和企业端应用需求量将进一步提升324.1.2、新市场尚未打开，短期DRAM 需求稳中有升344.2、中国厂商参与有望打破DRAM 格局355、投资策略及相关公司分析375.1、投资策略375.2、主要公司375.2.1、深科技：收购沛顿科技，占据存储封测制高点375.2.2、紫光国芯：国家存储意志的先头兵385.2.3、兆易创新：NOR Flash 领导者38图表目录图表 1：存储芯片发展路线图6图表 2：存储芯片工艺技术路线图6图表 3：2014 年DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH
5、 产值在存储芯片的占比7图表 4：Samsung、SK Hynix、Micron 等巨头均采用IDM 模式8图表 5：仅2015 年第一季度发生多起信息存储安全事件9图表 6：存储介质和存储控制芯片是存储信息安全的关键9图表 7：我国存储芯片与国外制造工艺对比，差距非常巨大10图表 8：2014Q4 NAND FLASH 厂商结构11图表 9：2015Q2 DRAM 厂商结构11图表 10：2008 到2014 年，存储市场厂商集中度进一步提升12图表 11：4-5 家竞争格局+扩产/减产，导致存储产业巨幅波动性13图表 12：Samsung、SK Hynix、Micron、Toshiba、S
6、andisk 新一轮扩产计划13图表 13：2015 年存储占半导体产业的支出为最高，达38%14图表 14：2015 年存储厂商资本支出明显上升14图表 15：半导体存储技术美国专利演变态势16图表 16：主流存储器技术美国专利领先申请人的情况16图表 17：仅2015 年第一季度发生多起信息存储安全事件17图表 18：2014 年 NAND FLASH 下游应用情况20图表 19：HHD（机械硬盘）21图表 20：SSD（固态硬盘）21图表 21：SSD 性能远优越于HHD22图表 22：短期SSD 价格高企，普及应用难度较大，长期在技术效应和规模效应下价格降快速下降22图表 23：201
7、2-2015年SSD 价格下降了一半23图表 24：华为FusionServer RH8100 V3 机架服务器采用SSD24图表 25：SSD 助力数据中心高性能、低功耗24图表 26：2010 年之后WDC 和Seagate 的收入均开始下滑25图表 27：1976-2014 年机械硬盘出货情况，2010 年出现拐点开始下滑，而SSD 在2010 之后5 年复合增速69.3%25图表 28：2014-2017 年，笔记本电脑SSD 渗透率持续提高25图表 29：NAND FLASH 在SSD 里面的应用26图表 30：预计2022 年全球SSD 市场规模或达2295 亿美元,年均增长复合率
8、40.7%27图表 31：智能手机中各种Memory 的集成形式，以及eMMC 的主要构成28图表 32：苹果和三星历代旗舰手机的最大ROM 不断提升28图表 33：近2 年eMMC 市场平均价格下降了一半，随着eMMC 价格下降，将会导入更多新的终端应用产品29图表 34：3D 解决了NAND FLASH 产品的极限困境29图表 35：存储厂商开始全面向3D NAND 转型30图表 36：各大存储厂商扩产3D NAND FLASH 情况30图表 37：2014 年DRAM 下游应用结构32图表 38：移动和企业市场的比例将增加33图表 39：电脑用的DRAM（DDR）性能不断提升33图表 4
9、0：手机/平板用的DRAM（LPDDR）性能不断提升33图表 41：2005-2015 年DRAM 全球市场规模34图表 42：2015Q3 单季度DRAM 市场情况35图表 43：存储产业整合不断，DRAM 厂商数量大幅减少，形成了三足鼎立的寡头垄断局面36图表 44：DRAM 的投资占其销售额的比重不断下降，投资趋于疲软36存储与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存储产业与信息安全等息息相关。全球存储芯片总产值约800 亿美元，其中DRAM 市场457亿美元，NAND FLASH 市场产值306 亿美元，NOR FLASH 市场产值33
10、 亿美元，存储芯片市场空间巨大。存储关乎安全，基于自主可控的需求才是政策强推的根本原因。近年来，信息存储安全事件频发，信息存储安全一旦受到威胁，将危害到党政军、石油、化工、核能、金融等所有行业的发展，是国家安全整体战略的重要环节。而目前我国储芯片空白，几乎100%依赖进口，信息安全形势严峻。因此，我国必须强力推动存储芯片国产化的发展。存储芯片具有技术差距大、行业集中度高、周期性强、资金投入大四大特性，国产化任务艰巨，国内单一企业力量难以攻克，国家意志正强力推进存储芯片国产化。目前，紫光600 亿元投入存储芯片工厂，未来将投资300 亿美元主攻存储器芯片制造；武汉新芯240亿美元打造存储器基地；
11、福建晋华集成电路与联电合作开发32 纳米制程的利基型DRAM，投资370 亿元发展存储芯片；合肥投资460亿元建设DRAM 工厂。可以看到，在国家意志下，国内多方力量已经着手推进存储芯片国产化。我们也建议中国政府从技术合作、人才支持、系统整合、产业链配套等多角度全方位持续地加大对存储芯片的支持力度。NAND FLASH 前景广阔，3D NAND FLASH 有望实现中国弯道超车。SSD 替代HHD 是长久趋势，可引爆NAND FLASH 市场需求。目前，NAND FLASH 正从2D 到3D 全面转型，而从2D 走到3D，需要新的技术领域加入，给中国厂商留下了突破的时间与空间。中国厂商若能整合
12、跨领域人才和技术，3D NAND FLASH 将成为中国存储芯片弯道超车切入点。DRAM 市场需求稳中有升，中国厂商参与有望打破格局。移动端和企业端应用进一步提升DRAM 需求量，DRAM 市场整体需求呈现稳中有升的态势。目前，DRAM 市场以Samsung、SK Hynix、Micron为主，未来几年中国厂商持续推进DRAM 项目有望打破市场格局。驱动因素、关键假设及主要预测：1、存储产业关乎国家半导体产业发展，关乎国家信息存储安全，国产化刻不容缓。存储芯片产值占半导体的22%，与微处理芯片并称为芯片行业皇冠上的明珠。目前，存储芯片主要被三星、英特尔、东芝等国外大厂垄断，国内几乎全部依赖进口
13、，而存储芯片作为存储信息介质设备，是信息安全的基石，随着国家经济实力不断提升，存储芯片国产化刻不容缓。2、国内市场广阔，存储新技术层出不穷，3D NAND FLASH 给予中国厂商发展新机遇。2015 年大陆DRAM 采购规模估计为120 亿美元、NAND Flash 采购规模为66.7 亿美元，各占全球DRAM 和NAND 供货量的21.6%和29.1%，这些存储芯片国内仍旧空白，几乎100%依赖进口。一旦国产厂商能够生产制造性能优越的存储芯片，政府将引导众多厂商将会纷纷采购国产存储存储芯片，其国产替代空间巨大。传统SRAM、ROM、DRAM、NAND FLASH 存储技术主要掌握在Sams
14、ung、Micron、Sandisk、Toshiba 等厂商手里，但FRAM、MRAM、PRAM、RRAM 等新兴存储技术仍处于起步阶段，各家仍在同一起跑线上。中国厂商在新存储技术布局较好，以RRAM（阻变存储器）为例，截至2014 年10 月30 日，在RRAM 领域，全球申请人共提交了4168 件专利申请，其中，中国申请人提交的专利申请量为410 件，位居第四位。中国厂商有望迎来发展机遇。SSD 替代HHD 是长久趋势，可引爆NAND FLASH 市场需求。目前，NAND FLASH 正从2D 到3D 全面转型，而从2D 走到3D，需要新的技术领域加入，给中国厂商留下了突破的时间与空间。中
15、国厂商若能整合跨领域人才和技术，3D NAND FLASH 将成为中国存储芯片弯道超车切入点。市场认为，存储产业波动性巨大，成长性较弱，且寡头垄断，中国厂商很难有所突破。其实在大数据时代下，HHD 响应时效遭遇虚拟化难题和随机存取挑战，SSD 替代HHD是长久趋势，而目前SSD 出货存储量远远低于HHD 出货存储量，这将打开NAND FLASH 的市场空间，未来成长无忧。当前存储产业是寡头垄断竞争的市场，但FRAM、MRAM、PRAM、RRAM 等替代存储技术的发展，加上国内市场需求大、中国政府的发展决心，中国厂商将迎来发展机遇。1、哪里有数据，哪里就需要存储！1.1、DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH 是三大主流存储器存储器（Memory）与中央处理器（CPU）、数字信号处理器（DSP）和可编程逻辑阵列器件（FPGA）并称四大高端通用芯片，是计算机系统的两大核心部件之一，是电子信息领域的重大战略性支柱产品。存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电
