电子技术基础l练习习题答案 (1)

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1、精品文档,仅供学习与交流,如有侵权请联系网站删除第1章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。3、PN结正向偏置

2、时,外电场的方向与内电场的方向 相反 ,有利于 多数载流子 的 扩散 运动而不利于 少数载流子 的 漂移 ;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向 一致 ,有利于 少子 的 漂移 运动而不利于 多子 的 扩散 ,这种情况下的电流称为 反向饱和 电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由 P 向 N 区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由 N 向 P 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 空间电荷区 ,其方向由 N 区指向 P 区。 空间电荷区 的建立,对多数载流子的 扩散 起削弱作用,对少子的 漂移 起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时, PN结 形成。5、检测

3、二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 R1K 档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的 阴 极;与黑表棒相接触的电极是二极管的 阳 极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 击穿 ;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 绝缘老化。7、稳压管是一种特殊物质制造的 面 接触型 硅晶体 二极管,正常工作应在特性曲线的 反向击穿 区。二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。 (错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 (对)3、用万用表测试

4、晶体管时,选择欧姆档R10K档位。 (错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致 ) (错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。 (错)6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。 (对)7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。 (错)8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必被击穿。 (错)9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 (错)10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。 (错)三、选择题:(每小题2分,共20分)1、单极型半导体器件是( C )。A、二极管; B、双极型三

5、极管; C、场效应管; D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。A、三价; B、四价; C、五价; D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是( C )。A、导通状态; B、截止状态; C、反向击穿状态; D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时,发现其正、反电阻均约等于1K,说明该二极管( C )。A、已经击穿; B、完好状态; C、内部老化不通; D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时,其正向电流是( A )而成。A、多子扩散; B、少子扩散; C、少子漂移; D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V,VB2.8V,VC4.4

6、V,说明此三极管处在( A )。A、放大区; B、饱和区; C、截止区; D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管的输入电流( C )。A、较大; B、较小; C、为零; D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为( C )。A、矩形方波; B、等腰三角波; C、正弦半波; D、仍为正弦波。9、三极管超过( C )所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM; B、集射极间反向击穿电压U(BR)CEO;C、集电极最大允许耗散功率PCM; D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是( C )A、发射结正偏、集电结正偏; B、发射结反偏、集电结反

7、偏;C、发射结正偏、集电结反偏; D、发射结反偏、集电结正偏。图1-293、图1-29所示电路中,已知E=5V,V,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R=0,反向阻断时电阻R=),试画出u0的波形。u/Vt0uiu0105答:分析:根据电路可知,当uiE时,二极管导通u0=ui,当uiE时,二极管截止时,u0=E。所以u0的波形图如下图所示:第2章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共21分)1、基本放大电路的三种组态分别是: 共发射极 放大电路、 共集电极 放大电路和 共基极 放大电路。2、放大电路应遵循的基本原则是: 发射 结正偏; 集电 结反偏。3、将放大

8、器 输出信号 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做 反馈 信号。使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 负 反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 正 反馈。放大电路中常用的负反馈类型有 电压串联 负反馈、 电流串联 负反馈、 电压并联 负反馈和 电流并联 负反馈。7、反馈电阻RE的数值通常为 几十至几千欧 ,它不但能够对直流信号产生 负反馈 作用,同样可对交流信号产生 负反馈 作用,从而造成电压增益下降过多。为了不使交流信号削弱,一般在RE的两端 并联一个约为几十微法的较大射极旁路电容CE 。8、放大电路有两种工作状态,当ui0时电路的状态称为

9、静 态,有交流信号ui输入时,放大电路的工作状态称为 动 态。在 动 态情况下,晶体管各极电压、电流均包含 直流 分量和 交流 分量。放大器的输入电阻越 大 ,就越能从前级信号源获得较大的电信号;输出电阻越 小 ,放大器带负载能力就越强。二、判断下列说法的正确与错误:(每小题1分,共19分)1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。 (错)2、放大电路中的所有电容器,起的作用均为通交隔直。 (对)3、射极输出器的电压放大倍数等于1,因此它在放大电路中作用不大。 (错)4、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。 (对)5、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直

10、流量上全部通过放大器。 (对)6、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。 (错)7、微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。 (对)8、共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180的反相关系。(错)9、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。 (错)10、基本放大电路通常都存在零点漂移现象。 (对)11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。 (错)12、差动放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。 (对)13、放大电路通常工作在小信号状态下,功放电路通常工作在极限状态下。 (对)14、输出端交流短路后仍有反馈信号存在,可断定为电流负反馈。

11、(对)15、共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。 (错)16、放大电路的集电极电流超过极限值ICM,就会造成管子烧损。 (错)17、共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。 (错)18、采用适当的静态起始电压,可达到消除功放电路中交越失真的目的。 (对)19、射极输出器是典型的电压串联负反馈放大电路。 (对)三、选择题:(每小题2分,共20分)1、基本放大电路中,经过晶体管的信号有(C)。A、直流成分; B、交流成分; C、交直流成分均有。2、基本放大电路中的主要放大对象是(B)。A、直流信号; B、交流信号; C、交直流信号均有。3、分压式偏置的共发射极放大电路中

12、,若VB点电位过高,电路易出现(B)。A、截止失真; B、饱和失真; C、晶体管被烧损。4、共发射极放大电路的反馈元件是(B)。A、电阻RB; B、电阻RE; C、电阻RC。5、功放首先考虑的问题是(A)。A、管子的工作效率; B、不失真问题; C、管子的极限参数。6、电压放大电路首先需要考虑的技术指标是(A)。A、放大电路的电压增益; B、不失真问题; C、管子的工作效率。7、射极输出器的输出电阻小,说明该电路的(A)A、带负载能力强; B、带负载能力差; C、减轻前级或信号源负荷。8、功放电路易出现的失真现象是(C)。A、饱和失真; B、截止失真; C、交越失真。9、基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近(B)。A、截止区; B、饱和区; C、死区。10、射极输出器是典型的(C)。A、电流串联负反馈; B、电压并联负反馈; C、电压串联负反馈。四、简答题:(共23分)1、共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么?(3分)答:RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。第4章 检测题 (共80

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