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1、热敏电阻器是敏感元件的一类，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻器（PTC）和负 温度系数热敏电阻器（NTC）。热敏电阻器的典型特点是对温度敏感，不同的温度下表现出 不同的电阻值。正温度系数热敏电阻器（PTC）在温度越高时电阻值越大，负温度系数热敏 电阻器（NTC）在温度越高时电阻值越低，它们同属于半导体器件。光敏电阻又称光导管，常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等 材料。这些材料在特定波长的光照射下，产生载流子参与导电，在外加电场的作用下作漂移 运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。压敏电阻是指在一定电流电压范围内电阻值随电压
2、而变，也 可以说是电阻值对电压敏感的阻器。浪涌抑制型：是指用于抑制雷电过电压和操作过电压等瞬态过电压的压敏电阻器，这种瞬态 过电压的出现是随机的，非周期的，电流电压的峰值可能很大。绝大多数压敏电阻器都属于 这一类。稳压二极管（又叫齐纳二极管）是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管，简称稳压管。此二 极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时， 在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性， 因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二极管是根据击穿电压来分档的。在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，
3、可以把较低的交流 电压，用耐压较低的整流二极管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般 按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。光电池是一种特殊的半导体二极管，能将可见光转化为直流电。有的光电池还可以将红外光 和紫外光转化为直流电。光电池是太阳能电力系统内部的一个组成部分，太阳能电力系统在 替代现在的电力能源方面正有着越来越重要的地位。最早的光电池是用掺杂的氧化硅来制作 的，掺杂的目的是为了影响电子或空穴的行为。其它的材料，例如CIS, CdTe和GaAs, 也已经被开发用来作为光电池的材料。有二种基本类型的半导体材料,分别叫做正电型（或 P型态）和负电
4、型（或N型态）。在一个PV电池中，这些材料的薄片被一起放置，而且他 们之间的实际交界叫做P-N节。通过这种结构方式，P-N节暴露于可见光，红外光或紫外 线下，当射线照射到P-N节的时候，在P-N节的两侧产生电压，这样连接到P型材料和N 型材料上的电极之间就会有电流通过。一套PV电池能被一起连接形成太阳的模组，行列 或面板。用来产生可用电能的PV电池就是光电伏特计。光电伏特计的主要优点之一是没有 污染，只需要装置和阳光就可工作。另外的一个优点是太阳能是无限的。一旦光电伏特计系 统被安装，它能提供在数年内提供能量而不需要花费，并且只需要最小的维护。光电池也叫太阳能电池，直接把太阳光转变成电。因此光
5、电池的特点是能够把地球从 太阳辐射中吸收的大量光能转化换成电能。光电二极管（Photo-Diode）和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件， 也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元件，而是把光信号转换成电信号的光电 传感器件。普通二极管在反向电压作用时处于截止状态，只能流过微弱的反向电流,光电二极管 在设计和制作时尽量使PN结的面积相对较大，以便接收入射光。光电二极管是在反向电压 作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流;有光照时，反向电流迅速增大 到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。光的变化引起光电二极管电流 变化，这就可以把光信号转换成电信
6、号，成为光电传感器件光电三极管是在光电二极管的基础上发展起来的光电器件，它本身具有放大功能。常 见的光电三极管外形如图I所示，文字符号表示为VT或V。目前的光电三极管是采用硅材料制作而成的。这是由于硅元件较锗元件有小得多的暗 电流和较小的温度系数。硅光电三极管是用N型硅单晶做成NPN结构的。管芯基区面 积做得较大，发射区面积却做得较小，入射光线主要被基区吸收。与光电二极管一样，入射 光在基区中激发出电子与空穴。在基区漂移场的作用下，电子被拉向集电区，而空穴被积聚 在靠近发射区的一边。由于空穴的积累而引起发射区势垒的降低，其结果相当于在发射区两 端加上一个正向电压，从而引起了倍率为卩+1（相当于
7、三极管共发射极电路中的电流增益）的 电子注入，这就是硅光电三极管的工作原理。在交流电路中，电压与电流之间的相位差（）的余弦叫做功率因数，用符号cos表示,在数值上，功率因数是有功功率和视在功率的比值，即cosO=P/S功率因数的大小与电路的负荷性质有关，如白炽灯泡、电阻炉等电阻负荷的功率因数 为1, 一般具有电感性负载的电路功率因数都小于1。功率因数是电力系统的一个重要的技 术数据。功率因数是衡量电气设备效率高低的一个系数。功率因数低，说明电路用于交变磁 场转换的无功功率大,从而降低了设备的利用率，增加了线路供电损失1。2金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Ox
8、ide-Semic on ductor Field-Effect Tra nsistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体 管(field-effect transistor)。MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为 n-type 与 p-type 的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET 等。这个是二极管的重要指标，所谓的快恢复，慢恢复二极管就是以此为标准。二极管在从正 偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰 值，然后下降到零。那么其上升下降的时间就是反向恢复时间，峰值电流就是反向恢复电流。 这个在高频率的应用中会带来很大损耗。而反向恢复时间和电流和二极管截止时，正向电流 的下降速率正相关。解决这个问题，一就是用恢复时间更快的二极管，二是采用ZCS方式 关断二极管。
