模拟电子技术基础试卷1答案

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1、院(系)专业班级姓名学号密封线得分评卷人模拟电子技术基础试卷1 答案题号三四五总分得分一、填空题(请将答案填在相应的答题线上。每空2分,共22分)1在本征半导体中加入五价元素可以形成N 型半导体。2当温度升高时晶体管的反向饱和电流I 将 增大 。(填“增大”或者“减小”或者“不变”)。CBO3电路如图1-1所示,设二极管导通电压UD = 0.7 V,则该电路的输出电压值U二V。4电路如图1-2所回示,则该电路输出电压u与输入电压u的关系为RC址。O1u。= - RC dt15已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示,则其中频电压放大倍数I A I为 100 ,电路的um下限频率f =10

2、 Hz。L6按照滤波电路的工作频率,通过某一频率范围的信号,频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均被阻止的滤波器称为.带通滤波器。7正弦波振荡电路的平衡条件为.A F= i8正弦波振荡电路按选频网络所用元件可分为RC、RL和石英晶体三种电路,其中 石英晶体振荡电路的振荡频率最为稳定。9直流稳压电源由.整流电路、滤波电路和稳压电路组成。10在串联型线性稳压电源中,调整管、基准电压电路、输出电压采样电路和比较放大电路是基本组成部分。院(系)专业班级姓名学号得分评卷人密封线二、单项选择题(从下列各小题的四个备选答案中,选出一个正确答案,并将其代号填在 答题线上。每小题3分,共18分) 1工作在放大

3、区的某三极管,如果当I从12|iA增大到22|iA时,/从1mA变为2mA,那么它的B约为 BBCA109B100C91D832-两个B相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为C 。A. BB. 2 BC. 0 2D. 003集成运放的互补输出级采用共集接法的原因是 DA.频带宽B放大电压的能力强C输入电阻大D.带负载能力强4. 放大电路中引入交流负反馈后,其性能会地得到多方面的改善,下列表述中不正确的是CA可以稳定放大倍数B可以改变输入电阻和输出电阻C使频带变窄D.可以减小非线性失真5 - LC正弦波振荡电路中选频网络在f = f =1 时呈 A0 2n4LCA阻性B感性C容性D无法确定

4、6-在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器副边电压有效值U为10V,测得输出电压平均值、可能的 2 O(AV)数值为 B _。得分评卷人A.14VB.12VC.9VD.三、判断题(判断以下论述的正误,认为正确的就在相应答题位置打“丿”,错误的打“X”。每小题1分,共10分)(V )X)V)V)X)1. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。2. 只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。3. 处于放大状态的晶体管,其发射极电流是多子扩散运动形成的。4. 场效应管是由电压即电场来控制电流的器件。5. 功率放大电路中,输出功率越大,功放管的功耗越大。6. 电压反馈能稳定输出电压,电流反馈能

5、稳定输出电流。(X)7. 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多,引入负反馈后越容易产生低频自激振荡。(V8. 只要满足正弦波振荡的相位条件,电路就一定能振荡。(X)9放大电路产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。10在滞回比较器中,当输入信号变化方向不同时其阈值将不同。院(系)专业班级姓名学号密封线得分评卷人四、计算题(写出主要计算步骤及结果。第1,5 小题 12 分,第2 小题 10 分,第3,4 小题各8 分,共50 分)bb1.电路如图 4-1 所示,晶体管的 0= 100 , U = 0.7 V, r 二 100 0, V 二 12V, R = 565 kQ, R = 3

6、 kQ。1)计算电路的静态工作点;BEbbCCBC2)3)若负载电阻R = 3 kQ,求A、R和R。Luio解:(1)电路的静态工作点V=CCBQ RC-U beq =1207 mA = 20pA,I =0 I = 20mA565CQ BQU 二 V -1 R 二(12 2 X 3)V 二 6VCEQ CC CQ C-(3 分)当负载电阻Rl 时,因1 VCC %11 UCEQ UCES1,所以电路的最大不失真输出电压的有效值为1 cfQ CFS 1 =06沁3.82V若负载电阻R,晶体管饱和压降U= 0.6V,试计算电路的最大不失真输出电压的有效值。LCES3 分)图 4-1若Rl = 3

7、kQ,电路的交流等效电路如图所示,(图略)则 r = r + (1+ 0 ) t q 1.41kQ, A = - (*c -106, R = R /r 沁 1.41kQ, Rbe bbIuri B beEQCrbe= R = 3kQ 。C6 分)2.在如图4-2所示的电路参数理想对称,晶体管的0 = 100 , r = 100 Q,bbU =0.7V, R =10kQ, R =5.1kQ,BEQceR = 100 Q,V = 12V,V = 6V,试计算R滑动端在中点时WCCEEW管和-管的发射极静态电流鳥,以及动态参数A。和R。解:R滑动端在中点时T管和T管的发射极静态电流I如下:W 1 2

8、 EQRU +1 7 + 21 R = VBEQ EQ 2 EQ e EE4 分)V - U_BEQ 沁 0.517mAEQRw + 2 R2eA 和 R 分析如下:dir = r + (1+ B ) t 沁 5.18kQbe bb IEQA =-BRc 沁 97.75dr + (1+ PR 二 2r + (1+ P )R 沁 20.5kQ(6 分)ibeW图 4-2院(系)专业班级姓名学号密封线3电路如图 4-3 所示。(1) 判断电路中引入了哪种组态的交流负反馈(2)求出在深度负反馈条件下的Af和A f。fuf解:(1)电压串联负反馈;分)R(2)因为Uf =1 U,则 Ff R + R

9、o12在深度负反馈条件下,Aufu=f = uu u oU 1o uU FiuuR1R + R125分)图 4-3分)图 4-4 5OCL 功率放大电路如图 4-5 所示。(1)静态时,输出电压 u 应是多少调整哪个电阻能满足这一要求o2)动态时,若输出电压波形出现交越失真,应调整哪个电阻如何调整(3)设V二15V,输入电压为正弦波,晶体管的饱和管压降CCUceS = 3 V,负载电阻R二4 Q。试求负载上可能获得的最大功率P和效率耳。om解:(1)静态时,输出电压U = 0,调整R或R3可满足要求。(3o13分)(2) 应 调 整 R , 增 大 R 即 可 。22(3 分)(3)负载上可能获得的最大功率为(V - U)2CC CES -2 RL(15 - 3)22 x 4效率为耳CCCES12-3沁-x 78.5% 二 62.8% 12CCR3D2Uo6 分)图 4-5

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