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1、电力电子技术试题及答案王兆安十八考试试卷十八一、填空题（每空1分，共10分）1、晶闸管变流器主电路要求触发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能2、在实际应用中流过晶闸管的电流波形多种多样，其电流波形的有效值I与平均值Id之比，称为这个电流的波形系数，在正弦半波情况下电流波形系数为。3、为了保证三相整流桥合闸后共阴极组和共阳极组各有一晶闸管导电，或者由于电流断续后能再次导通，必须对两组中应导通的一对晶闸管同时给出触发脉冲。为此，可以 采取两种方法：一是，二是。4、单相交流调压电路阻感负载，设负载阻抗角为，则触发角a的移相范围应为5、造成在不加门极触发控制信号即能使晶闸管从阻断状态转为导通
2、状态的非正常转折，有两种因素：一是阳极电压上升率du/dt太快，二是。 6、电力电子学是、和交叉而形成的边缘科学。7、三相桥式全控整流电路大电感负载时，晶闸管脉冲每隔度发放一次。 二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（）A增加晶闸管的导电能力B抑制温漂C增加输出电压的稳定性D防止失控现象的产生2、晶闸管通态平均电流IT（AV）与其对应有效值I的比值为（ ）A、1.57B、1/1.57C、1.75D、1/1.173、对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（）A、a无法确定B、0.54、电阻性负载三相半
3、波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、30 150B、0 120C、15。125D、0 1505、在以下各种过流保护方法中，动作速度排在第一位的是（ ）A、快速熔断器过流保护B、过流继电器保护C、快速开关过流保护D、反馈控制过流保护6、逆变电路是一种（）变换电路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC7、晶闸管由导通到关断的条件（）A、晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B、晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住 电流C、晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 D、晶闸管阳极电流小于晶闸管的维 持电流8、单相全控桥式整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（）A、U2 B、U2 C、
4、2U2 D、U29、三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90B、120C、150D、18010、对于感性负载单相交流调压电路，控制角正确移相范围的是（）A、a的移项 范围为00000C、 a的移项范围为0三、简答题（本题共4小题，每题5分，共20分）1、晶闸管主电路对触发电路的要求是什么？（5分）2、晶闸管的额定电流IT（AV）、维持电流IH和擎住电流IL是如何定义？（5分）3、简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么？（5分）4、单相桥式和三相半波可控整流器流电路大电感负载时，负载电流Id都是40A，试 问晶闸管中电流的平均值、有效值各是多少？（5分）四、作图题
5、（本题共2小题，每小题10分，共20分）1、单相半全控桥带大电感性负载，试画出a=30时Ud、Id、12、UVT2各波形（下图波形幅值为相电压，不考虑失控现象）。U22、试画出三相半波可控整流电路（电感性负载），画a=30时，整流输出电压Ud 的波形和Id、IVT1、UVT1各波形（下图波形幅值为相线电压）。五、计算题（本题共2小题，共20分）1、三相半波可控整流电路，LR,R=4Q，要求Ud从0220V之间变化。试求： 1）、不考虑控制角裕量时的，整流变压器二次线电压。2）、计算晶闸管额定电压，电流值，如电压，电流裕量取2倍，选择晶闸管型号。3）、变压器二次电流有效值12。（10分）2、已知
6、流过晶闸管的电流波形和波形系数Kf值，若要求平均电流均为80A，求晶闸管的通态额定平均电流。（暂不考虑余量）（10分）I Kf = 2.22 I Kf=1.41 n I 2n st n 2n st Kf=1.73 2/3 n2n st六、分析题（本题共2小题，共20分）1、三相全控桥阻感负载，主回路整流变压器的接法是/Y1,采用NPN管的锯齿波 触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后（滞后角 为60）接到触发电路。试问：同步变压器的的接法为？画出主回路整流变压器和同步变 压器接法。（要求给出矢量分析图） （10分）2、电路如图，试画出该逆变器1200导通型三相
7、逆变器电压波形（UA0、UBO、UC0、UAB）。 （10分）+ V1 V3 V5 V4 V6 V2 - RA RB O RC试卷参考答案及评分标准（ 18 卷）课程名称： 电力电子技术 选课课号： 适用专 业/年级： 抽（命）题人： 考试方式： 闭 卷 卷面总分： 100 分 一、填空题：（本题共7小题，每空1分， 共10分）1、陡峭。 2、Kf波形系数。3、双脉冲、宽脉冲 4、 VaV1800 5、阳极电压超过额定值。6、电子学、电力学、控制理论。 7、600。8、空1三相半波。9、空1大于300。10、空1 900。11、空1降低。12、空1电网。13、空1反极性。14、空 130035
8、0。15、空1 fc/fr。 16、空1阻容电路。 17、空1脉冲宽度调制；空2频率调制；空3混合 调制。 二、选择题：（本题共10小题，每小题1分，共10分） 1、（D） 2、（A）3、（C）4、（D）5、（D）6、（B）7、（D）8、（B）9、（B）10、（C） 三、问答题：（本题共5小题，共25分） 1、（5分）答：（1） 发电路输出的脉冲应具有足够大的功率； （2） 触发电路必须满足主电路的 移相要求； （3） 触发电路必须与主电路保持同步。 2、（5分）答：1）在环境温度小于40C和标准散热及全导通的条件下，晶闸管可以连续导通的 工频正弦半波电流平均值称为通态平均电流IV（AV）或正
9、向平均电流，通常所说晶闸管是多 少安就是指这个电流。2）在室温且控制极开路时，维持晶闸管继续导通的最小电流称为维持电流IH。3）给晶闸管门极加上触发电压，当元件刚从阻断状态转为导通状态时就撤除触发电 压，此时元件维持导通所需要的最小阳极电流称为掣住电流IL。3、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）,绝缘栅双极型晶体管，是由 BJT（双 极型三极管）和M0S（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼 有M0SFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大, 但驱动电流较大;M0SFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 4、答：1）20A、28.36A2）13.33A、23.12A四、作图题：（本题共2小题，每小题10分，共20分）1、感谢您的阅读，祝您生活愉快。
