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1、电路设计步骤(1) 明确设计任务和要求。(2) 选择总体方案。(3) 设计单元电路。(4) 计算参数。(5) 选择元器件。(6) 绘制总体电路图。(7) 审查电路图。(8) 组装与调试。(9) 撰写设计报告开关电源电路设计步骤步骤1 确定开关电源的基本参数 交流输入电压最小值umin 交流输入电压最大值umax 电网频率Fl开关频率f 输出电压VO（V）：已知 输出功率PO（W）：已知 电源效率：一般取80 损耗分配系数Z：Z表示次级损耗与总损耗的比值，Z=0表示全部损耗发生在初级，Z=1表示发生在次级。一般取Z=0.5 步骤2 根据输出要求，选择反馈电路的类型以及反馈电压VFB 步骤3 根据
2、u，PO值确定输入滤波电容CIN、直流输入电压最小值VImin 令整流桥的响应时间tc=3ms 根据u，查处CIN值 得到Vimin 确定CIN,VImin值 u(V) PO(W) 比例系数(F/W) CIN(F) VImin(V) 固定输入:100/115 已知 23 (23)PO 90 通用输入:85265 已知 23 (23)PO 90 固定输入:23035 已知 1 PO 240 步骤4 根据u，确定VOR、VB 根据u由表查出VOR、VB值 由VB值来选择TVS u(V) 初级感应电压VOR(V) 钳位二极管 反向击穿电压VB(V) 固定输入:100/115 60 90 通用输入:8
3、5265 135 200 固定输入:23035 135 200 步骤5 根据Vimin和VOR来确定最大占空比Dmax 设定MOSFET的导通电压VDS(ON) 应在u=umin时确定Dmax值，Dmax随u升高而减小 步骤6 确定初级纹波电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP，KRP=IR/IP u(V) KRP 最小值(连续模式) 最大值(不连续模式) 固定输入:100/115 0.4 1 通用输入:85265 0.4 1 固定输入:23035 0.6 1 步骤7 确定初级波形的参数 输入电流的平均值IAVG 初级峰值电流IP 初级脉动电流IR 初级有效值电流IRMS 步骤8 根据电子数据
4、表和所需IP值 选择TOPSwitch芯片 考虑电流热效应会使25下定义的极限电流降低10，所选芯片的极限电流最小值ILIMIT(min)应满足：0.9 ILIMIT(min)IP 步骤9和10 计算芯片结温Tj 按下式结算： TjI2RMSRDS(ON)+1/2CXT(VImax+VOR) 2 f R25 式中CXT是漏极电路结点的等效电容，即高频变压器初级绕组分布电容 如果Tj100，应选功率较大的芯片 步骤11 验算IPIP=0.9ILIMIT(min) 输入新的KRP且从最小值开始迭代，直到KRP=1 检查IP值是否符合要求 迭代KRP=1或IP=0.9ILIMIT(min) 步骤12
5、 计算高频变压器初级电感量LP，LP单位为H 步骤13 选择变压器所使用的磁芯和骨架，查出以下参数： 磁芯有效横截面积Sj（cm2），即有效磁通面积。 磁芯的有效磁路长度l（cm） 磁芯在不留间隙时与匝数相关的等效电感AL(H/匝2) 骨架宽带b（mm） 步骤14 为初级层数d和次级绕组匝数Ns赋值 开始时取d2（在整个迭代中使1d2） 取Ns=1(100V/115V交流输入)，或Ns=0.6(220V或宽范围交流输入) Ns=0.6(VO+VF1) 在使用公式计算时可能需要迭代 步骤15 计算初级绕组匝数Np和反馈绕组匝数NF 设定输出整流管正向压降VF1 设定反馈电路整流管正向压降VF2
6、计算NP 计算NF 步骤16步骤22 设定最大磁通密度BM、初级绕组电流密度J、磁芯的气隙宽度，进行迭代。 设置安全边距M，在230V交流输入或宽范围输入时M=3mm，在110V/115V交流输入时M=1.5mm。使用三重绝缘线时M=0 最大磁通密度BM=0.20.3T 若BM0.3T，需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数NP，使BM在0.20.3T范围之内。如BM0.2T，就应选择尺寸较小的磁芯或减小NP值。 磁芯气隙宽度0.051mm 40SJ(NP2/1000LP1/1000AL) 要求0.051mm，若小于此值，需增大磁芯尺寸或增加NP值。 初级绕组的电流密度J=(410)A/mm2 若
7、J10A/mm2，应选较粗的导线并配以较大尺寸的磁芯和骨架，使J10A/mm2。若J4A/mm2，宜选较细的导线和较小的磁芯骨架，使J4A/mm2；也可适当增加NP的匝数。 确定初级绕组最小直径（裸线）DPm(mm) 确定初级绕组最大外径（带绝缘层）DPM(mm) 根据初级层数d、骨架宽带b和安全边距M计算有效骨架宽带be（mm） be=d(b2M) 然后计算初级导线外径（带绝缘层）DPM：DPMbe/NP 步骤23 确定次级参数ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSm 次级峰值电流ISP(A) ISP=IP(NP/NS) 次级有效值电流ISRMS(A) 输出滤波电容上的纹波电流IRI(A)
8、 次级导线最小直径（裸线）DSm(mm) 次级导线最大外径（带绝缘层）DSM(mm) 步骤24 确定V(BR)S、V(BR)FB 次级整流管最大反向峰值电压V(BR)S V(BR)SVO+VImaxNS/NP 反馈级整流管最大反向峰值电压V(BR)FB V(BR)FBVFB+ VImaxNF/NP 步骤25 选择钳位二极管和阻塞二极管 步骤26 选择输出整流管 步骤27 利用步骤23得到的IRI,选择输出滤波电容COUT 滤波电容COUT在105、100KHZ时的纹波电流应IRI 要选择等效串连电阻r0很低的电解电容 为减少大电流输出时的纹波电流IRI，可将几只滤波电容并联使用，以降低电容的r
9、0值和等效电感L0 COUT的容量与最大输出电流IOM有关 步骤2829 当输出端的纹波电压超过规定值时，应再增加一级LC滤波器 滤波电感L=2.24.7H。当IOM1A时可采用非晶合金磁性材料制成的磁珠；大电流时应选用磁环绕制成的扼流圈。 为减小L上的压降，宜选较大的滤波电感或增大线径。通常L=3.3H 滤波电容C取120F /35V，要求r0很小 步骤30 选择反馈电路中的整流管 步骤31 选择反馈滤波电容 反馈滤波电容应取0.1F /50V陶瓷电容器 步骤32 选择控制端电容及串连电阻 控制端电容一般取47F /10V，采用普通电解电容即可。与之相串连的电阻可选6.2、1/4W，在不连续模式下可省掉此电阻。 步骤33选定反馈电路 步骤34选择输入整流桥 整流桥的反向击穿电压VBR1.252umax 设输入有效值电流为IRMS，整流桥额定有效值电流为IBR,使IBR2IRMS。计算IRMS公式如下： cos为开关电源功率因数，一般为0.50.7，可取cos0.5 步骤35 设计完毕 在所有的相关参数中，只有3个参数需要在设计过程中进行检查并核对是否在允许的范围之内。它们是最大磁通密度BM（要求BM=0.2T0.3T）、磁芯的气隙宽度（要求0.051mm）、初级电流密度J（规定J=410A/mm2）。这3个参数在设计的每一步都要检查，确保其在允许的范围之内。
