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1、场效应管工作原理MOS场效应管电源开关电路。这是该装置的核心，在介绍该部分工作原理之前，先简单解释一下MOS 场效应管的工作原理。金属半导体漏极栅极氧化物漏极栅极源扱 P沟道场效应管1PNJ PDS源极 N沟道场效应管MOS 场效应管也被称为 MOS FET, 既 Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor （金属氧化物半导体场效应管）的缩写。它一般有耗尽型和增 强型两种。本文使用的为增强型MOS场效应管，其内部结构见图5。它可分为NPN型PNP型。NPN型通常 称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。由图可看出，对于N沟道的场效应管其 源极和
2、漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接 在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对 于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流 极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为 场效应管的原因。为解释MOS场效应管的工作原理，我们先了解一下仅含有一个PN结的二极管的 工作过程。如图6所示，我们知道在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接 负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电 压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P 型半导体端内的正电
3、子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当 二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负 电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不 移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。对于场效应管（见图7），在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源 极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一 个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的 负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N 沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通
4、。 我们也可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它 们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。图8给出了 P沟道的MOS 场效应管的工作过程，其工作原理类似这里不再重复。下面简述一下用C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）组成的应用电路的工作过程（见图9）。电路将一个增强型 P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当 输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输 入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路 中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作， 其相
5、位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。 同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V,通常在栅极电压小于1到2V 时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如 此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。巳E+由以上分析我们可以画出原理图中MOS场效应管电路部分的工作过程 （见图10）。工作原理同前所述。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET）间称场效应管。一般的晶体 管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为 双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型
6、相反，也称为单极型晶 体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108109Q ）、噪声小、功 耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成 为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类o o o场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而 得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝 缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化 物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管， 以及最近刚问世的nMOS场效应管、
7、VMOS功率模块等。珂勾道管符号结型场效应管的结构和符号门极 二基片门门STD按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方刪极MOS场效应晶体管衬底衬底衬底F沟増强型衬底式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型 场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶 体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。结场效应晶体管二、场效应三极管的型号命名方法现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表 结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二
8、位字母代表材料，D是P型硅，反型层 是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3D06C是绝 缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CSXX#, CS代表场效应管，XX以数字代表型号的序号，# 用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。三、场效应管的参数场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下 主要参数：1、I 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U =0DSSGS时的漏源电流。2、U 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅P极电压。3、U 开启电压。是指增强型绝
9、缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。T4、 g 跨导。是表示栅源电压U 对漏极电流I的控制能力，即漏极电流IMGSDD变化量与栅源电压U变化量的比值。g是衡量场效应管放大能力的重要参数。GSM5、BU 漏源击穿电压。是指栅源电压U 定时，场效应管正常工作所能承受的DSGS最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。6、P 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的DSM最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于P并留有一定余量。DSM7、I 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允DSM许通过的最大电流。场
10、效应管的工作电流不应超过IDSM几种常用的场效应三极管的主要参数琴数mW/bssmAX-%X-mA/VX /：即-4迫托KH)2046- 1曲3DO2EHU)(1.25V 1.21225IKH)ICO031-4四、场效应管的作用1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可 以容量较小，不必使用电解电容器。2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻 抗变换。3、场效应管可以用作可变电阻。4、场效应管可以方便地用作恒流源。5、场效应管可以用作电子开关。五、场效应管的测试1、结型场效应管的管脚识别：场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和
11、漏极分别对应于晶体管的发射极和 集电极。将万用表置于RXlk档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。 当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KQ时，则这两个管脚为漏极D和源极 S （可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外 一极是屏蔽极（使用中接地）。2、判定栅极用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测 出的阻值都很小，说明均是正向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅 极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路 的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。注意不能用此
12、法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高， 栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的 电压，容易将管子损坏。3、估测场效应管的放大能力将万用表拨到RX100档，红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管 加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G， 将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将 发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果 手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损 坏。由于人体感应的50Hz
13、交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作 点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子 RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动 方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄， 用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着 测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。D
14、2D2GinOas4屏蔽心衬底和暗脚结型场效应管绝緣删场效应管六、常用场效用管1、MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Me tal-Oxide-Semiconduc tor Field-Effec t-Transis tor），属于绝缘栅型。其主 要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Q）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬 底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。 所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被 吸
15、引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当 VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽” 了载流子，使管子转向截止。以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩 散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。 图1 （a）符号中的前头方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。 当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随urn着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载 流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN （般约为+2V） 时，N沟道管
