《充电器典型电路1.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《充电器典型电路1.doc（10页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、说说BGA布线策略BGA是PCB上常用的组件，通常CPU、NORTH BRIDGE、SOUTH BRIDGE、AGP CHIP、CARD BUS CHIP等，大多是以bga的型式包装，简言之，80的高频信号及特殊信号将会由这类型的package内拉出。因此，如何处理BGA package的走线，对重要信号会有很大的影响。 通常环绕在BGA附近BGA是PCB上常用的组件，通常CPU、NORTH BRIDGE、SOUTH BRIDGE、AGP CHIP、CARD BUS CHIP等，大多是以bga的型式包装，简言之，80的高频信号及特殊信号将会由这类型的package内拉出。因此，如何处理BGA
2、package的走线，对重要信号会有很大的影响。通常环绕在BGA附近的小零件，依重要性为优先级可分为几类：1. by pass。2. clock终端RC电路。3. damping（以串接电阻、排组型式出现；例如memory BUS信号）4. EMI RC电路（以dampin、C、pull height型式出现；例如USB信号）。5. 其它特殊电路（依不同的CHIP所加的特殊电路；例如CPU的感温电路）。6. 40mil以下小电源电路组（以C、L、R等型式出现；此种电路常出现在AGP CHIP or含AGP功能之CHIP附近，透过R、L分隔出不同的电源组）。7. pull low R、C。8.
3、一般小电路组（以R、C、Q、U等型式出现；无走线要求）。9. pull height R、RP。1-6项的电路通常是placement的重点，会排的尽量靠近BGA，是需要特别处理的。第7项电路的重要性次之，但也会排的比较靠近BGA。8、9项为一般性的电路，是属于接上既可的信号。相对于上述BGA附近的小零件重要性的优先级来说，在ROUTING上的需求如下：1.by pass =与CHIP同一面时，直接由CHIP pin接至by pass，再由by pass拉出打via接plane；与CHIP不同面时，可与BGA的VCC、GND pin共享同一个via，线长请勿超越100mil。2.clock终端
4、RC电路=有线宽、线距、线长或包GND等需求；走线尽量短，平顺，尽量不跨越VCC分隔线。3.damping=有线宽、线距、线长及分组走线等需求；走线尽量短，平顺，一组一组走线，不可参杂其它信号。4.EMI RC电路=有线宽、线距、并行走线、包GND等需求；依客户要求完成。5.其它特殊电路=有线宽、包GND或走线净空等需求；依客户要求完成。6.40mil以下小电源电路组=有线宽等需求；尽量以表面层完成，将内层空间完整保留给信号线使用，并尽量避免电源信号在BGA区上下穿层，造成不必要的干扰。7.pull low R、C=无特殊要求；走线平顺。8.一般小电路组=无特殊要求；走线平顺。9.pull h
5、eight R、RP= 无特殊要求；走线平顺。为了更清楚的说明BGA零件走线的处理，将以一系列图标说明如下：A. 将BGA由中心以十字划分，VIA分别朝左上、左下、右上、右下方向打；十字可因走线需要做不对称调整。B. clock信号有线宽、线距要求，当其R、C电路与CHIP同一面时请尽量以上图方式处理。C. USB信号在R、C两端请完全并行走线。D. by pass尽量由CHIP pin接至by pass再进入plane。无法接到的by pass请就近下plane。E. BGA组件的信号，外三圈往外拉，并保持原设定线宽、线距；VIA可在零件实体及3MM placement禁置区间调整走线顺序，
6、如果走线没有层面要求，则可以延长而不做限制。内圈往内拉或VIA打在PIN与PIN正中间。另外，BGA的四个角落请尽量以表面层拉出，以减少角落的VIA数。F. BGA组件的信号，尽量以辐射型态向外拉出；避免在内部回转。F_2 为BGA背面by pass的放置及走线处理。By pass尽量靠近电源pin。F_3 为BGA区的VIA在VCC层所造成的状况THERMAL VCC信号在VCC层的导通状态。ANTI GND信号在VCC层的隔开状态。因BGA的信号有规则性的引线、打VIA，使得电源的导通较充足。F_4 为BGA区的VIA在GND层所造成的状况THERMAL GND信号在GND层的导通状态。A
7、NTI VCC信号在GND层的隔开状态。因BGA的信号有规则性的引线、打VIA，使得接地的导通较充足。F_5 为BGA区的Placement及走线建议图以上所做的BGA走线建议，其作用在于：1. 有规则的引线有益于特殊信号的处理，使得除表层外，其余走线层皆可以所要求的线宽、线距完成。2. BGA内部的VCC、GND会因此而有较佳的导通性。3. BGA中心的十字划分线可用于；当BGA内部电源一种以上且不易于VCC层切割时，可于走线层处理（4080MIL），至电源供应端。或BGA本身的CLOCK、或其它有较大线宽、线距信号顺向走线。4. 良好的BGA走线及placement，可使BGA自身信号的干
8、扰降至最低。在FPGA开发板上都有几种不同的存储器，比如SDRAM，FLASH，EPCS，还有内部onchip memory，这几种存储器间是如何通信或者构建一个系统。该如何搭配他们呢，不少人都问到这个问题。在这里我做个总结以方便初学者的学习。首先看看在sopc builder中reset address和nios IDE中System Library中的program memory(.text)、read-only data memory(.rodata)等这几个地址的关系和作用根据altera 的文档解释如下：.text :代码执行区.rodata:只读数据区，存放静态全局变量.rwdat
9、a:可读写数据区,存放可读写变量和指针变量.bss:未初始化变量区.text-the actual executable code.rodata-where read only data used in the execution of the code.rwdata-where read/write variables and pointers are storedheap-where dynamically allocated memory is locatedstack-where function call parameters and other temporary dataSOPC
10、 builder 在Nios II more cpu_0 setting 标签中的reset address决定了flash programmer 的下载存储器(一般是选EPCS controller 或者CFI flash)，并且决定了程序从此处开始启动。exception address指定的是异常处理地址。当然，程序在运行前所有的数据都是存放在flash(EPCS或者CFI FLASH)中如果你设计的系统reset address与其它地址的设置不相同，比如reset addres*ception address ,reset address 和IDE中的program memory(.
11、text)设成不同的存储器，那么系统从reset address启动时都会从flash中把相关数据自动下载到相应的地址或者初始化相应地址。通过上面的认识，我们就比较清楚了各存储器间可进行哪些搭配了，reset address的选择可选EPCS controller 或者CFI flash ;program memory(.text)可选择onchip memory ,SDRAM，CFI flash等。如果reset address为EPCS则在使用flash programmer时程序是下载到EPCS芯片中。如果reset address选择CFI flash，则flash programme
12、r时程序是下载到CFI flash芯片中。需要注意的是这里有个特殊情况。例如在开发板上经常有这么一个简单的系统，CPUonchip memory +LED_PIO，reset address选择onchip memory；感觉整个系统都没有用到flash。而且onchip memory在系统断电后数据就会消失，那么程序代码是存在哪，系统是如何从onchip memory启动听呢？先来看看onchip memory模块的描述信息：在onchip_memory.v中有这么一段the_altsyncram.init_file = onchip_memory.hex,很明显onchip memory的
13、初始数据来自onchip_memory.hex，而onchip_memory.hex是在Nios IDE的System Library中存储器有选择onchip_memory(至少有一项是选择onchip_memory，如果都不选，就不会生成)时，在build结束的时候生成的。于是当我们把SystemLibrary中存储器的选择都选择onchip_memory时，在IDE中build结束后所有的程序代码都生成在onchip_memory.hex中，再在QII中全编译一次时，系统通过onchip_memory.v调用onchip_memory.hex从而把所有的程序代码以及配制信息都生成在POF
14、和SOF文件中，使用QII的programmer直接下载到EPCS芯片或者FPGA芯片内程序都会立即执行。因为这里的特殊性就有很多网友询问了，reset address 选择onchip memory，而IDE中把代码区都选择SDRAM调试的时候程序正常运行，再在QII全编译后下载POF文件就运行不了呢？问题就是出在这了，在这里可以总结出一点，要让程序在onchip memory之外的存储器中运行，那么reset address就必然选EPCS 或者CFI flash，并且要通过flash programmer把程序下载到flash中。电路是采用MIC2951构成的过热保护系统电路。该电路是通
15、过调节R2来设定温度阈值的。如图所示为自启动式过流保护控制电路。该电路由取样电路BG1、RS触发器、单稳态触发器(IC1、R2、C2和IC2、R3、C3)、D触发器等组成。当取样电路对应的电流过流后，BG1饱和导通，使RS触发器置位。由Q端输出高电平。该电平控制设备的电源断开。同时单稳态电路IC1(555)因脚为低电平面被置位，其脚输出的高电平脉冲(t1=1.1R2C2)经倒相后，稍加延时加至RS触发器，使FF1复位，重新启动设备的电源。同时IC2因2脚为低电平而被置位，产生单稳延时(t2=1.1R3C3)脉冲，经延时后使ICs也复位，从而IC3使IC1单稳电路的触发脉冲变得很窄。 若在使RS触发器复位的这段时间里，仍处于过流状态，则FF1的Q端一直保持高电平，继续切断设备电源。IC1一直处于置位状态，且FF1的R端不起作用。本控制电路对过流现象不仅能切断设备的电源，且当恢复正常后，还能自动启动，因而可消除因噪声触发而产生的误断电现象。
