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1、2003年度 高材所 主要行动计划附表：策略措施优先等级行动内容负责部门（人员）费用预算计划目标完成时间1234567891011121陶瓷窑用耐材首要加强应用研究（热应力）、热震性王文武刘春侠4万找出影响规律市场推广董建存10万600万销量新领域推广吴吉光6万正式在2-3家使用电解槽用Si3N4-SiC次要表面质量黄志明无报怨质量稳定刘国华合格率98%抗冰晶石王文武张新华7万找出影响规律，提供改进依据高导电材料次要批量合成王文武5万应用研究张 晔8万实际使用于2-4台炉子加强管理次要制定更为具体的保密措施赵俊国任务分解及人员考核指标赵俊国成本降低刘国华优先等级：首要：不执行将影响未来竞争力；
2、次要：后置将严重伤害自身的定位；再次：后置会影响我们在市场的位置；一般：如果资金到位将会加强我们的位置。2004年高材所研发计划项目名称计划进度目标人员配置 Si2N2O结合SiC窑具的研制2002年院基金项目成型方式、生坯密度、气孔率、烧成温度、不同原料等工艺参数对棚板抗热震性的影响的研究。2004年1月：生坯密度和气孔率变化对棚板热震的影响。2004年2月：烧成温度对棚板热震的影响。2004年3月：固定Si2N2O含量，探讨不同摩尔比对棚板热震的影响。2004年46月：不同品种SiC颗粒、Si粉、SiO2粉等原料对棚板热震的影响。2004年79月：工业试生产，在砂轮、陶瓷厂上使用。2004
3、年1012月：针对棚板实际使用情况，生产工艺完善和质量提高。编写研制报告并申请鉴定。稳定生产工艺，在国内砂轮行业得到推广应用，使用次数达80次以上。王文武、刘春侠负责棚板生产工艺完善和配方优化。张新华负责热震试验。董建存负责棚板的市场开发和推广应用。 Si3N4（Sialon）SiCAl2O3质推板2003年院基金项目2004年1月：M/Si3N4/Si2N2OSiC复合板的制备。规格为： 5004503040mm、3272003035mm。2004年2月：棚板热震炉承重热震实验2004年3月：推板窑上小推板（规格：33020030）制备和试用。2004年4月：厂家实际推板（规格：480380
4、40）制备和前期试用。2004年56月：氧化物层材料组成与SiC基体材料最佳匹配、涂层使用的研究2004年79月：根据试用结果进行配方和生产工艺调整。再试生产规格为3403403040mm的产品供厂家试用。2004年1012月：推板试用总结、生产工艺成熟、产品早期推广。厂家实际使用次数与国外莫来石-刚玉推板相当，达到80次以上，替代进口产品。将SiC质产品成功用于电子陶瓷和磁性材料行业，以期获得较大的市场份额。吴吉光负责试验方案设计、试验结果分析。刘春侠配合SiC基体材料的涂层研究。 工艺因素对SiC材料抗冰晶石侵蚀性能的影响（新项目）利用抗冰晶石侵蚀试验设备研究氮化硅含量、气孔率、烧成温度、
5、制品中氧含量、制品厚度、残余硅量、不同原料等工艺参数对氮化硅结合碳化硅制品抗侵蚀性的影响。2004年12月：氮化硅含量、气孔率变化的影响；2004年34月：烧成温度、制品中氧含量的影响；2004年56月：制品厚度、残余硅量的影响；2004年78月：结合剂、原料的影响；2004年910月：预氧化后碳化硅材料的抗冰晶石性能的研究，寻找出抗氧化性与抗冰晶石侵蚀性之间的相互关联性；2004年1112月：不同结合方式（Si3N4、Sialon 、Si2N2O结合）的碳化硅材料的抗冰晶石侵蚀性比较。生产工艺改进、氮化硅结合碳化硅制品抗侵蚀性能提高和降低生产成本。董建存、王文武负责试验方案设计、试验结果分析。张新华负责抗侵蚀试验。 高导电材料的半工业生产和试用（新项目）2004年13月：摸索影响高导电材料半工业生产的工艺因素（温度、保温时间、炉内气氛、配方优化）；2004年47月：高导电材料性能测试及涂层工艺的研究；2004年810月：高导电材料的半工业生产；2004年1112月：高导电材料涂层的试用。探索出适于工业化生产的稳定的工艺参数和成熟的涂层工艺。王文武负责工艺因素影响研究和半工业生产。吴学真、张晔、李志刚负责涂层工艺的研究。高温工程材料研究所2003年12月5日
