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1、模拟电子技术部分习题及答案 直流稳压电源项目一、二极管与三极管的基本知识二极管习题一、熟悉概念与规律半导体2P型半导体N型半导体4PN结单向导电性6.整流二极管7稳压二极管8发光二极管9开关特性10三极管1.三极管的饱合特性12三极管的截止特性13.三极管的放大特性二、理解与计算题1当温度升高时,二极管的正向压降_ 变小 ,反向击穿电压 变小 。2.硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是(C调压限流）。A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用3. 有两个C15稳压管,一种稳压值是8V,另一种稳压值是.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接，
2、组合成一种稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B7.5V）。8V;、 7.5;C、15.5V4稳压管DW稳压值为5.3,二极管VD正向压降0.7V,当I为2V时，DW和VD 与否导通，0为多少?电阻的作用。答:D和VD 不导通，为5.3V,电阻的作用是分压限流。5.下图中D1-D3为抱负二极管,A，B,C灯都相似，试问哪个灯最亮？（ ）6在图所示的电路中，当电源=5V时,测得=1m。若把电源电压调节到=10V,则电流的大小将 _。m B.IA7图所示电路，设Usin（V)，V,二极管具有抱负特性,则输出电压Uo的波形应为图示_图。.图所示的电路中,和D2 为稳压二极管,其稳定工作电压分别为V
3、 和7V,且具有抱负的特性。由此可知输出电压o为_。9二极管最重要的特性是_，它的两个重要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_。0图所示是一种输出V 正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。1电路如图所示。已知 有效值足够大,合理连线，构成5V 的直流电源。1桥式整流滤波电路，以知21=201.41Sint()。在下列状况时，阐明 端相应的直流电压平均值o（av)应为多少。(1)电容 因虚焊未接上。()有电容但RL 开路。(3)整流桥中有一种二极管因虚焊断路,有电容C，R=。1.设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示电路的输出端电压：( ）A、3;、8V;、；
4、D、。1.如果电阻R 的阻值为1 千欧,问:二极管的电流正向电流为（ ）。（填空）15.P 结具有 ， 偏置时导通, 偏置时截止。16.直流稳压电源的作用就是将 转换为 。小功率直流稳压电源一般由 、 和 四部分构成。1常温下，硅二极管的死区电压约为_V，导通后两端电压基本保持约_ 不变;锗二极管的死区电压约_V,导通后两端电压基本保持约_V 不变。18二极管P7 是 类型，2CZ56 是 类型，256是 类型,2CK70是 类型,2CC12 是 类型，1400是 类型,1418 是 类型,1N50 是 类型。正常状况下稳压管工作在 区，具有稳压作用。19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。
5、（)2当二极管两端正向偏置电压不小于死区电压时,二极管才干导通。（ ）21二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。（ ）22.用万用表欧姆挡粗测2AP9 时用R10 档。()23在输出电压相似的状况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相似。( ）4.同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。 (）5.半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。( )6.稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须不小于稳定电流Z 。（ ）7.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。(）28.用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时， 测试措施和鉴别根据完全同样。(
6、）29.2C 型二极管，如下说法对的的是（ )A合用于小信号检波 .合用于整流C合用于开关电路30.对于晶体二极管,下列说法对的的是（）A.正向偏置导通，反向偏置截止 B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D.反向击穿后立即烧毁31.题图1.1所示电路,二极管为抱负二极管,如下说法对的的是（)A.D 导通，UAO=6VB.VD 导通,UA=-6VCVD 截止，UO9V DD导通，UAO=-9V32硅二极管正偏时，正偏电压0. 和正偏电压0.5V 时，二极管呈现的电阻值（)A相似 不相似 C 无法判断3用模拟万用表K 档测二极管,若红笔接阳极,黑笔接阴极，读数为50
7、K,表笔对换测得电阻同样大，则该二极管( ）内部已断,不能使能 B.内部已短路,不能使用C没有坏,但性能不好 D性能良好3如题图1.5.2 所示电路：1）该电路正常工作时，输出电压 u 为多少?2)若要电路正常工作,变压器次级电压2 u 的最小值是多少?最大值是多少? ）如果变压器次级电压 的有效值为15V,则整流、滤波后电压3 的数值大略为多少？若测得3 u 为13.5V 左右,分析故障因素与部位,并列出检修的环节。36硅稳压管稳压电路如题图1.5. 3 所示。已知硅稳压管VD 的稳定电压zV、动态电阻和反向饱和电流均可以忽视,限流电阻=RL1k，未经稳压的直流输入电压U=4V。()试求、I
8、o、I 及z;（2)若负载电阻R的阻值减小为0.5K，再求o、I、 及Iz。三极管习题一、熟悉概念与规律1.三极管.三极管的饱合特性3.三极管的截止特性4.三极管的放大特性二、理解与计算题1.三极管具有 、 和 特性。2.三极管的IE、B、I 之间的关系是 。= 。3各三极管电极的实测对地电压数据如下:图A 是 管,工作在 状态；图B 是 管，工作在 状态。4.放大电路要不失真地放大交流信号必须使放大器设立 ，以保证三极管放大信号时,始终工作在 区。5.（ )晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体N 型或型构成的因此极和c 极可以互换使用。.三极管多级放大电路中，已知V1=、V2=-10、
9、3=1、总的电压增益V= - ;V1是 放大器;2 是 放大器;V是 放大器。7.三极管的发射结正偏，集电结反偏时,三极管所处的状态是（)。A、放大状态B、饱和状态 C、截止状态.测得某NPN 管得VBE=.7V,VCE=.2，由此可鉴定它工作在_区。9.用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位，试判断这些晶体管分别处在那种工作状态(饱和、截止、放大、倒置或已损坏）。0.某晶体管的iB从20A 变到40A 时，相应的iC 从155mA变化到305m，则该管的为( )。A、7 B、=50 C、=100 D、7.51.测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示,其中硅材料的NPN管是(
10、）。二、基本放大电路基本知识习题作业1.按规定填写下表。电路名称连接方式（e、b)性能比较（大、中、小)公共极输入极输出极R i 其他共射电路共集电路共基电路2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有也许放大正弦波信号。规定保存电路本来的共射接法和耦合方式。图23.画出图所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。 图34电路如图（）所示,图（)是晶体管的输出特性，静态时BEQ=0V。运用图解法分别求出RL=和L3k时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。 图45.电路如图5所示，已知晶体管b=0，在下列状况下，用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少
11、?设VC12V，晶体管饱和管压降CES=.5V。 ()正常状况 （2)Rb1短路 （3)Rb1开路 ()2开路 （)C短路图 6.电路如图6所示，晶体管的b80，100。分别计算RL=和RL3k时的点、 和Ro。图7.在图6所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图7(a)、(b）、(c)所示，试阐明电路分别产生了什么失真,如何消除。图7若由PNP型管构成的共射电路中,输出电压波形如图P3.（a)、(）、（c)所示，则分别产生了什么失真？9.已知图所示电路中晶体管的b 100,rbe=1。（）现已测得静态管压降U6，估算b约为多少千欧；（）若测得和的有效值分别为mV
12、和100V，则负载电阻RL为多少千欧？图91. 电路如图所示,晶体管的b,=10。(1）求电路的Q点、i和o;(2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?图101.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。试问: 图11 （)=/?=/?(）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2的波形；12.电路如图2所示，晶体管的b=0,rbe=1k。(1）求出Q点;（2）分别求出RL和RL=3k时电路的和；(3)求出。图 213.电路如图3所示,晶体管的b=60，=100。（1)求解点、Ri和Ro；（)设10mV（有效值)，问?=？若C3开路，则=？=？图314. 图所示电路参数抱负对称,晶体管的均为50，=00,UBQ07。试计算RW滑动端在中点时T管和2管的发射极静态电流EQ，以及动态参数A和Ri。图1415.如图1所示的差动放大电路中，设晶体管1=2=0,bb=200,其她参数标在图上，试求:(10分)（）画出直流通路,求静态时的IC1、ICQ和()画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=2K时的差模电压放大倍数Avd，差模输入电阻rid和输出电阻rod图151电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm，试写出、Ri和的体现式。 图
