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1、M8918概述M8918 是一款带有源功率因数校正的高精度降压 型 LED 恒流控制芯片，适用于 85Vac-265Vac 全范 围输入电压的非隔离降压式 LED 恒流电源。M8918 集成有源功率因数校正电路，可以实现很高的功率 因数和很低的总谐波失真。由于工作在电感电流临 界连续模式，功率 MOS 管处于零电流开通状态，开 关损耗得以减小，同时电感的利用率也较高。M8918 内部集成 600V 功率 MOSFET,只需要很少的 外围器件，即可实现优异的恒流特性.M8918 采用专利的浮地构架，对电感电流进行全 周期采样，可实现高精度输出恒流控制，并达到优 异的线电压调整率和负载调整率。M8
2、918 具有多重保护功能以加强系统可靠性，包 括 LED 开路保护、LED 短路保护、芯片供电欠压保 护、电流采样电阻开路保护和逐周期限流等。所有 的保护状态都具有自动重启功能。另外，M8918 具有过热调节功能，在驱动电源过热时减小输出电 流，以提高系统的可靠性。典型应用图特点n有源功率因数校正，高 PF 值，低 THDn 内置 600V 功率 MOSFETn高达 95%的系统效率n3% LED 输出电流精度n优异的线电压调整率和负载调整率n电感电流临界连续模式n超低 (33uA) 启动电流n超低 (300uA) 工作电流nLED 短路/开路保护n电流采样电阻开路保护n逐周期电流限流n芯片供
3、电欠压保护n自动重启功能n过热调节功能n采用 SOP-8/DIP-8 封装应用nGU10/E27LED 球泡灯、射灯n LED PAR30、PAR38 灯n LED 日光灯n其它 LED 照明 1 / 10 V1.0版M8918定购信息定购型号封装温度范围包装形式M8918PRDIP8-40 到 105 2,000 颗/盒M8918DRSOP8-40 到 105 2,500 颗/盘管脚封装 3 / 10 V1.0版管脚描述图 2 管脚封装图极限参数(注 1)符号参数参数范围单位VDS内部高压 MOSFET 漏极到源极的峰值电压-0.3600VIDD_MAXVDD引脚最大钳位电流10mACOMP
4、环路补偿点-0.36VINV辅助绕组的反馈端-0.36VSEN电流采样端-0.36VPDMAX功耗(注 2)0.45W JAPN 结到环境的热阻145/WTJ工作结温范围-40 to 150TSTG储存温度范围-55 to 150ESD (注 3)2KV注 1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数 规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注 2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由 TJ
5、MAX, JA,和环境温度 TA 所决定的。最大允许功耗为 PDMAX = (TJMAX - TA)/ JA 或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注 3：人体模型，100pF 电容通过 1.5K 电阻放电。推荐工作范围符号参数参数范围单位ILED 1输出LED电流 Vout=72V(输入电压176V265V)300mAILED 2输出LED电流 Vout=36V(输入电压176V265V)420mAVDD电源电压8.5 20V mA电气参数(注 4, 5) （无特别说明情况下，VDD =17 V, TA =25 ）符号参数描述条件最小值典型值最大值单位电源电压VDD_ONVDD 启动电压V
6、DD 上升18VVDD_UVLOVDD欠压保护阈值VDD 下降7.8VVDD_CLAMPVDD 钳位电压22VIDD_UVLOVDD关断电流VDD上升,VDD= VDD-ON- 1V3350uAIDDVDD工作电流FOP=10KHz300500uAINV 反馈VINV_FALLINV下降阈值电压INV 下降0.2VVINV_HYSINV迟滞电压INV 上升0.15VVINV_OVPINV过压保护阈值1.6VTON_MAX最大导通时间20usTOFF_MIN最小关断时间3usTOFF_MAX最大关断时间100us电流采样VSEN_LIMITSEN峰值电压限制1.0VTLEB_SEN电流采样前沿消
7、隐时间350nsTDELAY芯片关断延迟200ns环路补偿VREF内部基准电压0.1940.20.206VVCOMP_LOCOMP下钳位电压1.5VVCOMPCOMP线性工作范围1.53.9VVCOMP_HICOMP上钳位电压4.0V功率管MOSFETRDS_ON功率MOSFET导通电阻VGS=10V/IDS=0.5A1.8符号参数描述条件最小值典型值最大值单位BVDSS功率 MOSFET 击穿电压VGS=0V/IDS=250uA600VIDSS功率 MOSFET 漏电流VGS=0V/VDS=600V1uA过热调节部分TREG过热调节温度150注 4：典型参数值为 25C 下测得的参数标准。注
8、 5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。内部结构框图图 3 M8918 内部框图 4 / 10 V1.0版应用信息M8918 是一款内部集成 600V 功率 MOSFET 的有源 功率因数校正 LED 恒流控制芯片，用于非隔离降 压型电路，系统工作在电感电流临界连续模式， 可以实现很高的功率因数、很低的总谐波失真和 高效率。2 恒流控制，输出电流设置M8918 采用专利的浮地构架，对电感电流进行全 周期采样，工作于电感电流临界连续模式，可以 实现高精度输出恒流控制。LED 输出电流计算方法：1 启动在系统上电后，母线电压通过启动电阻给 VDD 引脚 的电容
9、充电，当 VDD 电压上升到启动阈值电压后，其中，IOUT VREFRSEN芯片内部控制电路开始工作，COMP 电压被快速上 拉到 1.5V。然后 M8918 开始输出脉冲信号，系 统刚开始工作在 10kHz 开关频率，COMP 电压从 1.5V 开始逐渐上升，电感峰值电流随之上升，从 而实现输出 LED 电流的软启动，有效防止输出电 流过冲。当输出电压建立之后，VDD 电压由输出电 压通过二极管供电，从而降低系统功耗。VREF 是内部基准电压RSEN 是电流采样电阻的值 3 反馈网络M8918 通过 INV 来检测输出电流过零的状态， INV 的下降阈值电压设置在 0.2V，迟滞电压为 0.
10、15V。 INV 引脚也可以用来探测输出过压保护（OVP），阈值为 1.6V。 INV 的上下分压电阻比例可以设置为： 地线其中，RINVL RINVL + RINVH= 1.6V VOVP 电流采样电阻的功率地线尽可能粗，且要离芯片 的地(Pin2)尽量近，以保证电流采样的准确性， 否则可能会影响输出电流的调整率。另外，信号 地需要单独连接到芯片的地引脚。RINVL 是反馈网络的下分压电阻 RINVH 是反馈网络的上分压电阻 VOVP 是输出电压过压保护设定点建议将 VOVP 设定在比最高带载电压高 30%倍左右。 推荐 INV 下分压电阻设置在 2K -5K 左右,并联 一个 22pF 左
11、右的电容以防止开关噪声误触发 OVP。4 过温调节功能M8918 具有过热调节功能，在驱动电源过热时逐渐减小输出电流，从而控制输出功率和温升，使电源温度保持在设定值，以提高系统的可靠性。芯片内部设定过热调节温度点为 150。5 保护功能M8918 内置多重保护功能，保证了系统可靠性。当 LED 开路时，输出电压逐渐上升，INV 引脚可以在功率管关断时检测到输出电压。当 INV 升高到 OVP 保护阈值时，会触发保护逻辑并停止开关工作。当 LED 短路时，系统工作在 10kHz 低频。由于输 出电压很低，无法通过二极管给 VDD 供电，所以 VDD 电压逐渐下降直到欠压保护阈值。系统进入保护状态后，VDD 电压开始下降，当 VDD 到 达欠压保护阈值时，系统将重启。同时系统不断 的检测系统状态，如果故障解除，系统会重新开 始正常工作。当输出短路或者变压器饱和时，SEN 峰值电压
