《MOSFET参数及其测试方法》由会员分享，可在线阅读，更多相关《MOSFET参数及其测试方法（9页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、参数类别(物理特征)：1、漏源电压系列、V(BR)DSS:漏源击穿电压、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数、VSD二极管正向(源漏)电压、dV/dt:二极管恢复电压上升速率2、栅源电压系列、VGS(TH):开启电压、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压3、其它电压系列、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu：栅衬底电压二、电流类参数1、漏源电流系列、ID:最大DS电流、IDM:最大单脉冲DS电流、IAR:最大雪崩电流、IS:最大连续续流电流、ISM:最大单脉冲续流电流、
2、IDSS:漏源漏电流2、栅极电流系列、IGSS:栅极驱动（漏）电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流三、电荷类参数1、Qg:栅极总充电电量2、Qgs：栅源充电电量3、Qgd:栅漏充电电量4、Qrr：反向恢复充电电量5、Ciss:输入电容=Cgs+Cgd6、Coss：输出电容=Cds+Cgd7、Crss:反向传输电容=Cgd四、时间类参数1、tr:漏源电流上升时间2、tf:漏源电流下降时间3、td-on:漏源导通延时时间4、td-off:漏源关断延时时间5、trr:反向恢复时间五、能量类参数1、PD最大耗散功率2、dPD/dTJ:最大耗散功率温度系数3、EAR重复雪崩能量4、EAS单脉
3、冲雪崩能量六、温度类参数1、RJC:结到封装的热阻2、RCS封装到散热片的热阻3、RJA:结到环境的热阻4、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数5、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数七、等效参数1、RDSON导通电阻2、Gfs:跨导=dID/dVGS3、LD:漏极引线电感4、LS:源极引线电感参数详解、V(BR)DSS漏源击穿电压(也称BVDSSVDSS定义：在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。属性：V(BR)DSS是正温度系数，温度高时，漏源击穿电压比温度低时要大。通常以25c时的漏源击穿电压为标称
4、电压。实际击穿电压通常略大于标称电压。测试线路：测试方法：1、按规范选取VCC2直、设定栅极连接方式、连接测量仪表、调整ID。2、室温下夹取被测管放入测试座，监控ID,读取VDSS3、连续调节ID,并同步记录VDSS即可测得VDSS_ID#性曲线。、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数一口LlJznv王how一Lllt?,rlaA-OQMeLJclLmuoanosdEi孑苫.aAmT.JUNCTIONTEMPERATURErnCj、VSD二极管正向(源漏)电压、dV/dt:二极管恢复电压上升速率、VGS(THD:开启电压(又称VTHD定义：所加的栅源电压能使流过漏极电流达到一个特
5、定值时的电压值。属性：VGS(TH)是负温度系数，这就意味着当温度上升时，功率管会在更低的栅源电压下开启。测试线路路与测试方法参考VDSS1试。、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数、V(BR)GSS漏源短路时栅源击穿电压、VGSR反向栅源电压、Vn：噪声电压、VGD栅漏电压、Vsu：源衬底电压、Vdu：漏衬底电压、Vgu：栅衬底电压、ID:最大DS电流、IDM:最大单脉冲DS电流、IAR:最大雪崩电流、IS:最大连续续流电流、ISM:最大单脉冲续流电流、IDSS:漏源漏电流、IGSS:栅极驱动（漏）电流、IGM:栅极脉冲电流、IGP:栅极峰值电流、IGDQ源极开路时的截止栅电流、IG
6、SO:漏极开路时的截止栅电流、Qg:栅极总充电电量、Qgs：栅源充电电量、Qgd:栅漏充电电量、Qrr:反向恢复充电电量、Ciss:输入电容=Cgs+Cgd、Coss：输出电容=Cds+Cgd、Crss:反向传输电容=Cgd、tr:漏源电流上升时间、tf:漏源电流下降时间、td-on:漏源导通延时时间、td-off:漏源关断延时时间、trr:反向恢复时间、PD：最大耗散功率、dPD/dTJ：最大耗散功率温度系数、EAR重复雪崩能量、EAS:单脉冲雪崩能量、RJC:结到封装的热阻、RCS封装到散热片的热阻、RJA:结到环境的热阻、dV(BR)DSS/dTJ:漏源击穿电压的温度系数、dVGS(TH)/dTJ:开启电压的温度系数、RDSON导通电阻、Gfs:跨导=dID/dVGS、LD:漏极引线电感、LS:源极引线电感
