山西关于成立中高频熔炼设备生产制造公司报告

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1、山西关于成立中高频熔炼设备生产制造公司可行性报告投资分析/实施方案报告摘要说明中国晶圆厂建设加速。预估在2017-2020年间,全球将有62座新的晶圆厂投入营运。中国大陆在这段期间将有26座新的晶圆厂投入营运,占新增晶圆厂的比重高达42%,美国为10座,台湾为9座,下游产能的扩张带来设备需求的弹性。据江苏省半导体行业协会的统计,2016年中国大陆已进入连年国产阶段的晶圆生产线有近100条,其中12英寸晶圆生产线共有9条,8英寸晶圆生产线共有16条,6英寸晶圆生产线共有40条,5英寸晶圆生产线约有16条。中芯国际在北京的Fab4厂是中国最早量产的12英寸晶圆厂,经过几次技术改进工艺水平达到65n

2、m。除此之外,中芯国际也分别在北京和上海拥有两条12英寸产线,技术节点达到了28nm,领先国内水平。除了中芯与武汉新芯外,还暂未有国产企业拥有量产的12英寸厂。然而,英特尔、三星与SK海力士早已在大陆开始布局。SK海力士早在08年就在无锡建设了8英寸晶圆产线,随后升级为12英寸。而英特尔大连工厂在2010年完工后用于生产65nm制程CPU,2015年10月与大连市政府合作,投资55亿美元转型生产3DNANDFlash。目前国内已经量产的12英寸晶圆厂仅有9座,合计产能42.9万片/月。xxx实业发展公司由xxx公司(以下简称“A公司”)与xxx有限公司(以下简称“B公司”)共同出资成立,其中:

3、A公司出资510.0万元,占公司股份51%;B公司出资490.0万元,占公司股份49%。xxx实业发展公司以中高频熔炼设备产业为核心,依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验,xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力,通过3-5年的发展,成为区域内行业龙头,带动并促进全行业的发展。xxx实业发展公司计划总投资5755.26万元,其中:固定资产投资4978.30万元,占总投资的86.50%;流动资金776.96万元,占总投资的13.50%。根据规划,xxx实业发展公司正常经营年份可实现营业收入7252.00万元,总成本费用5665.22万元,税金及附加98.97万元,利润总额1586.78万元,利税

4、总额1904.62万元,税后净利润1190.09万元,纳税总额714.53万元,投资利润率27.57%,投资利税率33.09%,投资回报率20.68%,全部投资回收期6.34年,提供就业职位137个。在泛半导体行业,国内厂商已接近国外先进水平。半导体和光伏等行业均以硅晶圆作为加工原料,只是前者对晶圆纯度要求更高,运用于泛半导体产业的晶圆生长设备适当提高精度即可实现一定程度上的互相替代。在泛半导体行业,单晶硅生长炉技术水平的指标有晶棒尺寸、投料量、自动化程度和单晶硅棒成品品质等,其中投料量和尺寸是主要的衡量标准。一般而言,投料量和晶棒尺寸越大,单位生产成本越低,技术难度也越大。目前国内市场单晶硅

5、生长炉的投料量一般在60150kg,尺寸一般在68英寸。当前只有少量几家公司能够生产150kg和8英寸以上的单晶硅生长炉,如德国的PVATePlaAG公司,美国的Kayex公司等。目前,以晶盛机电为代表的国内厂商,其设备技术水平已经接近甚至赶超了国外厂商水平,并且拥有明显的成本优势,占据了国内光伏市场的绝大部分份额。未来,国产晶圆生长设备有望提高在半导体行业的渗透率。第一章 总论一、拟筹建公司基本信息(一)公司名称xxx实业发展公司(待定,以工商登记信息为准)(二)注册资金公司注册资金:1000.0万元人民币。(三)股权结构xxx实业发展公司由xxx公司(以下简称“A公司”)与xxx有限公司(

6、以下简称“B公司”)共同出资成立,其中:A公司出资510.0万元,占公司股份51%;B公司出资490.0万元,占公司股份49%。(四)法人代表罗xx(五)注册地址某工业园(以工商登记信息为准)山西,简称晋,中华人民共和国省级行政区,省会太原,位于中国华北,东与河北为邻,西与陕西相望,南与河南接壤,北与内蒙古毗连,介于北纬34344044,东经1101411433之间,总面积15.67万平方千米。山西省地势呈东北斜向西南的平行四边形,是典型的为黄土覆盖的山地高原,地势东北高西南低。高原内部起伏不平,河谷纵横,地貌有山地、丘陵、台地、平原,山区面积占总面积的80.1%。山西省地跨黄河、海河两大水系

7、,河流属于自产外流型水系。山西省地处中纬度地带的内陆,属温带大陆性季风气候。2019年,山西省共辖11个地级市,市辖区25个、县级市11个、县81个,常住人口3729.22万人,实现地区生产总值(GD)17026.68亿元,其中,第一产业增加值824.72亿元,第二产业增加值7453.09亿元,第三产业增加值8748.87亿元,人均地区生产总值45724元。(六)主要经营范围以中高频熔炼设备行业为核心,及其配套产业。(七)公司简介xxx实业发展公司由A公司与B公司共同投资组建。公司致力于一个符合现代企业制度要求,具有全球化、市场化竞争力的新型一流企业。公司是跨文化的组织,尊重不同文化和信仰,将

8、诚信、平等、公平、和谐理念普及于企业并延伸至价值链;公司致力于制造和采购在技术、质量和按时交货上均能满足客户高标准要求的产品,并使用现代仓储和物流技术为客户提供配送及售后服务。依托A公司的渠道资源和B公司的行业经验,xxx实业发展公司将快速形成行业竞争力,通过3-5年的发展,成为区域内行业龙头,带动并促进全行业的发展。二、公司主营业务说明根据规划,依托某工业园良好的产业基础和创新氛围,充分发挥区位优势,全力打造以中高频熔炼设备为核心的产业示范项目。半导体产业与面板产业相似,都是重资产投入,设备投资占总投资规模的比例达到60%以上,其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术,具

9、有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备(晶圆加工设备、晶圆制造设备)和后道设备(封装及测试设备),占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业,其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商,在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品,而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。第二章 公司组建背景分析一、中高频熔炼设备项目背景分析半导体设备按生产工艺流程可分为前端设备(晶

10、圆加工设备、晶圆制造设备)和后道设备(封装及测试设备),占总体设备投资的比例分别为70%和30%。我们进一步梳理了各环节主要设备的龙头企业,其中应用材料作为全球最大的半导体设备供应商,在晶圆制造设备的几个核心环节热处理、镀膜设备、离子注入设备等领先全球。日本公司更擅长制造刻蚀设备、涂胶机、显影机、测试设备等产品,而以ASML为首的荷兰公司则在高端光刻机领域处于领先地位。半导体设备的上游为电子元器件和机械加工行业,原材料包括机械零件、视觉系统、继电器、传感器、计算机和PCB板等,优质的上游产品或服务有助于设备产品的可靠性和稳定性。行业的下游主要为封装测试、晶圆制造、芯片设计。集成电路产品技术含量

11、高、工艺复杂,技术更新和工艺升级依托于装备的发展;反之,下游信息产业不断开发的新产品和新工艺,为设备行业提供了新需求和市场空间。以晶圆加工为例,8英寸的晶圆制造设备无法运用于其他尺寸的加工,因此当半导体行业进入12英寸时代后,8英寸产品需要全部更新换代,由此也带来了设备行业的增量空间,促进了其持续发展。总体设备市场恢复性增长,接近历史最高水平。设备行业与半导体行业整体景气程度密切相关,且波动较大。2008、2009年受到金融危机的影响,同比分别下降31%和46%,2010年强势回升,并于次年达到历史最高点435亿美元,随后受到周期性影响设备支出有所下降。而2016年全球集成电路设备市场规模为4

12、12亿美元,同比增长13%。由于随后几年全球各大厂商加速12英寸晶圆厂建设,将带动上游设备销售,2017年全球半导体新设备销售额将达494亿美元,同比增长19.8%,突破历史最高水平。分产品来看,SEMI预计2017年晶圆加工设备达到398亿美元,同比增长21.7%;光罩等其他前端设备23亿美元,增长25.6%;而封装测试装备总计约73亿美元。下游企业竞争日趋激烈,产业预期持续向好。中国设备占比逐步提升。分地区来看,全球半导体设备主要销售区域为中国、日本、韩国、北美和台湾地区,2016年占比分别为16%、11%、19%、11%和30%。中国大陆在05年仅占4%,近几年随着大陆新建晶圆厂的增加,

13、为半导体设备、服务、材料等厂商提供了宝贵的机遇。2016年中国大陆设备销售收入64.6亿美元,同比增长32%,并首次超过日本,成为全球第三大半导体设备销售地区。同时,SEMI预计韩国设备销售将在2017年达到129.7亿美元,超过台湾成为全球第一大市场。晶圆产能集中度提高,12英寸是当前主流。遵循摩尔定律的半导体行业曾经实现了快速增长,在较低成本的基础上带来了强大的计算能力。为了保持成本,既有通过技术进步的小型化之路,也有增大晶圆尺寸的做法。通常,半导体行业每十年升级fab架构来增加晶圆直径,而同时技术进步则是每两年一个节点。随着纳米尺度逼近物理极限,技术进步已经放缓,晶圆尺寸的增加变得越来越

14、重要。目前全球12英寸晶圆产能约为每月11.5百万片,占总体产能的65%左右,未来12英寸产能预计会继续扩张。但是,更大晶圆尺寸的资本投入也会大幅增长,这为更弱小的玩家设置了进入壁垒。设备行业在12英寸平台开发上投入了116亿美元,几乎是开发8英寸平台的9倍。由于这样的尺寸迁移会产生进入壁垒,领先的设备供应商的扩张速度会远优于行业平均水平,促进集中度的提升。行业前十企业的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行业发展的驱动力是技术进步和晶圆尺寸增加带来的多样化新应用和成本降低,这给设备供应商带来了更大的增量空间。二、中高频熔炼设备项目建设必要性分析半导体产业与面板产业相

15、似,都是重资产投入,设备投资占总投资规模的比例达到60%以上,其中一些关键的制程环节需要综合运用光学、物理、化学等科学技术,具有技术含量高、制造难度大、设备价值高等特点。因此下游产业的发展衍生出了巨大的设备投资市场。IC产品生产附加值极高,工艺进步依托于设备提升。目前的集成电路技术大多基于元素硅,并在晶片上构建各种复杂电路。硅元素在地壳中的含量达到26.4%,是仅次于氧的第二大元素,而单晶硅则可通过富含二氧化硅的砂石经提炼获得。由价格低廉的砂石到性能卓越的芯片,IC的生产过程就是硅元素附加值大量增长的过程。从最初的设计,到最终的下线检测,生产过程需经过几十步甚至几百步的工艺,整个制造过程工艺复

16、杂,其中任何一步的错误都可能是最后导致产品失效的原因,因此对设备可靠性的要求极高。下游厂商也愿意为高可靠性、高精度设备支付技术溢价,这也是半导体投资中设备投资占比较高的原因之一。从生产工艺来看,半导体制造过程可以分为IC设计(电路与逻辑设计)、制造(前道工序)和封装与测试环节(后道工序)。设备主要针对制造及测封环节,设计部分的占比较少。IC设计:是一个将系统、逻辑与性能的设计要求转化为具体的物理版图的过程,主要包含逻辑设计、电路设计和图形设计等。将最终设计出的电路图制作成光罩,进入下一个制造环节。由于设计环节主要通过计算机完成,所需的设备占比较少。IC制造:制造环节又分为晶圆制造和晶圆加工两部分。前者是指运用二氧化硅原料逐步制得单晶硅晶圆的过程,主要包含硅的纯化-多晶硅制造-拉晶-

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