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1、泓域咨询/马鞍山碳化硅项目招商引资方案马鞍山碳化硅项目招商引资方案xx有限责任公司目录第一章 市场分析8一、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期8二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积8第二章 项目概况11一、 项目名称及项目单位11二、 项目建设地点11三、 可行性研究范围11四、 编制依据和技术原则12五、 建设背景、规模13六、 项目建设进度15七、 环境影响15八、 建设投资估算15九、 项目主要技术经济指标16主要经济指标一览表16十、 主要结论及建议18第三章 项目选址可行性分析19一、 项目选址原则19二、 建设区基本情
2、况19三、 着力建设毗邻突破样板区21四、 项目选址综合评价22第四章 建筑技术分析23一、 项目工程设计总体要求23二、 建设方案24三、 建筑工程建设指标25建筑工程投资一览表25第五章 法人治理结构27一、 股东权利及义务27二、 董事29三、 高级管理人员32四、 监事35第六章 运营模式37一、 公司经营宗旨37二、 公司的目标、主要职责37三、 各部门职责及权限38四、 财务会计制度41第七章 项目规划进度47一、 项目进度安排47项目实施进度计划一览表47二、 项目实施保障措施48第八章 原辅材料供应、成品管理49一、 项目建设期原辅材料供应情况49二、 项目运营期原辅材料供应及
3、质量管理49第九章 组织机构管理51一、 人力资源配置51劳动定员一览表51二、 员工技能培训51第十章 项目投资分析54一、 投资估算的依据和说明54二、 建设投资估算55建设投资估算表59三、 建设期利息59建设期利息估算表59固定资产投资估算表61四、 流动资金61流动资金估算表62五、 项目总投资63总投资及构成一览表63六、 资金筹措与投资计划64项目投资计划与资金筹措一览表64第十一章 经济效益评价66一、 基本假设及基础参数选取66二、 经济评价财务测算66营业收入、税金及附加和增值税估算表66综合总成本费用估算表68利润及利润分配表70三、 项目盈利能力分析70项目投资现金流量
4、表72四、 财务生存能力分析73五、 偿债能力分析74借款还本付息计划表75六、 经济评价结论75第十二章 风险评估分析77一、 项目风险分析77二、 项目风险对策79第十三章 总结分析82第十四章 补充表格83主要经济指标一览表83建设投资估算表84建设期利息估算表85固定资产投资估算表86流动资金估算表87总投资及构成一览表88项目投资计划与资金筹措一览表89营业收入、税金及附加和增值税估算表90综合总成本费用估算表90固定资产折旧费估算表91无形资产和其他资产摊销估算表92利润及利润分配表93项目投资现金流量表94借款还本付息计划表95建筑工程投资一览表96项目实施进度计划一览表97主要
5、设备购置一览表98能耗分析一览表98报告说明SiCMOSFET较IGBT可同时具备耐高压、低损耗和高频三大优势。1）碳化硅击穿电场强度是硅的十余倍，使得碳化硅器件耐高压特性显著高于同等硅器件。2）碳化硅具有3倍于硅的禁带宽度，使得SiCMOSFET泄漏电流较硅基IGBT大幅减少，降低导电损耗。同时，SiCMOSFET属于单极器件，不存在拖尾电流，且较高的载流子迁移率减少了开关时间，开关损耗因此得以降低。根据Rohm的研究，相同规格的碳化硅MOSFET较硅基IGBT的总能量损耗可大大减低73%。3）涵盖MOSFET自身特点，较IGBT具备高频优势。此外，据Wolfspeed研究显示，相同规格的碳
6、化硅基MOSFET与硅基MOSFET相比，其尺寸可大幅减少至原来的1/10。根据谨慎财务估算，项目总投资15772.32万元，其中：建设投资11685.17万元，占项目总投资的74.09%；建设期利息160.91万元，占项目总投资的1.02%；流动资金3926.24万元，占项目总投资的24.89%。项目正常运营每年营业收入33700.00万元，综合总成本费用26499.48万元，净利润5269.48万元，财务内部收益率25.69%，财务净现值7727.28万元，全部投资回收期5.25年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。该项目符合国家有关政策，建设有着较好的社会
7、效益，建设单位为此做了大量工作，建议各有关部门给予大力支持，使其早日建成发挥效益。本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。第一章 市场分析一、 光伏：SiC光伏逆变器性能提升显著，广泛应用未来可期基于硅基器件的传统逆变器成本约占光伏发电系统10%，却是系统能量损耗的主要来源之一。使用SiCMOSFET功率模块的光伏逆变器，其转换效率可从98.8%提升至99%以上，能量损耗降低8%，相同条件下输出功率提升27%，推动发电系统在体积、寿命及成本上实现重要突破。英飞凌最早于2
8、012年推出CoolSiC系列产品应用于光伏逆变器，2020年以来，西门子、安森美等众多厂商陆续推出相关产品，碳化硅光伏逆变器应用进一步推广。据CASA数据，2020年光伏逆变器中碳化硅器件渗透率为10%，预计2025年将增长至50%。高效、高功率密度、高可靠和低成本为光伏逆变器未来发展趋势，SiC器件有望迎来广阔增量空间。二、 主逆变器：800V系统下SiCMOSFET大显身手，降低主逆变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET，如果仍采用ModelX的
9、英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在6
10、50V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT，但对比之下，SiC器件在高压下性能更好。根据ST的数据，在400V电压平台下，SiCMOSFET能够比IGBT器件拥有2-4%的效率提升；而在750V电压平台下其提升幅度则可增大至3.5-8%。对比市场上的领先SiCMOSFET和IGBT器件参数可知，1200VSiC产品优势较650V产品优势更加明显，主要体现为损耗降低幅度更大。3）耐高温：SiC的结温更高，能够在超过175度的高温下正常工作，较IGBT更加适合高温环境。4）体积节约
11、：根据ST，在10kHz工作频率和800V架构的情况下，对于一个210kW的逆变器，若采用全SiCMOSFET方案替代原先IGBT及二极管方案：1）使用总功率器件体积可从600mm2缩小5倍至120mm2；2）开关损耗和总损耗分别缩小为原来的3.9/1.9倍。3）损耗的降低使得PCU（电源控制单元）的尺寸得以减少，相对应的冷却系统体积也将得以简化。第二章 项目概况一、 项目名称及项目单位项目名称：马鞍山碳化硅项目项目单位：xx有限责任公司二、 项目建设地点本期项目选址位于xx（以最终选址方案为准），占地面积约37.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施
12、条件完备，非常适宜本期项目建设。三、 可行性研究范围1、对项目提出的背景、建设必要性、市场前景分析；2、对产品方案、工艺流程、技术水平进行论述，确定建设规模；3、对项目建设条件、场地、原料供应及交通运输条件的评价；4、对项目的总图运输、公用工程等技术方案进行研究；5、对项目消防、环境保护、劳动安全卫生和节能措施的评价；6、对项目实施进度和劳动定员的确定；7、投资估算和资金筹措和经济效益评价；8、提出本项目的研究工作结论。四、 编制依据和技术原则（一）编制依据1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定；2、建设项目经济评价方法与参数；3、投资项目可行性研究指南；4、项目建设地国民经济发展规
13、划；5、其他相关资料。（二）技术原则1、政策符合性原则：报告的内容应符合国家产业政策、技术政策和行业规划。2、循环经济原则：树立和落实科学发展观、构建节约型社会。以当地的资源优势为基础，通过对本项目的工艺技术方案、产品方案、建设规模进行合理规划，提高资源利用率，减少生产过程的资源和能源消耗延长生产技术链，减少生产过程的污染排放，走出一条有市场、科技含量高、经济效益好、资源消耗低、环境污染少、资源优势得到充分发挥的新型工业化路子，实现可持续发展。3、工艺先进性原则：按照“工艺先进、技术成熟、装置可靠、经济运行合理”的原则，积极应用当今的各项先进工艺技术、环境技术和安全技术，能耗低、三废排放少、产
14、品质量好、经济效益明显。4、提高劳动生产率原则：近一步提高信息化水平，切实达到提高产品的质量、降低成本、减轻工人劳动强度、降低工厂定员、保证安全生产、提高劳动生产率的目的。5、产品差异化原则：认真分析市场需求、了解市场的区域性差别、针对产品的差异化要求、区异化的特点，来设计不同品种、不同的规格、不同质量的产品以满足不同用户的不同要求，以此来扩大市场占有率，寻求经济效益最大化，提高企业在国内外的知名度。五、 建设背景、规模（一）项目背景目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案，如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOS
15、FET，如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT，则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右（按照艾睿供应商网站价格计算，实际大批量采购价格更低），但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素，会率先在中高端车型上使用。1）损耗更低：根据ST的数据，800V系统下，1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低，在常用的25%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%，在100%负载下，SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2）高压下性能优势更加明显：在400V左右的直流母线电压下，需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下，功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控
