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1、IC 产业可分为设备业、设计业、加工业和支撑业包括硅晶圆、各种化学试剂、气体、引线框架等。IC 加工业本身按其挨次可分为光掩膜业、制造业包括 IDM#模式和 Foundry#模式、封装业和测试业。IC 制造流程见图一。LED 晶片生產流程圖：晶圆的生产工艺流程：从大的方面来讲，晶圆生产包括晶棒制造和晶片制造两大步骤，它又可细分为以下几道主要工序其中晶棒制造只包括下面的第一道工序，其余的全部属晶片制造，所以有时又统称它们为晶柱切片后处理工序：晶棒成长 - 晶棒裁切与检测 - 外径研磨 - 切片 - 圆边 - 表层研磨 - 蚀刻 - 去疵 - 抛光 - 清洗 - 检验 - 包装1、晶棒成长工序：它
2、又可细分为：1） 、溶化Melt Down：将块状的高纯度复晶硅置于石英坩锅内，加热到其熔点 1420C 以上，使其完全溶化。2） 、颈部成长Neck Growth：待硅融浆的温度稳定之后，将1.0.0方向的晶种渐渐插入其中，接着将晶种渐渐往上提升，使其直径缩小到确定尺寸一般约 6mm 左右，维持此直径并拉长100-200mm，以消退晶种内的晶粒排列取向差异。3） 、晶冠成长Crown Growth：颈部成长完成后，渐渐降低提升速度和温度， 使颈部直径渐渐加大到所需尺寸如 5、6、8、12 吋等。4、晶体成长Body Growth：不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，只到晶棒长度到
3、达预定值。5、尾部成长Tail Growth：当晶棒长度到达预定值后再渐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径渐渐变小，以避开因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分别。到此即得到一根完整的晶棒。2、晶棒裁切与检测Cutting & Inspection：将长成的晶棒去掉直径偏小的头、尾局部，并对尺寸进展检测，以打算下步加工的工艺参数。3、外径研磨Surface Grinding & Shaping：由于在晶棒成长过程中， 其外径尺寸和圆度均有确定偏差，其外园柱面也凹凸不平，所以必需对外径进展修整、研磨，使其尺寸、外形误差均小于允许偏差。4、切片Wire Saw Slicin
4、g：由于硅的硬度格外大，所以在本工序里， 承受环状、其内径边缘镶嵌有钻石颗粒的薄片锯片将晶棒切割成一片片薄片。5、圆边Edge Profiling：由于刚切下来的晶片外边缘很锐利，硅单晶又是脆性材料，为避开边角崩裂影响晶片强度、破坏晶片外表光滑和对后工序带来污染颗粒，必需用专用的电脑把握设备自动修整晶片边缘外形和外径尺寸。6、研磨Lapping：研磨的目的在于去掉切割时在晶片外表产生的锯痕和破损，使晶片外表到达所要求的光滑度。7、蚀刻Etching：以化学蚀刻的方法，去掉经上几道工序加工后在晶片外表因加工应力而产生的一层损伤层。8、去疵Gettering：用喷砂法将晶片上的瑕疵与缺陷感到下半层
5、，以利于后序加工。9、抛光Polishing：对晶片的边缘和外表进展抛光处理， 一来进一步去掉附着在晶片上的微粒，二来获得极佳的外表平坦度，以利于后面所要讲到的晶圆处理工序加工。10、清洗Cleaning：将加工完成的晶片进展最终的彻底清洗、风干。11、检验Inspection：进展最终全面的检验以保证产品最终到达规定的尺寸、外形、外表光滑度、平坦度等技术指标。12、包装Packing：将成品用柔性材料，分隔、包裹、装箱，预备发往以下的芯片制造车间或出厂发往订货客户。芯片生产工艺流程： 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序Wafer Fabrication、晶圆针测工序Wafer Probe、构
6、装工序Packaging、测试工序Initial Test and Final Test等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段Front End工序，而构装工序、测试工序为后段Back End 工序。1、晶圆处理工序：本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件如晶体管、电容、规律开关等，其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关， 但一般根本步骤是先将晶圆适当清洗，再在其外表进展氧化及化学气相沉积，然后进展涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤，最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。2、晶圆针测工序：经过上道工序后，晶圆上就形成了一个个的小格，即晶粒，一般状况下，
7、为便于测试，提高效率，同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可依据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测Probe仪对每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序：就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的一些引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，最终盖上塑胶盖板，用胶水封死。其目的是用以保护晶粒避开受到机械刮伤或高温破坏。到此才算制成了一块集成电路芯片即我们在电脑里可以看到的那些黑色或褐色，两边或四边带有很多插脚或引线的矩形
8、小块。4、测试工序：芯片制造的最终一道工序为测试，其又可分为一般测试和特别测试，前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等。经 测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。而特别测试则是依据客户特别需求的技术参 数，从相近参数规格、品种中拿出局部芯片，做有针对性的特地测试，看是否能满足客户的 特别需求，以打算是否须为客户设计专用芯片。经一般测试合格的产品贴上规格、型号及出 厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其到达的参数状况定 作降级品或废品。晶圆生产工艺流程介绍： 外表清洗2、 初次氧化3、 CVD(Chemical Vapor
9、deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。（1） 常压 CVD (Normal Pressure CVD)（2） 低压 CVD (Low Pressure CVD)（3） 热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)（4） 电浆增加 CVD (Plasma Enhanced CVD)（5） MOCVD (Metal Organic CVD) & 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy)（6） 外延生长法 (LPE) 4、 涂敷光刻胶（1） 光刻胶的涂敷（2） 预烘 (pre bake)（3） 曝光（4） 显影（5）
10、 后烘 (post bake)（6） 腐蚀 (etching)（7） 光刻胶的去除5、 此处用干法氧化法将氮化硅去除6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注入衬底，形成 P 型阱7、 去除光刻胶，放高温炉中进展退火处理8、 用热磷酸去除氮化硅层，掺杂磷 (P+5)离子，形成 N 型阱9、 退火处理，然后用 HF 去除 SiO2 层10、干法氧化法生成一层 SiO2 层，然后 LPCVD 沉积一层氮化硅11、利用光刻技术和离子刻蚀技术，保存下栅隔离层上面的氮化硅层12、湿法氧化，生长未有氮化硅保护的 SiO2 层，形成 PN 之间的隔离区13、热磷酸去除氮化硅，然后用 HF 溶液
11、去除栅隔离层位置的 SiO2 ，并重生成品质更好的 SiO2 薄膜 , 作为栅极氧化层。14、LPCVD 沉积多晶硅层，然后涂敷光阻进展光刻，以及等离子蚀刻技术，栅极构造，并氧化生成 SiO2 保护层。15、外表涂敷光阻，去除 P 阱区的光阻，注入砷 (As) 离子，形成 NMOS 的源漏极。用同样的方法，在 N 阱区，注入 B 离子形成 PMOS 的源漏极。16、利用 PECVD 沉积一层无掺杂氧化层，保护元件，并进展退火处理。17、沉积掺杂硼磷的氧化层18、濺镀第一层金属（1） 薄膜的沉积方法依据其用途的不同而不同，厚度通常小于 1um 。（2） 真空蒸发法 Evaporation Dep
12、osition （3） 溅镀 Sputtering Deposition 19、光刻技术定出 VIA 孔洞，沉积其次层金属，并刻蚀出连线构造。然后，用PECVD 法氧化层和氮化硅保护层。20、光刻和离子刻蚀，定出 PAD 位置21、最终进展退火处理，以保证整个 Chip 的完整和连线的连接性融化晶棒制造颈部成长晶冠成长晶体成长尾部成长沉积真空蒸发前段工序金属濺镀光刻真空溅射金属濺镀PECVD离子刻蚀退火处理芯片生产晶圆针测构装工序后段工序一般测试测试工序特别测试外表清洗NPCVD晶圆生产晶片制造晶棒裁切外径研磨切片圆边研磨初次氧化沉积涂光刻胶预烘曝光LPCVD HCVD MOCVD LPE蚀刻
13、去疵清洗检验包装显影后烘腐蚀除光刻胶干法氧化离子注入工退火处理艺晶圆处理除氮化硅退火处理流除 SiO2程离子刻蚀湿法氧化图涂敷光阻离子注入PECVD干式机械真空泵的应用是广泛的，主要有以下几个方面：1低压化学气相沉积中的多晶硅制备工艺中；2半导体刻蚀工艺。在这些生产工艺中往往用到或生成腐 蚀性气体和研磨微粒；3除半导体工艺外的某些产生微粒的工艺，不期望微粒混入泵油中，而期望微粒排出 泵外，则用确定型式的干式机械真空泵可以满足要求； 4在化学工业、医药工业、食品工业中的蒸馏、枯燥、脱泡、包装等，要防止有机溶剂造成污染，适合用干式真空泵；5用 做一般无油清洁真空系统的前级泵， 以防止油污染。Edw
14、ards 的 iGX 干式泵具有能耗低的特点，能够应用于大量中小功率的设备，包括：真空进样室、传送装置、计量、平版印刷术、PVD 工艺和预清洁、RTA、带材/粉末、氧化物、硅材料和金属的蚀刻以及注入源等等供给英国BOC EDWARDS 爱德华真空泵EDWARDS爱德华EM系列 E1M5, E1M8, E1M12, E1M18, E1M30, E1M40, E1M80, E1M175,E1M275, E2M0.7, E2M1, E2M1.5, E2M2, E2M5, E2M8, E2M12, E2M18 , E2M28, E2M30, E2M40, E2M80, E2M175, E 2M275, E-Lab2EDWARDS 爱德华RV 系列RV3, RV5, RV8, RV12EDWARDS 爱德华EH 系列 EH250, EH500, EH1200, EH2600, EH4200 EDWARDS 爱德华QMB 系列 QMB-250, QMB500, QMB1200英国爱德华BOC ED
