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1、全球最大HIT太阳能发电厂在意大利建成关键词: 太阳能发电太阳能电池意大利北极星太阳能光伏网讯:装配Panasonic集团的三洋电机HIT太阳能电池模组的太阳能发电厂在位于意大利的托雷圣苏珊娜建造完毕。该发电站设计发电7.567兆瓦，由32,202个HIT-235个太阳能电池模组组成，同时配备了太阳能跟踪器以获取最大化的发电量。这是欧洲最大的跟踪太阳能型发电站之一，同时也是世界范围内使用广受赞誉的HIT太阳能电池模组最大的系统。太阳能发电站项目最初由德意志银行的资产融资和租赁可再生能源部主导的事业联盟筹建。于去年12月建设完成并于今年4月与输电网进行了连接。世界上最大的电站之一意大利太阳能电站
2、投产 采用三洋HIT组件关键词: 意大利三洋HIT太阳能组件北极星太阳能光伏网讯: 采用三洋HIT组件的意大利普利亚地区太阳能电站被认为是世界上最大的电站之一，目前已经投入运营。坐落于托雷圣苏珊娜的该电站总装机容量达7.56MW，足以满足3,300个住户的供电需求。该项目是德意志银行、EST能源和太阳能科技公司、dean太阳能和三洋共同协作的结晶。“该电站并不是德意志银行首次涉足到可再生能源行业，到目前为止，德意志银行参与了50多个大型可再生能源项目，全球的总装机容量已经超过了850MW。”全球融资贷款项目主管Bernd Fislage表示。该项目中应用了32,000个三洋HIT组件总额达54
3、17万澳元，占地19公顷。三洋HIT(Heterojunction with Intrinsic Thin layer)组件是一种混合型太阳能组件，结合了一层薄薄的单晶硅层覆于超薄的非晶硅层。三洋该款新组件最高效率可达21.2%，实际整体效率在18.6%左右。三洋HIT的高效使其已经成为很多商业项目以及澳大利亚住宅光伏系统的重要选择。因为其不仅高效且在高温下的产能也很好，体积小，为更多屋顶空间有限的住户安装提供了方便。三洋电机厚98m的薄型HIT太阳能电池转换效率达23.7关键词: 三洋电机HIT太阳能电池北极星太阳能光伏网讯:三洋电机采用98m厚的薄型Si单元的HIT（Heterojunct
4、ionwithIntrinsicThinLayer）太阳能电池，实现了23.7的转换效率。该公司2009年9月发布的22.8的转换效率（厚度为98m）又提高了0.9个百分点。超过了该公司在2009年2月发布，HIT单元目前最高的转换效率23.0（厚度在200m以上）。转换效率的提高主要得益于以下三点：（1）改进透明导电膜（TCO），提高了孔迁移率；（2）改进布线部分，减小了布线暗影的影响，同时降低了电阻值；（3）提高对短波长光的反应，减小了光学损失。上述改进措施的具体方法均未透露。通过上述改进，开路电压（Voc）达到745mV、短路电流（Isc）达到3.966A、填充系数（FF）达到80.9。
5、单元面积为100.7cm2。此次转换效率的测定是由产业技术综合研究所在2011年5月31日实施的。发布会之后的提问中，有人询问在普通厚度的单元上应用此次成果的情况。对此，三洋电机表示“我们在研发中一直致力于降低成本，因此现有厚度的单元没有试用此次的成果”。结晶硅型太阳能电池的转换效率正在逐渐接近理论极限值。为了应对转换效率越来越难以提高的情况，三洋电机的研发正向在维持转换效率的情况下以单元薄型化来降低成本转移。日本最被认可的三洋HIT太阳能电池明年将投身于松下关键词: 太阳能太阳能电池三洋HIT北极星太阳能光伏网讯:最被认可的日本太阳能品牌之一三洋HIT太阳能电池明年将投身到松下品牌旗下。松下
6、收购三洋的举动据说是松下巩固其名下多领域产品的品牌化战略的一部分。松下表示，收购后，三洋仍然负责松下集团能源部门的关键领域。松下新的财政年度将始于2012年4月1日，届时，三洋出产的太阳能电池组件将使用PanasonicHIT品牌。Solar&SmartEnergy总裁charlesHanasaki说：品牌的改变是松下集团扩大其太阳能业务的全球战略的一部分，相同的生产和销售结构和其高级的HIT太阳能组件都将继续，只不过都是冠上松下的品牌。此外，松下集团将继续投资太阳能业务，为我们的业务合作伙伴提供更高层次的服务，为客户提供更高质量、更高效率的组件。三洋的内置异质结面薄膜(HIT)技术于1997
7、年推出，并迅速成为一个高度知名的品牌，其效率仅次于太阳能技术领军企业SunPower的太阳能电池效率。高效HIT太阳能光伏电池技术调研时间：2012-04-25 14:27:19 来源： 作者：HIT是HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer的缩写,意为本征薄膜异（膜厚510nm）质结.HIT太阳能电池是以光照射侧的p/i型a-Si膜和背面侧的i/n型a-Si膜（膜厚510nm）夹住单结晶Si片的来构成的.图一.HIT太阳能光伏电池结构HIT太阳能光伏电池基板以硅基板为主；在硅基板上沉积高能隙(Energybandgap)的硅奈米薄膜，表层再沉积透明导电膜，背
8、表面有着背表面电场。通过优化硅的表面织构，可以降低透明导电氧化层（TCO）和a-Si层的光学吸收损耗。HIT太阳能光伏电池抑制了p型、i型a-Si的光吸收率，而增强n型c-Si的光吸收率。HIT太阳能光伏电池在技术上的优势由于HIT太阳能电池使用a-Si构成pn结，所以能够在200以下的低温完成整个工序。和原来的热扩散型的结晶太阳电池的形成温度（900）相比较，大幅度地降低了制造工艺的温度。由于这种对称构造和低温工艺的特征，减少了因热量或者膜形成时产生的Si晶片的变形和热损伤，对实现晶片的轻薄化和高效化来说是有利的，具有业界领先的高转换效率（研究室水平为23，量产水平为20），即使在高温下，转
9、换效率也极少降低，利用双面单元来提高发电量。高效HIT太阳能光伏电池技术调研(二)关键词: HIT太阳能光伏电池北极星太阳能光伏网讯:HIT太阳能光伏电池的伏安曲线分析HIT太阳能光伏电池里p/n异质结中所发现的正向电流特性(0.4V附近)的变化是由于a-Si顶层膜中存在的高密度间隙态，引起异质结部耗尽层的再复合而造成的。对此，在顶层和结晶Si之间插入高质量a-Si膜(i型a-Si膜)，通过顶层内的电场来抑制复合电流，这就是HIT构造。通过导入约5nm左右的薄膜i型a-Si层，可看到反向的饱和电流密度降低了约2个数量级。亦即通过导入i型a-Si层，能够大幅度提高Voc,见下图.图三暗状态时的I
10、-V特性比较化学钝化和HIT太阳能光伏电池构造的寿命关系采用-PCD法测定HIT太阳能光伏电池的少子寿命。-PCD法得到的寿命值虽然同时反映了体复合速度和表面复合速度两方面，但由于是在同一批(LOT)里抽出相邻的芯片，所以可认为体(BULK)的影响基本相同，所不同的是表面的差异。根据下图可以发现，HIT构造的钝化性能要比化学钝化(CP法)更优异。图四化学钝化HIT太阳能光伏电池的Voc和寿命之间的依存性发现通过形成低损伤的a-Si膜和提高表面的清净度等可以提高寿命和Voc，Voc和寿命之间是一种正的线性关系。即HIT构造中的a-Si钝化性能的好坏和HIT太阳电池的Voc大小相关。所以，通过提高
11、a-Si的钝化性能以提高寿命的方法可以认为对提高HIT太阳电池的输出电压是有效的。图五Voc和载流子寿命(us)的关系HIT太阳能光伏电池单晶体硅的表面清洁度更高，同时抑制了非晶硅层形成时对单晶体硅表面产生的损伤。通过这些改良，这种电池的电能输出功率损失下降，开路电压得到了提高。HIT太阳能光伏电池优异的温度特性HIT太阳能光伏电池Voc越高输出特性的温度依存性越小。也就是说，HIT太阳能光伏电池的高效率化技术中的这种钝化技术的开发(即高Voc化)带来了温度特性的提高。由于新电池在温度上升时发电量的损失降低，预计它的年发电量将比传统晶硅太阳能电池提升44%。图六HIT太阳能光伏电高效HIT光伏
12、电池技术调研（三）关键词: 太阳能光伏电池光伏北极星太阳能光伏网讯:本文主要讲述HIT太阳能光伏电池的制造工艺、工艺改进以及HIT太阳能光伏电池的市场展望：一、HIT太阳能光伏电池的制作工艺HIT太阳能光伏电池的关键技术是a-Si:H薄膜的沉积，要求沉积的本征a-Si:H薄膜的缺陷态密度低，掺杂a-Si:H的掺杂效率高且光吸收系数低，最重要的是最终形成的a-Si:H/Si界面的态密度要低。目前，普遍采用的等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积法（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。PECVD法制备a-Si:H薄膜利用等离子里中丰
13、富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的重要方法。在真空状态下给气体施加电场，气体在电场提供的能量下会有气态转变为等离子体状态。其中含有大量的电子、离子、光子和各类自由基等活性粒子。等离子体是部份离子化的气体，与普通气体相比，主要性质发生了本质的变化，是一种新物质聚集态。等离子体中放置其中的衬底可以保持在室温，而电子在电厂的激发下会得到足够多的能量（2-5eV），通过与分子的碰撞将其电离，激发。PECVD的缺点表现在两个方面，一是它的不稳定性，二是电子和离子的辐射会对所沉积的薄膜构成化学结构上的损伤。等离子体作为准中性气体，它的状态容易被外部条件的改变而发生变化。衬底表面的带电状态，
14、反应器壁的薄膜附着，电源的波动，气体的流速都会改变活性粒子的种类和数量，并且等离子体的均匀性也难以控制，这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照，除了会影响沉积膜的质量，还会影响下面的硅衬底。光谱响应的研究结果表明对于蓝光区，HIT太阳能光伏电池的光谱相应提高，而在红光区，光谱相应变低。这说明对于本征层的钝化效果提高了蓝光光谱响应的结果，而对于硅片内部的损伤，则对红光部分，光谱相应降低，量子效率下降。对于这种情况，可以下调等离子体的功率，但是同时也会降低等离子体的稳定性。HWCVD热丝化学气相沉积制备a-Si:H薄膜是利用热丝对气体进行催化和分解的软性过程，不会产生高能粒子轰击，
15、对衬底的损伤较小，可以容易的移入或者移出沉积室，能够方便从实验室转换到生产线上。在HIT太阳能光伏电池中，非晶硅发射极和晶体硅之间夹着5纳米后，缺陷密度低于非晶硅的本征非晶硅薄膜。HWCVD的缺点在于非晶硅的外延可以穿透5纳米后的本征薄膜而与晶体硅直接接触，这样会导致高缺陷，这样界面面积和缺陷态密度的增大会导致高的暗电流，继而开路电压也会减低。在制备中将温度控制在200度以下能够抑制非晶硅的外延。二、HIT太阳能光伏电池工艺的改良方向提高界面钝化效果当非晶硅和晶体硅的界面陷阱密度由1011每平方厘米上升到1012每平方厘米时，电池效率会降低20%。本征非晶硅的钝化效果由于a-Si:H薄膜的存在
16、而变差，这可能是衬底中的少子波函数穿过本征非晶硅而和a-Si:H薄膜中的缺陷态相互作用，这样构成了载流子的复合通道。可以使用多形硅来作为钝化层，因为它具有更低的缺陷态密度和暗电流。高效HIT光伏电池技术调研（三）(2)关键词: 太阳能光伏电池光伏光陷结构和表面清洗将制绒后的织构表面层使用硫酸和双氧水进行氧化，然后使用使用浓度为1%的氢氟酸进行60到180秒的腐蚀，这样可以去除缺陷层来使粗糙度降低，接近抛光硅的效果。栅电极的优化设计如果可以去除栅线的延展部分，纵横比提高1.0以后，效率可以在提高1.6%。这取决于对于银浆的流变学研究和丝网印刷的改进。三、HIT光伏电池的市场展望目前，市面上的HIT太阳能光伏电池全部来源于
