《电磁场与电磁波(第4版)》勘误表1225.doc

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1、电磁场与电磁波(第4版)勘误表序号页码行数误正12倒3矢量的点积服从交互律和分配律矢量的点积服从交换律和分配律228倒2329144814利用散度定理, 利用散度定理,5491649352倒122. 电位移矢量和电介质中的高斯定律2. 电位移矢量和电介质中的高斯定理52倒9将真空中的高斯定律推广倒电介质中,得将真空中的高斯定理推广倒电介质中,得531这就是电介质中高斯定律的微分形式。这就是电介质中高斯定理的微分形式。538这就是电介质中高斯定律的积分形式。这就是电介质中高斯定理的积分形式。54倒11解:由高斯定律的微分形式解:由高斯定理的微分形式7551186149618106541166xy

2、zabB图2.5.3 时变场中的矩形线圈xyzabB图2.5.3 时变场中的矩形线圈12341266倒91369倒41472倒715808,在分界z = 0处,有,在分界面z = 0处,有168091781倒21887倒13工频下的金属导体中,频率时的金属导体中,1987倒132091倒52110014;2210982311312图 3.3.1小圆环电流图 3.3.1小圆环电流24113251218261243例如,当N=1时,例如,当N=1时,;27124528126倒329141倒7301752311778因此因此32181倒6根据式(4.5.3),根据式(4.5.4),33181倒134

3、189倒935195倒436196倒5371975例5.1.1 频率为100Mz的均匀电磁波,例5.1.1 频率为100Mz的均匀平面波,381993919940201倒5,但方向却随时变化,但方向却随时间变化,4120512在4.4.4小节中已指出,在4.5.4小节中已指出,42211643230744231倒6452471246248图47248图图 6.4.1 垂直极化波对理想导体平面的斜入射图 6.4.1 垂直极化波对理想导体平面的斜入射48250图492558垂直入射到一无损耗介质表面,垂直入射到一无损耗介质表面(),502552在cm处遇到理想导体,试求:在cm处遇到理想导体,试求

4、:51259倒1得到解析解就很困难,这时如果得到解析解就很困难。如果52283图TE11TM01TE21TE01 TM11TE21TM21TE12TM02 2.61 a 3.41a 图7.3.2 圆柱形波导中模式分布图53308倒6(1)当负载阻抗时,(1)当负载阻抗时,54309图553195563457573491583506593508f=100kHz时:,f=100kHz时:,60350倒761350倒6623511763351倒1064352165352倒7211倒92175333333413上的磁场可等效为一电流元,而电场可等效为一磁流元,且上的磁场可等效为一电流密度,而电场可等效为一磁流密度,且334倒33386对于E面 ,取,此时对于H面 ,取,此时338倒85

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