QuestionAnswerPIE品圜椎剥F 1快速忘 温S!程立光阻荆肇择描 iCTTH 麒址目嘴tu反俏I 基晶沈植□■阻尚尤ff此式箜上那械研度PIE1. 何谓PIE? PIE的主要工作是什幺？答：Process Integration Engineer（工艺整合工程师）,主要工作是整合各部 门的资源：对工艺持续进行改善，确保产品的良率（yield）稳定良好2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义？答：8时硅片（wafer）直径为200mm ,直径为300mm硅片即12牝3 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北京. 的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer工艺？答：当前1~3厂为200mm（8英寸）的wafer,工艺水平已达0.13um工艺未来北京厂工艺wafer将使用300mm（12英寸）4. 我们为何需要300mm?答：wafer size变大，单一 wafer上的芯片数（chip）变多，单位成本降低 200-300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍5.所谓的0・13 um的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0・13um的栅极线宽。
当栅极的线宽做 的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快6.从 0.35um->0・25um->0・18um->0.15um->0.13um 的 technology 改变又代表 的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高从0.35um -> 0.25um -> 0.18um -> 0.15um-> 0.13um代表着每一个阶段工艺能力的提升7.一般的硅片（wafer）基材（，讪$曲饨河区分为N，P两种类型（type），何谓N， P-type wafer?答：N-type wafer是指掺杂negative元素（5价电荷元素，例如：P、As） 的硅片，P-type的wafer是指掺杂positive元素（3价电荷元素，例 如：B、In）的硅片8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）?答：主要有四个部分：DIFF （扩散）、TF（薄膜）、PHOTO （光刻）、ETCH （刻蚀）其中DIFF又包括FURNACE（炉管）、WET（湿刻）、IMP（离子 注入）、RTP（^速热处理）TF包括PVD（物理气相淀积）、CVD（化学气 相淀积）、CMP（化学机械研磨）。
硅片的制造就是依据客户的要求，不 断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电 性的测试，确保产品良好9. 一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数（mask layer）来代表硅片工艺的 时间长短，请问几P几M及光罩层数（mask layer）代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly（多晶硅）和几层的metal（金属 导线）.一般0.15um的逻辑产品为1P6M（ 1层的Poly和6层的metal）而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO （光刻）・Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide和zero layer?其中start oxide 10的目的是为何？答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面② 在laser刻号过程中，亦可避免被产生的粉尘污染11. 为何需要 zero layer?答:芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的，各层次之间以zero layer当做 对准的基准12. Laser mark是什幺用途？ Wafer ID又代表什幺意义？答：Laser mark是用来刻wafer ID, Wafer ID就如同硅片的身份证一样, 一个ID代表一片硅片的身份。
13. 一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？答：①前段（frontend）-元器件（device）的制造过程② 后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份?答：①STI的形成（定义AA区域及器件间的隔离）② 阱区离子注入（well implant）用以调整电性③ 栅极（poly gate）的形成④ 源/漏极］source/drain）的形成⑤ 硅化物（salicide）的形成15. STI是什幺的缩写?为何需要STI?答：STI: Shallow Trench Isolation（浅沟道隔离），STI可以当做两个组件（device）间的阻隔，避免两个组件间的短路.16. AA是哪两个字的缩写?简单说明AA的用途?答：Active Area,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所在，在其上 形成源、漏和栅极两个AA区之间便是以STI来做隔离的17.在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数?答：①STI etch (刻蚀)的角度；② STI etch的深度；③ STI etch后的CD尺寸大小控制。
CD control, CD=critical dimension)在STI的形成步骤中有一道liner oxide (线形氧化层),liner oxide的特性 功能为何？答：Liner oxide为1100C, 120 min高温炉管形成的氧化层，其功能为：① 修补进STI etch造成的基材损伤；② 将STI etch造成的etch尖角给于圆化(corner rounding)o要注意SiN 的remain及 这里的SAC oxide是在 SiN remove及HDP oxide 的 loss pad oxide remove 后，再重新长过的 oxide19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤?功能为何？答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所需要的组件 电子特性，一般包含下面几道步骤：① Well Implant :形成 N,P 阱区；② Channel Implant :防止源/漏极间的漏电；③ Vt Implant:调整Vt （阈值电压）20. —般的离子注入层次（Implant layer）工艺制造可分为那几道步骤? 答：一般包含下面几道步骤：① 光刻（Photo）及图形的形成；② 离子注入调整；③ 离子注入完后的ash （plasma（等离子体）清洗）④ 光刻胶去除（PR strip）21. Poly （多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？答：①Gate oxide（栅极氧化层）的沉积；② Poly film的沉积及SiON（在光刻中作为抗反射层的物质）的沉积）；③ Poly图形的形成（Photo）；④ Poly 及 SiON 的 Etch；⑤ Etch完后的ash（ plasma（等离子体）清洗）及光刻胶去除（PR strip）；⑥ Poly 的 Re-oxidation（二次氧化）。
22. Poly （多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？答：①Poly的CD（尺寸大小控制；②避免Gate oxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23.何谓Gate oxide （栅极氧化层）？答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gate oxide，可调节栅极电压对 不同器件进行开关Drain漏极Gate oxide栅极氧化层 Substrate 基材24.源/漏极(source/drain )的形成步骤可分为那些？答：①LDD的离子注入(Implant)；② Spacer的形成；③ N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA： Rapid Thermal Anneal)25. LDD是什幺的缩写?用途为何？答: LDD: Lightly虫oped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏极，以防止组 件产生热载子效应的一项工艺③④26. 何谓Hot carrier effect (热载流子效应)?答：宽小于0・5um以下时，因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场, 导致载流子在移动时被加速产生热载子效应，此热载子效应会对gate oxide造成破坏，造成组件损伤。
27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric (介电质)形成的侧壁，主要由 Ox/SiN/Ox组成蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile(剖面轮廓)， 及remain oxide(残留氧化层的厚度)28. Spacer的主要功能？答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域；②作为Contact Etch时栅极的保护层29. 为何在离子注入后，需要热处理(Thermal 0皿函)的工艺？答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤；② 使注入离子扩散至适当的深度；③ 使注入离子移动到适当的晶格位置30. SAB是什幺的缩写?目的为何?答:SAB： Salicide block,用于保护硅片表面，在 RPO (Resist Protect Oxide) 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物(salicide)31.简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?答：①SAB光刻后（photo）,刻蚀后（etch）的图案（特别是小块区域）要 确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方②remain oxide （残留氧化层的厚度）。
有RPO保护的地方32. 何谓硅化物（salicide）?答:Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix, 一般来说是用来降低接触电阻 值（Rs, Rc）33. 硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些？答：①Co（或 Ti）+TiN的沉积；② 第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide③ 将未反应的Co（Ti）以化学酸去除④ 第二次RTA （用来形成Ti的晶相转化，降低其阻值）34. MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极（S/D）之间电流，实现其 开关特性35. 我们一般用哪些参数来评价device的特性？答：主要有 Idsat、Ioff、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc； 一 般要求 Idsat、 Vbk （breakdown）值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计 值.36. 什幺是Idsat?Idsat代表什幺意义？答：饱和电流也就是在栅压（Vg）一定时，源/漏（Source/Drain）之间流动的 最大电流.37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?答：Poly CD（多晶硅尺寸）、Gate oxide Thk（栅氧化层厚度）、AA（有源区） 宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp.条件。
38. 什幺是Vt? Vt代表什幺意义？答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的最小电压当 栅极电压Vg