《年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目建设环境评价报告.doc》由会员分享，可在线阅读，更多相关《年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目建设环境评价报告.doc（50页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、银笛（扬州）微电子有限公司建设项目环境影响报告书归档资料，核准通过。未经允许，请勿外传！银笛（扬州）微电子有限公司年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目环境影响报告书（简本）银笛（扬州）微电子有限公司2006年9月46目录1总论11.1任务由来11.2评价目的11.3编制依据21.4评价原则41.5评价重点51.6评价因子51.7评价等级51.8评价范围61.9评价工作技术路线72建设项目周围地区环境概况82.1自然环境概况82.2社会环境状况132.3经济开发区总体规划132.4开发区环境功能区划182.5评价标准182.6建设项目环境保护目标203工程分析223.1本项目概况223.
2、2生产工艺流程及原辅料能源消耗273.3主要生产、公用及贮运设备353.4公用工程353.5污染源分析374污染防治措施504.1大气污染防治措施评述504.2水污染防治措施评述524.3噪声污染防治措施评述564.4固体（废液）污染防治措施评述564.5非正常排放防范措施574.6绿化574.7排污口规范化设置594.8环保投资及“三同时”595清洁生产与循环经济分析625.1产业政策相符性分析625.2清洁生产625.3循环经济646环境质量现状评价656.1大气环境质量现状监测与评价656.2地表水环境质量现状监测及评价677环境影响预测及评价727.1大气环境影响预测及评价727.2地
3、表水环境影响分析857.3声环境影响分析857.4固废环境影响分析878施工期环境影响分析与防治888.1施工期环境影响分析888.2施工期环境影响防治899总量控制分析929.1总量控制要求929.2总量控制原则929.3总量控制因子929.4总量控制指标929.5总量平衡方案9310环境风险评价9410.1风险评价等级的确定9410.2风险识别9510.3源项分析9610.4事故防范9710.5结论10111项目厂址可行性分析10211.1项目选址与规划相容性10211.2项目选址与评价区域的环境质量现状的相容性分析10211.3本项目实施后对周围环境的影响10312公众参与10412.1
4、建设项目环评公众参与公示10412.2公众意见问卷调查10413环境经济损益分析10913.1经济效益分析10913.2社会效益分析10913.3环境效益分析10914环境管理与监控计划11114.1环境管理11114.2环境监控计划11214.3排污口规范化设置11315结论与建议11515.1结论11515.2建议1191 总论1.1 任务由来新加坡银笛科技（控股）私人股份有限公司，经过多年的攻关，攻克了功率场控器件用高阻厚外延和亚微米、深亚微米CMOS器件薄层外延制造技术，该成果得到了国家相关部委及高科技产品认定中心的认定。新加坡银笛科技（控股）私人股份有限公司已在上海金桥出口加工区投资
5、建设了外延片的生产基地，由于现目前国内半导体材料市场严重供不应求，为了满足国内外半导体市场的需求，决定在江苏省仪征经济开发区投资设立银笛（扬州）微电子有限公司，年产300万硅抛光片、60万硅外延片，主要生产412英寸的硅抛光片以及68英寸的硅外延片。本项目的建设有利于加速集成电路芯片主要材料的国产化进程。按照中华人民共和国环境保护法、中华人民共和国环境影响评价法和建设项目环境保护管理条例的有关规定，应当在工程项目可行性研究阶段对该项目进行环境影响评价。为此，银笛（扬州）微电子有限公司于2006年8月委托苏州工业园区新东方环境保护科学研究所承担该项目环境影响报告书的编制工作。我单位接受委托后，即
6、认真研究该项目的有关资料，并踏勘现场的社会、自然环境状况，调查、收集有关工程现有状况及拟建项目资料，通过对项目所在区域的环境特征和本项目的工程特征进行深入分析，编写了环境影响报告书。通过环境影响评价，了解建设项目周围的环境状况，预测建成后对周围水气声环境的影响程度和范围，并提出防治污染措施，减缓建设项目对周围环境的影响，为建成后的环境管理提供科学依据。2 主要环境保护目标表2-1环境保护目标环境要素环境保护对象方位距离（m）规模环境功能大气环境蒲新村（待拆迁）南100100户二类区水环境长江南2000类水体仪征与仪化水源取水口东1200050万吨/天扬州水厂取水口西8000声环境厂界周围厂界3
7、类区3 本项目概况3.1.1 本项目名称、建设地点、建设性质、投资总额、环保投资项目名称：银笛（扬州）微电子有限公司年产300万单晶硅抛光片、60万硅外延片项目建设地点：江苏省仪征经济开发区新区建设性质：外商投资新建投资总额：新建项目投资总额8000万美元，其中环保投资576万元3.1.2 本项目建设内容银笛（扬州）微电子有限公司向仪征市高新技术开发区提出生产、办公用房及生产设施的建设要求，仪征市经济开发区按要求建造厂房及相应的设施，然后租赁给银笛(扬州)微电子有限公司使用。租用厂房面积约48680，包括外延片生产厂房、抛光片生产厂房、综合动力站、化学品库、办公楼、门卫等。设施主要包括供水系统
8、、循环冷却水系统、纯水系统、变配电系统、应急电源、通信信息及生命安全系统、空调净化系统、压缩空气系统、制冷及供热系统、环保设施（废水处理站、废气处理设施）、消防设施、劳动保护安全设施以及室外工程等。项目主体工程与设计能力情况见表3-1，公用及辅助工程的组成见表3-2。表3-1 项目主体工程与设计能力序号工程名称（车间或生产线）产品名称及规格设计能力/年运行时数1单晶硅抛光片4英寸40万片8520h6英寸150万片8英寸80万片12英寸30万片合计300万片2硅外延片6英寸30万片8英寸30万片合计60万片表3-2 公用及辅助工程类别建设名称设计能力备注贮运工程甲类化学品仓库面积200m2采用防
9、腐蚀环氧树脂地面，主要存放硫酸、硝酸、双氧水、盐酸、氢氟酸、氨酸和氢氧化钠溶液等仓库面积4000 m2主要存放原料单晶硅棒、硅衬底材料和成品废弃物仓库面积100 m2存放各类酸碱废液和固体废弃物气体供应站面积4000 m2由专业公司建站制造，提供氢气、氮气等特气存储特种气体存放于进口的特气钢瓶柜，HCl、SiHCl3钢瓶柜各2个，PH3、B2H6各一个公用工程给水102.1万t/a仪征经济开发区给水管网提供排水65.93万t/a生产废水经厂内自建废水处理站处理达到接管标准后和生活污水进入真州污水处理厂处理供电5452.8万度由开发区的110KV变电所提供纯水制备110t/h纯水制备系统供纯水，
10、用于满足生产中的使用纯水循环冷却系统400t/h公司设有一套由水泵、冷却水塔、循环水箱等组成的冷却循环系统。供汽为了满足生产中对热源的需要和冬天采暖，本项目年消耗蒸汽量为的10万吨，有开发区的供气管网提供。空调系统为改善劳动环境，满足生产需要，设置一套中央空调系统，由冷却塔、加压泵和冷冻机组成。绿化为美化环境、净化空气、降低噪声，厂内在空闲地带、道路两侧进行种草植树，绿化面积51979 m2，绿化达到38.8%环保工程废气处理对工程中产生的各种废气采用技术可行、经济合理的治理措施，即酸性废气进入采用碱液进行淋洗；碱性废气采用酸液进行淋洗；甲苯采用活性炭吸附；特性废气采用专门的湿式外延气体清洗器
11、处理，各种废气均达标排放废水处理公司建设一套废水处理设施，针对不同水质，采用不同方式，对生产废水进行有效处理，达到接管标准后和生活污水进入真州污水处理厂处理，经处理达标后，统一排入长江仪征段噪声处理采用低噪声设备、隔声减震、绿化吸声等措施固废处理按照规定对产生的固体废物进行处置3.1.3 占地面积、厂区布置占地面积：本项目总占地面积133334m2，所占土地为仪征经济开发区新区高新技术产业用地。厂区布置：厂区包括生产用房、办公楼、辅助生活设施、甲类化学品仓库、仓库、成品仓库、气体供应站、综合动力站及发展预留用地等3.1.4 职工人数、工作制度职工人数：公司职工总人数220人，其中技术人员160
12、人。工作制度：预计年工作日355天，每天工作24小时，年工作时数为8520小时。3.2 生产工艺流程及原辅料能源消耗3.2.1 生产工艺流程一、单晶硅抛光片制作固定切片快速退火倒角分档检测研磨磨片检测腐蚀A/B分档检测粗抛光RCA清洗检测纯水洗检测包装出货单晶硅棒水S1 W1S2 W2S3纯水洗氮气氧气磨片剂S4水W3水纯水洗A：混酸B：碱液氮气A：G7、8 S11B：S12水A：W11B：W12纯水洗水W13纯水洗精抛光研磨剂S13精磨剂S14水W14RCA清洗W410S610G26图3-1 单晶硅抛光片工艺流程及产污节点图溶剂G1 S5清洗W1521S1519G913水W22生产工艺流程具
13、体介绍如下：固定：将单晶硅棒固定在加工台上。切片：将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火：双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至300500，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角：将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生，增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测：为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。研磨：用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光过程可以处理的规格。此过程产生废磨片剂。清洗：通过有机溶剂的溶解作用，结合超声波清洗技术去除硅片表面的有机杂质。此工序产生有机废气和废有机溶剂。RCA清洗：通过多道清洗去除硅片表面的颗粒物质和金属离子。具体工艺流程如下：SPM清洗纯水洗DHF清洗纯水洗APM清洗HPM清洗纯水洗DHF清
