蔡司SIGMA电镜技术说明.doc

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1、CarlZeissSMT场发射扫描电镜技术文件仪器型号:SIGMA2011年8 月 26 日附件一: 聚焦CARLZEISS世界可见光及电子光学的领导企业-德国蔡司公司始创于1846年。其电子光学前身为LEO(里奥),更早叫Cambridge(剑桥)和Zeiss。积扫描电镜领域40多年及透射电镜领域60年的经验,ZEISS电子束技术在世界上创造了数个第一: 第一台静电式透射电镜 (1949) 第一台商业化扫描电镜 (1965) 第一台数字化扫描电镜(1985) 第一台带有成像滤波器的透射电镜 (1992) 第一台场发射扫描电镜(1990) 第一台具有Koehler照明的 200kV 场发射透射

2、电镜(2003) 第一台具有镜筒内校正Omega能量滤波器的场发射透射电镜(2003)CARL ZEISS其前瞻性至臻完美的设计融合欧洲至上制造工艺造就了该品牌在光电子领域无可撼动的王者地位。自成立至今,一直延续不断创新的传统,公司拥有广泛的专有技术,随着离子束技术和基于电子束的分析技术的加入、可为您提供钨灯丝扫描电镜、场发射扫描电镜、双束显微镜(FIB and SEM)、透射电子显微镜等全系列解决方案。其产品的高性能、高质量、高可靠性和稳定性已得到全世界广大用户的信赖与认可。作为全球电镜标准缔造者的CARL ZEISS将一路领跑高端电镜市场为您开创探求纳米科技的崭新纪元。 上海欧波同仪器有限

3、公司做为Carl Zeiss SMT下属的纳米技术系统部的合作伙伴,在北京,上海,广州,鞍山设有营销公司和维修服务站,致力于蔡司电镜的技术咨询,销售和售后服务工作。附件二:设备主要用途扫描电镜是以电子束作为光源,电子束在加速电压的作用下经过三级 电磁透镜,在末级透镜上部扫描线圈的作用下,在试样表面做光栅状扫描,产生各种同试样性质有关的物理信息(如二次电子,背反射电子),然后加以收集和处理,从而获得表征试样形貌的扫描电子像。扫描电镜(SEM)广泛地应用于金属材料(钢铁、冶金、有色、机械加工)和非金属材料(化学、化工、石油、地质矿物学、橡胶、纺织、水泥、玻璃纤维)等检验和研究。在材料科学、金属材料

4、、陶瓷材料半导体材料、化学材料等领域,进行材料的微观形貌、组织、成分分析。各种材料的形貌组织观察,材料断口分析和失效分析,材料实时微区成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面扫描和线扫描分布测量,晶体/晶粒的相鉴定,晶粒尺寸、形状分析,晶体、晶粒取向测量。选配附件:能谱仪:即X射线能量色散谱仪,简称EDS主要是用来分析材料表面微区的化学成分,分析方式有定点定性分析、定点定量分析、元素的线分布、元素的面分布。波谱仪:(即X射线波长色散谱仪,简称WDS),用作微区成分分析。分析精度方面比能谱仪精度更高,可以做成分的定量分析。EBSD(电子背散射衍射仪):EBSD主要可做单晶体的物相分析,同

5、时提供花样质量、置信度指数、彩色晶粒图,可做单晶体的空间位向测定、两颗单晶体之间夹角的测定、可做特选取向图、共格晶界图、特殊晶界图,同时提供不同晶界类型的绝对数量和相对比例,即多晶粒夹角的统计分析、晶粒取向的统计分析以及它们的彩色图和直方统计图,还可做晶粒尺寸分布图,将多颗单晶的空间取向投影到极图或反极图上可做二维织构分析,也可做三维织构即ODF分析。离子溅射仪:样品镀覆导电膜(金膜),喷碳,使绝缘材料能够导电,是配合扫描电子显微镜制样必备的仪器。附件三:技术指标ZEISS的场发射扫描电镜全部采用新一代专利镜筒(GEMINI)设计,具有优良的高、低加速电压性能;创新的InLens设计是目前世界

6、上唯一真正的内置镜筒电子束光路上二次电子探测器,其具有最佳的灵敏度和最高的接收效率,而且只接收来自样品表面的二次电子,因此具有业界最高等级的分辨率和图像质量,二次电子探测器和背散射电子探测器均内置于镜筒电子束光路上,试样的工作距离不受背散射探测器的影响,可以非常接近极靴,这样可以同时获得最高的二次电子像分辨率和背散射电子像分辨率,且接收的背散射电子的能量可以控制。创造性的采用电磁、静电复合式物镜,杂散磁场小,可对铁磁体样品进行高分辨率成像。SIGMA是一台高性能、功能强大的高分辨应用型扫描电子显微镜。系统采用多接口的大样品室和艺术级的物镜设计,提供高真空成像功能,可对各种材料表面作分析。并且具

7、有业界领先的X射线分析条件,样品台为五轴全自动控制。标准的高效率无油涡轮分子泵满足快速的样品更换和无污染成像分析。主要参数:1. 工作条件1.1. 电源电压:220V10V, 单相 50Hz1.2. 工作温度:18C25C1.3. 接地:独立的接地线1.4. 仪器运行的持久性:长时间连续工作1.5. 磁场: 3 mGauss1.6. 湿度: 60% RH2. 性能2.1. 分辨本领二次电子像分辨率:1.3nm (20 kV)1.5nm (15 kV)2.8nm (1kV)2.2. 电子源加速电压:调整范围:100 V30 kV调整步长:每档10 V连续可调2.3. 探针电流:4 pA20 nA

8、 稳定性: 优于 0.2%/h2.4. 放大倍率:范围: 121000,000放大倍数调整:粗、细调模式连续可调预设定:可从用户菜单中选择设定值自动补偿:随着工作距离或加速电压的变化,自动精确校正放大倍数。校准:对于图像输出装置的改变,自动精确校正放大倍数。3. 电子光学系统3.1. 电子发射源:Schottky型场发射(热场发射)电子源3.2. 透镜系统:电磁/静电式透镜会聚系统3.3. 聚焦:工作距离:范围可由1mm至50mm。控制:具有灵敏度与放大倍数相关的粗调和细调。自动聚焦控制:粗调、细调。聚焦补偿:在整个加速电压变化范围内,自动补偿。动态聚焦:对倾斜样品进行聚焦矫正。旋转补偿:自动

9、矫正由于工作距离的变化引起的图像旋转。倾斜补偿:自动矫正由于样品倾斜引起的放大倍数变化。3.4. 消像散器八极电磁式系统3.5. 光栏数量:不少于 5个调整:电磁选择和软件调整3.6. 扫描扫描速率:0.1秒/帧30分/帧(或更宽)扫描方式:全帧、选区、定点、线扫描、扫描旋转、倾斜补偿3.7. 电子束位移不小于15m4. 样品室4.1. 样品室尺寸: 330mm(直径)x 270mm(高)4.2. 最大样品尺寸: 200mm(直径)4.3. 样品置换时间(抽真空时间):不大于 5分钟4.4. 附件接口:在样品室上提供不少于六个附件接口,可同时接X射线能谱、背散射电子探测器等。4.5. 样品台类

10、型:5轴马达驱动装配方式:抽屉式拉门。控制:双操纵杆控制盒移动范围: X:125mmY:125mmZ:50mmT:0+90R:360连续可调5. 探测器5.1. 探测器类型镜筒内(In-lens)二次电子探测器样品室二次电子探测器背散射电子探测器CCD 摄像机5.2. 控制自动对比度/亮度手动对比度/亮度6. 信号选择二次电子信号、背散射电子信号等,任何二个通道信号都可进行混合,以获取更佳的图像效果。7. 图像显示7.1. 存储分辨率:不小于 3k x 2k像素(最大)7.2. 显示分辨率:1024 x 768像素7.3. 降噪处理:像素平均、连续平均、帧和行叠加7.4. 具有数据区、状态显示

11、、图像注释和测量功能7.5. 可在Windows支持的外部设备上存储及打印图像8. 显示器:19 液晶显示器9. 计算机环境(最低配置)9.1. 中央处理器:CPU:Intel P4 3.2GHz。内存:3G9.2. 操作系统:Microsoft Windows XP9.3. 外界接口:串行、并行、SCSI、USB 2.0接口、网络。9.4. 磁盘驱动器:硬盘:最小1000 GB;CD刻录机。9.5. 电镜控制操作软件。10. 真空系统:全自动控制样品室极限真空度:优于2.010-4Pa11、X射线能谱仪11.1、探测器制冷方式:电制冷型。11.2、探测器:硅漂移探头。11.3、有效探测面积:20mm2。11.3、100,000cps时的能量辨率:Mn Ka:127eVF Ka:66eVC Ka:56eV其 它:133eV11.4、分析元素范围:Be4-U9211.5、最大输入计数:3,000,000cps11.6、最在输出计数:1,100,000cps

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