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1、word光刻工艺 B) V! y, V0 s X5 w* R光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上，为下一步进展刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的本钱约为整个硅片制造工艺的1/3，消耗时间约占整个硅片工艺的4060%。光刻机是生产线上最贵的机台，515百万美元/台。主要是贵在成像系统由1520个直 径为200300mm的透镜组成和定位系统定位精度小于10nm。其折旧速度非常快，大约39万人民币/天，所以也称之为印钞机。光刻局部的主 要机台包括两局部：轨道机Tracker，用于涂胶显影；扫描曝光机Scanning )$ S! 5 , d, r$ n
2、( R# C* 光刻工艺的要求：光刻工具具有高的分辨率；光刻胶具有高的光学敏感性；准确地对准；大尺寸硅片的制造；低的缺陷密度。6 a3 w6 u7 X5 e0 Y6 9 E光刻工艺过程# H: # b4 L/ Y6 K3 v7 F# B一般的光刻工艺要经历硅片外表清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干Cleaning and Pre-Baking方法：湿法清洗去离子水冲洗脱水烘焙热板1502500C,12分钟，氮气保护) G9 S; X# w4 IG6 o Dh/ R4 n目的：a、除去外表的污染物颗粒、有机物、工艺剩余、可动离子；b、
3、除去水蒸气，是基底外表由亲水性变为憎水性，增强外表的黏附性对光刻胶或者是HMDS-六甲基二硅胺烷。0 F/ R0 S u! z2、涂底Priming)9 V. M5 5 J- h( _, pC& _3 W) i方法：a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸气淀积，2002500C,30秒钟；优点：涂底均匀、防止颗粒污染； b、旋转涂底。缺点：颗粒污染、涂底不均匀、HMDS用量大。目的：使外表具有疏水性，增强基底外表与光刻胶的黏附性。6 k gn% g c4 3、旋转涂胶Spin-on PR Coating方法：a、静态涂胶Static。硅片静止时，滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶剂原光刻胶的溶剂约占6
4、585%,旋涂后约占1020%；b、动态Dynamic。低速旋转500rpm_rotation per minute、滴胶、加速旋转3000rpm、甩胶、挥发溶剂。% G& D3 H3 Y( V8 I8 Z1 ) V决定光刻胶涂胶厚度的关键参数：光刻胶的黏度Viscosity，黏度越低，光刻胶的厚度越薄；旋转速度，速度越快，厚度越薄；# |2 Z u8 w v4 s; j6 影响光刻胶厚度均运性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。3 P: Rr# 3 Q1 w* J2 ; |6 H一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率
5、：I-line最厚，约0.73m；KrF的厚度约0.40.9m；ArF的厚度约0.20.5m。4、软烘Soft Baking方法：真空热板，85120,3060秒；目的：除去溶剂47%；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除EBR，Edge Bead Removal。光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离Peeling而影响其它局部的图形。所以需要去除。. mo& e0 k q8 N+ k/ m( f% b+ i方法：a、化学的方法Chemical EBR。软烘后，用PGMEA或EG
6、MEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；b、光学方法Optical EBR。即硅片边缘曝光WEE，Wafer Edge Exposure。在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解9 ; D; 7 S F H5、对准并曝光Alignment and Exposure0 6 t% L o5 v2 i2 ZW) ?2 g/ Z对准方法：a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进展激光自动对准；b、通过对准标志Align Mark，位于切割槽Scribe Line上。另外层间对准，即套刻精度Overlay，保证图形与硅片上已经存在的图形
7、之间的对准。0 $ U$ L1 i. i+ q+ a8 r r曝光中最重要的两个参数是：曝光能量Energy和焦距Focus。如果能量和焦距调整不好，就不能得到要求的分辨率和大小的图形。表现为图形的关键尺寸超出要求的X围。; M8 S r+ |# r曝光方法：a、接触式曝光Contact Printing。掩膜板直接与光刻胶层接触。曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当，设备简单。缺点：光刻胶污染掩膜板；掩膜板的磨损，寿命很低只能使用525次；1970前使用，分辨率0.5m。* v8 Z& l3 c: . l6 Vb、接近式曝光Proximity Printing。掩膜板与光刻胶层的略微分开
8、，大约为1050m。可以防止与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤。但是同时引入了衍射效应，降低了分辨率。1970后适用，但是其最大分辨率仅为24m。c、投影式曝光Projection Printing。在掩膜板与光刻胶之间使用透镜聚集光实现曝光。一般掩膜板的尺寸会以需要转移图形的4倍制作。优点：提高了分辨率；掩膜板的制作更加容易；掩膜板上的缺陷影响减小。/ I6 Y1 C& a 8 u# C! q1 T# ?: 1 d 投影式曝光分类：扫描投影曝光Scanning Project Printing。70年代末80年代初，1m工艺；掩膜板1：1，全尺寸；步进重复投影曝光Stepping-repea
9、ting Project Printing或称作Stepper。80年代末90年代，0.35mI line0.25mDUV。掩膜板缩小比例4：1，曝光区域Exposure Field2222mm一次曝光所能覆盖的区域。增加了棱镜系统的制作难度。扫描步进投影曝光Scanning-Stepping Project Printing。90年代末至今，用于0.18m工艺。采用6英寸的掩膜板按照4：1的比例曝光，曝光区域Exposure Field2633mm。优点：增大了每次曝光的视场；提供硅片外表不平整的补偿；提高整个硅片的尺寸均匀性。但是，同时因为需要反向运动，增加了机 械系统的精度要求。2 S8
10、 M% ?( T: h3 I$ d O: D; J5 v+ L在曝光过程中，需要对不同的参数和可能缺陷进展跟踪和控制，会用到检测控制芯片/控片 Monitor Chip。根据不同的检测控制对象，可以分为以下几种：a、颗粒控片Particle MC：用于芯片上微小颗粒的监控，使用前其颗粒数应小于10颗；b、卡盘颗粒控片Chuck Particle MC：测试光刻机上的卡盘平坦度的专用芯片，其平坦度要求非常高；c、焦距控片Focus MC：作为光刻机监控焦距监控；d、关键尺寸控片Critical Dimension MC：用于光刻区关键尺寸稳定性的监控；e、光刻胶厚度控片PhotoResist T
11、hickness MC：光刻胶厚度测量；f、光刻缺陷控片PDM，Photo Defect Monitor：光刻胶缺陷监控。( m9 P+ Y M% V8 _2 d5 h2 C& U- d举例：0.18m的CMOS扫描步进光刻工艺。 |5 u N$ - W G0 ! O光源：KrF氟化氪DUV光源248nm ；数值孔径NA：0.60.7； 焦深DOF：0.7m分辨率Resolution：0.180.25m一般采用了偏轴照明OAI_Off- Axis Illumination和相移掩膜板技术PSM_Phase Shift Mask增强；套刻精度Overlay：65nm；产能Throughput：3
12、060wafers/hour200mm；Z2 n2 i9 Y0 o+ U 视场尺寸Field Size：2532mm；( De$ k9 S8 L 6、后烘PEB，Post Exposure Baking& d5 G& r1 $ 方法：热板，1101300C,1分钟。: j3 k& L, 1 N; y+ N# I& 目的：a、减少驻波效应；b、激发化学增强光刻胶的PAG产生的酸与光刻胶上的保护基团发生反响并移除基团使之能溶解于显影液。. q1 Y9 _! s: _ $ n& n7、显影Development6 V( H$ ? D$ ) W# 方法：a、整盒硅片浸没式显影Batch Develop
13、ment。缺点：显影液消耗很大；显影的均匀性差；b、连续喷雾显影Continuous Spray Development/自动旋转显影Auto-rotation Development。一个或多个喷嘴喷洒显影液在硅片外表，同时硅片低速旋转100500rpm。喷嘴喷雾模式和硅片旋转速度是实现硅片间溶 解率和均匀性的可重复性的关键调节参数。c、水坑旋覆浸没式显影Puddle Development。喷覆足够不能太多，最小化背面湿度的显影液到硅片外表，并形成水坑形状显影液的流动保持较低，以减少边缘显影速率的变 化。硅片固定或慢慢旋转。一般采用屡次旋覆显影液：第一次涂覆、保持1030秒、去除；第二次涂
14、覆、保持、去除。然后用去离子水冲洗去除硅片两面的 所有化学品并旋转甩干。优点：显影液用量少；硅片显影均匀；最小化了温度梯度。显影液：a、正性光刻胶的显影液。正胶的显影液位碱性水溶液。KOH和NaOH因为会带来可 动离子污染MIC，Movable Ion Contamination，所以在IC制造中一般不用。最普通的正胶显影液是四甲基氢氧化铵TMAH标准当量浓度为0.26，温度 15250C。在I线光刻胶曝光中会生成羧酸，TMAH显影液中的碱与酸中和使曝光的光刻胶溶解于显影液，而未曝光的光刻胶没有影响；在化学放大光刻 胶CAR，Chemical Amplified Resist中包含的酚醛树脂以
15、PHS形式存在。CAR中的PAG产生的酸会去除PHS中的保护基团t-BOC，从而使PHS快速溶解于TMAH显 影液中。整个显影过程中，TMAH没有同PHS发生反响。b、负性光刻胶的显影液。二甲苯。清洗液为乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。- ) , b: A2 n* u显影中的常见问题：a、显影不完全Inplete Development。外表还残留有光刻胶。显影液不足造成；b、显影不够Under Development。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；c、过度显影Over Development。靠近外表的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。8、硬烘Hard Baking7 f- A; M/ s0 l0 H9 a# C; v方法：热板，1001300C略高于玻璃化温度Tg，12分钟。 z$ N/ a) d* d! O# I目的：a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂以免在污染后续的离子注入环境，例如DNQ酚醛树脂 光刻胶中的氮
