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1、电子电路基础习题册参考答案（第三版）全国中等职业技术第一章 常用半导体器件1-1 晶体二极管一、 填空题1、物质按导电能力的强弱可分为 导体 、 绝缘体 和 半导体 三大类，最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。2、根据在纯净的半导体中掺入的 杂质 元素不同，可形成 N 型半导体和 P 型半导体。3、纯净半导体又称 本征 半导体，其内部空穴和自由电子数 相等 。N型半导体又称 电子 型半导体，其内部少数载流子是 空穴 ；P型半导体又称 空穴 型半导体，其内部少数载流子是 电子 。4、晶体二极管具有 单向导电性 ，即加正向电压时，二极管 导通 ，加反向电压时，二极管 截止 。一般硅二极管的开启电压
2、约为 0.5 V，锗二极管的开启电压约为 0.1 V；二极管导通后，一般硅二极管的正向压降约为 0.7 V,锗二极管的正向压降约为 0.3 V。5.锗二极管开启电压小，通常用于 检波电路 ，硅二极管反向电流小，在 整流电路 及电工设备中常使用硅二极管。6.稳压二极管工作于 反向击穿 区，稳压二极管的动态电阻越小，其稳压性能 好 。7在稳压电路中，必须串接 限流 电阻，防止 反向击穿电流 超过极限值而发生 热击穿 损坏稳压管。8二极管按制造工艺不同，分为 点接触 型、 面接触 型和 平面 型。9、二极管按用途不同可分为 普通二极管 、 整流二极管 、 稳压二极管 、 开关 、 热敏 、 发光 和
3、 光电二极管 等二极管。10、二极管的主要参数有 最大整流电流 、 最高反向工作电压 、 反向饱和电流 和 最高工作频率 。11、稳压二极管的主要参数有 稳定电压 、 稳定电流 和 动态电阻 。12、图1-1-1所示电路中，二极管V1、V2均为硅管，当开关S与M相接时，A点的电位为 无法确定 V,当开关S与N相接时，A点的电位为 0 V.13图1-1-2所示电路中，二极管均为理想二极管，当开关S打开时，A点的电位为 10V 、流过电阻的电流是 4mA ；当开关S闭合时，A点的电位为 0 V，流过电阻的电流为 2mA 。14、图1-1-3所示电路中，二极管是理想器件，则流过二极管V1的电流为 0
4、.25mA ，流过V2的电流为 0.25mA ,输出电压U0为 +5V。15、光电二极管的功能是将 光脉冲 信号转换为 电 信号，发光二极管的功能是将 电 信号转换为 光 信号。16、用数字式万用表测量二极管，应将功能开关置于 二极管 挡，将黑表笔插入 com 插孔，接二极管的 负 极；红表笔插入 V, 插孔，接二极管的 正 极，其显示的读数为二极管的 正向压降 。一、 判断题1、在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（ ）2、P型半导体中，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（ ）3、晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（ ）4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。（ ）5
5、、硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（ ）6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（ ）7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。（ ）8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（ ）9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压，PN结就会击穿。（ ）10、二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（ ）11、用500型万用表测试发光二极管，应选R10K挡。（ ）三、选择题1、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A ）。A增大 B .减小 C. 不变2、测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（ A ）。A .R1
6、00或R1K B. R 1 C. R10K3、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ B ）。A. P型半导体 B. 本征半导体 C、 N型半导体4、稳压管的稳压性能是利用（ B ）实现的。APN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性 CPN结的正向导通特性5、电路如图1-1-4所示，已知两个稳压管的UZ1=7V，UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V，则输出电压U0为（ C ）A. 12V B. 5.7V C. 7.7V D.7V 6、在图1-1-5所示的电路中，流过二极管的电流I1、I2分别是（ D ）。A.I1=8mA , I2=0 B. I1=2mA C. I1=0,
7、 I2=6mA D. I1=0, I2=8mA7、二极管的正向电阻（B ）反向电阻。A.大于 B. 小于 C.等于 D.不确定8、电路如图1-1-6所示，V为理想二极管，则二极管的状态为（A ）。A.导通 B.截止 C.击穿9、上题中，A、B两端的电压为（ C ）。A.3V B. -3V C.6V D.-6V 10、某二极管反向击穿电压为140V，则它的最高反向工作电压为（ C ）。A. 280V B. 140V C. 70V D. 40V11、二极管电路如图1-1-7所示，（1）处于导通状态的二极管是（ A ）。A只有V1导通 B只有V2导通 CV1、V2均导通 DV1、V2均不导通（2）考
8、虑二极管正向压降为0.7V时，输出电压U0为（ B ）。A-14.3V B-0.7V C-12V D-15V12、P型半导体中多数载流子是（ D ），N型半导体中多数载流子是（ C ）。A正离子 B负离子 C自由电子 D.空穴13、用万用表R10和R1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（ C ）。A相同 BR10挡的测试值较小 CR1K挡的测试值较小14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（ c ）。A二极管的质量差 B万用表不同欧姆档有不同的内阻 C二极管有非线性的伏安特性二、 简答题 1、什么是本征半导体？N型半导体？PN结？ 答：本征半导体即纯净
9、的单晶半导体，其内部存在数量相等的两种载流子，一种是负电的自由电子，另一种是带正电空穴。 N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量，P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区，一边形成N型半导体。五分析、计算、作图题1、判断图1-1-8中，理想二极管导通还是截止，若导通，则流过二极管的电流是多少？解：图a) V导通，I=5mA图b) V截止,I=0图c) V导通，I=10mA2、在图1-1-9所示电路中，二极管为理想二极管，ui=10sintV, 试画出输出电压波形。3、在图1-1-10 所示电路中，二极管为
10、硅管，求A点电位和流过二极管的电流。4、在图1-1-11所示电路中，二极管是导通还是截止，输出电压U0是多少？ 图1-1-11解： a)V导通，U0=11.3V b)V导通，I0=15-12/3=2mAUR=13=3V UO=UR-15=-12Vc)V导通 ， UO=0.7V 1-2 晶体三极管一、填空题1、三极管有两个 PN 结，分别为 发射结 、 集电结 ，三个电极分别为 发射极 、 基极 和 基极 ，三极管按内部结构不同可分为 NPN 和 PNP 型。2、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是 发射结 正偏 和 集电结 反偏，电流分配关系是 IE=IC+IB 。3、在模拟电子电路中，晶体
11、管通常被用作 电流控制 元件，工作在输出特性曲线上的 放大 区；在数字电子电路中，晶体三极管通常被用作 开关 元件，工作在输出特性曲线上 区或 饱和 区或 截止 区。4、在一块正常放大电路板上，测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.2V、-14V，则该管为 PNP 型 锗 材料三极管，1脚是 发射 极，2脚是 基 极，3脚是 集电 极。5、NPN型三极管，挡UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 饱和 状态；当UBE0.5V，UBEUCE时，工作在 放大 状态；当UBE0时，工作在 截止 状态。6、当温度升高时，三极管的电流放大系数将 升高 ，穿透电流ICEO将 增加 ，发射结
12、电压UBE将 增大 。7、衡量晶体三极管放大能力的参数是 共射电流放大系数 ，三极管的主要极限参数有集电极最大允许电流 、 集-发反向击穿电压 、 集电极最大允许耗散功率 。8、因为晶体三极管的穿透电流随温度的升高增大，而锗管的穿透电流比硅管 大 ，所以 硅 三极管的热稳定性好。9、三极管的输出特性可分为三个区域，即 截止 区和 放大 区，当三极管工作在 饱和 区时，IC=IB才成立；当三极管工作在包河区时UCE= UCES ；当三极管工作在截止区时，IC= O(ICEO) 。10、ICEO称为三极管的 穿透 电流，它反映三极管的 温度稳定性 ，ICEO是ICBO的 1+ 倍，先选用管子时，希
13、望ICEO尽量 小 。11、测量晶体三极管3AX31的电流，当IB=20uA时，IC=2mA；当IB=60uA时，IC=5.4mA，则该管的为 85 ，ICEO= 0.3mA ,ICBO= 3.5uA 。12、设三极管的PCM=150mW, ICM=100 mA, U(BR)CEO=30V,若UCE=10V,IC允许的最大值为15mA ；若UCE=1V, IC允许的最大值为 100mA ；若IC=3A,UCE允许的最大值为 30v 。13、复合管是由 两个 以上的三极管按一定方式连接而成，用复合管提高输出级的电流 放大倍数。14、有二只三极管构成的复合管的类型，取决于 输入管 三极管的类型，其电流放大系数= 12 。二、判断题1、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以发射极和集电极可以相互调换使用。（ ）2、晶体三极管的放大作用具体体现在IC=IB。（ ）3、晶体三极管具有能量放大作用。（ ）4、硅三极管的ICBO值要比锗三极
