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1、1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定9、稳压管的稳压区是其工作在 C
2、。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 1013、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 A 。 A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。A.电流控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和
3、，最简单的方法是测量 UCE 。16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。图1为 D ；图2为 A 。基极电位总是处于中间 3V 9V 2.3V图2 6V 0V 5.7V图1A.NPN硅管 B.PNP硅管 C.NPN锗管 D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。A.只能为正 B.只能为负 C.可正可负 D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。A.可变电阻（欧姆）区 B.截止区 C.饱和区 D.击穿区 20、场效应管是 D 器件。D.
4、电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是 A 。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是 B 。B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出UCE0，可能是因为 A 。A.Rb短路 24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形，二者相位 A相同 。25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真，通过减小Rb失真消除，这种失真一定是 .截止 B 失真。26、分压式偏置工作点稳定电路，当50时，IB=20A，I
5、C=1mA。若只更换100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别10A，1mA 27、有两个空载放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大器甲和乙，对同一信号源进行放大，在负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的 B输入电阻小。28、放大电路产生零点漂移的主要原因是环境温度变化引起参数变化 29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选 直接B 耦合方式。30、放大电路的三种组态（ 都有功率放大作用C ）。一个放大器由两级相同的放大器组成，已知它们的增益分别为30dB和40dB，则放大器的总增益为（ C 70dB）。31. 多级放大器与单级放大器相比，电压增益将（提高A）。一、 填空1、P
6、N结中扩散电流的方向是： 从P区到N区 ，漂移电流的方向是 从N区到P区 。2、PN结的最大特点是 单向导电性 。3、使PN结正偏的方法是：将P区接 高 电位，N区接 低 电位。4.PN结正偏时，有利于 多数 载流子的运动，阻碍 少数 载流子的运行。5、PN结反偏时，内电场与外电场的方向 相同 ，空间电荷区变 宽 ，有利于 少数 载流子的漂移运动，阻碍 多数 载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻 大 ，PN结处于 截止 状态。6、温度增加PN结呈现的电阻将会变 小 。7.P型半导体中的多数载流子是 空穴，N型中的多数载流子是 电子以上为第一章习题8、从基极输入，从集电极输出的是共 射 极电路
7、，从基极输入，从发射极输出的是共 集电 极电路。9、从栅极输入，从漏输出的是共 源 极电路；从栅极输入，从源极输出的是共 漏极电路。10、共 集电极 放大电路的电压放大倍数不可能大于1，共 基极 放大电路的电流放大倍数不可能大于111.某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级15dB、第四级60dB，放大器的总增益为100,总的放大倍数为10。12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707时，所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率，它们之间的频率范围，称为放大电路的通频带 ，它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。1、已知稳压管的稳定电压UZ6V，
8、稳定电流的最小值IZmin5mA，最大功耗PZM150mW。试求左图所示电路中电阻R的取值范围。 解：稳压管的最大稳定电流 IZMPZM/UZ25mA电阻R的电流为IZMIZmin，所以其取值范围为 2、下图示电路中，已知输入R1=1k，RL=3k，UI=12V，UZ=6V，IZ=5mA，PZM=90mW，问输出电压UO能否等于6V？解：稳压管正常稳压时，工作电流IDZ应满足IZIDZIZM，而即 5mAIDZ15mA设电路中DZ能正常稳压，则UO=UZ=6V。可求得：显然，IDZ不在稳压工作电流范围内。以上为第一章习题4、管子对地电位如图所示。判断管子的工作状态和材料。-3V(C)-2V0V
9、(E)+4V4V+4V+5.5V+6V+5.3V(D)(A)+0.1V6V-0.2V+0.3V-2V+1V(B)解： （A）NPN型管。UBE=0.1-(-0.2)=0.3V，JE正偏， UBC0.1-6-5.9V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为锗管。（B）PNP型管。UEB=1-0.3=0.7V，JE正偏， UCB-2-0.3-2.3V，JC反偏。 故该管工作在放大状态，为硅管。 （C）NPN型管。UBE= -3-(-2)=-1V，JE反偏， UBC-3-0-3V，JC反偏。 故该管工作在截止状态。（D）PNP型管。UEB=6-5.3=0.7V，JE正偏， UCB5.5-5.30.2V
10、，JC正偏。 故该管工作在饱和状态，为硅管。 （E）NPN型管。UBE= 4-4=0V， UBC4-40V。则该管可能被击穿损坏，也可能电路接线问题。5、判断以下两工作电路处于何种状态图（a）没有放大作用。VBB对信号有短接作用；UBE过大，JE可能烧毁。在VBB中串接电阻RB。图（b）没有放大作用。放大元件T没有合适的偏置状态。RB接点移至到C1后。二、 计算题(都为第二章习题)1、在右图所示电路中，已知RB1=5k, RB1=20k, RE=2.3k, RC=RL=10k, VCC=15V, =80, rbb100，UBEQ=0.7V。试求解：（1）估算静态工作点Q；（2）估算电压放大倍数
11、Au、输入电阻Ri和输出电阻Ro。3）若将晶体管换成为100的管子，Q点将如何变化？（4）若CE开路，则Au与Ri将如何变化。解（1）求解Q点。因为RB1(1+) RE，所以（2）求解Au、Ri和Ro。画出微变等效电路（3）当由80变为100时，ICQ与UCEQ基本不变，而（4）CE开路，那么电路的微变等效电路如图P79T2.3.4所示。2、如右图所示电路中，已知VCC=15V,RB=750k, RC=RL=5.1k,=80, rbb100。试求解：（1）静态工作点Q；2）RL接入和断开两种情况下的Au。（3）输入电阻Ri和输出电阻Ro。（4）若信号源有内阻，且RS=1.42k，则负载时的Au
12、s？解：（1）利用估算法求Q（2）求Au IEQICQ=1.6mA先求RL断开时RL接入时（3）求解Ri和Ro。（4）求负载时的Aus模拟电子技术复习题综合（第3、4章）3-1差分放大电路，若两个输入信号uI1 = uI2，则输出电压，uO = 0 ；若u I1 = 100 mV，u I 2 = 80 mV则差模输入电压uId= =20mV；共模输入电压uIc =90 mV。3-2乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ = 0 、静态时的电源功耗PDC = 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。3.差动放大器输入信号为零时，输出电压偏离
13、其起始值的现象称为失调电压5.在差分放大电路中，大小相等、极性或相位一致的两个输入信号称为共模信号；大小相等，极性或相位相反的两个输入信号称为 差模 信号。3-6集成运放的输入级都采用差动放大电路，输出级通常采用甲乙类互补电路。3-7. 在甲类，乙类和甲乙类三种功率放大电路中，效率最低的是甲类，失真最小的是甲乙类。4-1串联负反馈可以使放大器的输入电阻 增大 ，并联负反馈可以使放大器的输入电阻 减小 ，电压负反馈可以使放大器的输出 电压 稳定，电流负反馈可以使放大器的输出 电流 稳定。4-2射极输出器的特性归纳为：电压放大倍数 约等于1 ，电压跟随性好，输入阻抗 大 ，输出阻抗 小 ，而且具有一定的电流 放大能力和功率放大能力，射极输出器的反馈类型是电压串联负反馈。4-3. 直流负反馈的作用是稳定静态工作点。3-1、直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了
