晶体缺陷作业

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1、1什么叫肖特基缺陷和弗兰克耳缺陷用Kroger-Vink记号分别描述AgBr中的弗兰克耳缺陷和MgM的肖特基缺陷形成的缺陷化学方程,写出ZnO中掺杂Al2。空位补偿和电子补偿的缺陷化学方程。2Ifcupricoxide(CuO)isexposedtoreducingatmospheresatelevatedtemperatures,someoftheCu2+ionswillbecomeCu+(a) Undertheseconditions,nameonecrystallinedefectthatyouwouldexpecttoforminordertomaintainchargeneutral

2、ity.(b) HowmanyCu+ionsarerequiredforthecreationofeachdefect(c) Howwouldyouexpressthechemicalformulaforthisnonstoichiometricmaterial3(a)SupposethatLi2OisaddedasanimpuritytoCaO.IftheLi+substitutesforCa2+,whatkindofvacancieswouldyouexpecttoformHowmanyofthesevacanciesarecreatedforeveryLiadded(b)Supposet

3、hatCaCbisaddedasanimpuritytoCaO.IftheClsubstitutesforO2-,whatkindofvacancieswouldyouexpecttoformHowmanyofthevacanciesarecreatedforeveryCl-added4纯铁的空位形成能为atom,将纯铁加热至850c后激冷至室温20C,若高温下的空位全部保留,试求过饱和空位浓度与室温平衡空位浓度的比值。5已知铜的晶体结构为fcc,点阵常数a二,切变模量G41010Nm2,试分别计算柏氏矢量为共101|111a111a121的位错应变能。6在图示的Cu晶界上有一双球冠形第二相,已知Cu的大角度晶界能为0.5J?m2,(1)分别计算当60。,90。时Cu与第二相之间的相界面能;(2)讨论它们若处在三个Cu晶粒的交线上将是什么形状Cu晶粒口7计算并比较体心立方晶体中(100),(110),(111)面的比表面能。设每对原子键能为e,点阵常数为a。

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