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1、实验二 半导体激光器PI特性曲线的绘制一、实验目的1、 学习半导体激光器的发光原理。2、 了解半导体激光器输出光功率与注入电流的关系。3、 掌握半导体激光器P-I特性曲线的测试及绘制方法。二、实验内容 测量半导体激光器的输出光功率和注入电流，并画出P-I关系曲线。三、实验原理 半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图2-1所示，该特性有一个转折点，相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流)，用Ith表示。在阈值电流以下，激光器工作于自发发射，输出荧光，光功率很小。在门限电流以上，激光器工作于受激发射，输出激光，光功率随驱动电流迅速上升，基本成线性关系；激光器的电流与电压的关系类似于正向二极
2、管的特性，如图2-2所示。图2-1 激光器的功率特性 图2-2 激光器的伏安特性 阈值条件就是光谐振腔中维持光振荡的条件。设受激发射所产生的光介质的平均增益系数(单位长度上的增益)为，光介质的平均损耗系数为，则光谐振腔产生和维持光振荡的条件为光子在光谐振腔中来回反射一次所产生的光能增益大于或等于光能的损耗，用公式表示为： (2-1)式中L为光谐振腔的长度，r1、r2分别为光谐振腔两端镜面的反射系数(Orl1;Or21为电流侧向扩展因子,可使接近1，故能获得小的门限电流。激光器功率特性的线性程度对模拟光纤传输系统的非线性失真指标影响很大。半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器与发光二极管LE
3、D不同，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率(10mW)辐射，而且输出光发散角窄(垂直发散角为3050，水平发散角为030)，与单模光纤的耦合效率高(约3050)，辐射光谱线窄，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(20GHz)直接调制。对于线性度良好的半导体激光器，输出功率可以表示为: （2-4）其中 （2-5）这里的量子效率int，表征注入电子通过受激辐射转化为光子的比例。在高于阈值区域，大多数半导体激光器的int接近1。式（2-4）表明，激光输出功率决定于内量子效率和光腔损耗，并随着电流而增大，当注入电流IIt
4、h时，输出功率与I成线性关系,其增大的速率即P-I曲线的斜率，称为斜率效率 （2-6）P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选择阈值电流Ith尽可能小， Ith对应P值小，而且没有扭折点的半导体激光器，这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消光比大，而且不易产生光信号失真。同时要求P-I曲线的斜率适当，斜率太小，则要求驱动信号太大，给驱动电路带来麻烦；斜率太大，则会出现光反射噪声，使自动光功率控制环节调整困难。半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点，微小的电流变化会导致光功率输出变化，是光纤通信中最重要的一种光源，激光二极管可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须
5、要有光放大机制，也即激活介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所有的损耗。将开始出现净增益的条件称为阈值条件。一般用注入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流Ith，当输入电流小于Ith时，其输出光为非相干的荧光，类似于LED发光，当输入电流大于Ith时，则输出光为激光，且输入电流和输出光功率成线性关系，该实验就是对该线性关系进行测量，以验证P-I的线性关系。图2-3 LD半导体激光器P-I曲线示意图四、实验仪器双通道示波器，光纤通信实验仪，光功率计，光跳线，万用表。五、实验步骤（以下实验步骤以1310nm光端机部分讲解，即实验仪左边的模块；1550nm光端机部分与其相同。）1、关闭实验仪
6、电源，用导线连接“模拟信号源”的正弦波输出端口和“1310nm光发送模块”的模拟信号输入端口P203。2、将光发送模块中的激光器注入电流调节电位器R277逆时针旋转到头（即箭头最小端），将输入模拟信号衰减调节电位器R258逆时针旋转到头（即箭头最小端），使驱动电流和输入信号都处于最小值。3、将单刀双掷开关S200拨向模拟传输方向（右边），拨出电路中的跳线帽（J200），使其处于断开状态，在两测量挂片（NS201、NS200）的中间串接一块电流表。4、将光发送模块中的TX端口用光跳线与光功率计端口相接，连接时将光纤小心地插入光功率计的连接端口，连接时保证光跳线连接处的凸起部分与光功率计端口的凹槽部分完全吻合，拧紧固定帽。5、接通实验仪电源开关，调节电位器R258到适当位置（一般为中间位置），送入稳定的模拟信号，慢慢调节电位器R277，读取所测得的电流值及对应的光功率值，填入表2-1中。6、实验结束后关掉各电源开关，拆下导线、光跳线及光功率计，将实验仪还原，将各仪器摆放整齐。表2-1序号12345678910111213141516I（mA）P（uW）六、实验报告要求整理所有实验数据，参考图2-1用坐标纸画出P-I特性曲线，标出阈值电流值。
