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1、烧结熔融氧化硅制备含有结晶SiO2的成型体 摘要摘要为了简单且快速制备含有熔融氧化硅的成型体，以及即使在高温下熔体与成型体接触也基本上不会导致熔体污染的成型体，本发明提供一种方法和含有至少99.0molSiO2的成型体，该方法包括以下步骤：a)提供基本上为无定形SiO2颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5具有大于15mm的直径，b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，d)干燥粉浆得到中间体，e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，f)将烧结成型体冷却至300以下的温度，从而形成含有结晶
2、SiO2的显微组织。 标题发明人:M博伦斯 (); K冯 韦斯特恩哈根 (); S梅罗拉 (); G瓦泽姆 (); S波斯特拉赫 ();公司:()通信地址:德国美因茨申请号:CN200810215450.7申请日:2008-01-22 优先数据: 分类审查员代理权利要求权利要求 1. 制备成型体的方法，其包括以下步骤：a)提供基本上为无定形SiO2颗粒形态的熔融氧化硅，其中不超过5、优选不超过3、特别优选不超过2的颗粒具有大于15mm、优选大于10mm，特别优选大于6mm的直径，b)向熔融氧化硅颗粒中加入水以制备粉浆，c)将粉浆浇注到包含具有与待制备成型体相反形状的中空体的模具中，d)干燥粉浆
3、得到中间体，e)在烧结温度下烧结中间体，在该烧结温度下至少部分熔融氧化硅由无定形变体转变为结晶变体，尤其是-方英石，f)将烧结成型体冷却至300以下，优选270以下的温度，从而形成含有结晶SiO2的显微组织。 2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于在步骤a)中使用SiO2含量至少为99.0重量、优选至少为99.5重量、特别优选至少为99.9重量的基本上纯的无定形形态的熔融氧化硅。 3. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于在步骤b)中使用基本无碱的水。 4. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中在至少1080、优选至少1120、更优选至少1140、特别优选至少118
4、0的温度下烧结中间体。 5. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧结过程中的最大温度为1285，特别是在中间体的最大壁厚大于85mm时。 6. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧结过程中的最大温度为1250，特别是在中间体的最大壁厚大于85mm时。 7. 成型体，尤其是可以由或已经由权利要求1-6中任一项权利要求所述的方法制备的成型体，其特征在于该成型体含有至少99.0mol，优选至少99.5mol，特别优选至少99.9mol的SiO2。 8. 根据权利要求7所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达40mm的成型体外层，在其厚度上具有2体积-5体
5、积，优选2.5体积-4.5体积，特别优选2.90.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 9. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达20mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积-5.5体积，优选3.0体积-5.5体积，特别优选3.5体积-4.5体积，特别优选3.750.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 10. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达10mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积-6.5体积，优选3.5体积-6.5体积，特别优选4体积-5.3体积，特别优选4.60.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。
6、 11. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达5mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积-7.5体积，优选4.0体积-7.5体积，特别优选4.5体积-6.5体积，特别优选5.10.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 12. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达2mm的成型体外层，在厚度上具有2.3体积-8.0体积，优选4.3体积-8.0体积，特别优选4.8体积-6.8体积，最优选5.30.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 13. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达1mm的成型体外层，在厚度
7、上具有2.5体积-8.5体积，优选4.5体积-8体积，特别优选5体积-6.3体积，最优选5.40.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 14. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚度达0.3mm的成型体外层，在厚度上具有2.7体积-9.5体积，优选4.7体积-9.5体积，特别优选5.1体积-6.8体积，最优选5.50.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 15. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于在从成型体表面测量的位于20mm深和达40mm深之间的层中，从而该层厚度达20mm，该成型体在该厚度上具有1体积-3体积，优选1.5体积-2.5体积
8、，特别优选20.1体积的结晶SiO2，尤其是方英石的平均含量。 16. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于至少在一定区域中，尤其是从成型体表面测量的厚度达20mm的外层区域中，该成型体在厚度上的平均密度为1.92g/cm3-2.12g/cm3。 17. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于在至少在一定区域中，尤其是从成型体表面测量的厚度达20mm的外层区域中，该成型体在厚度上的平均开口孔隙率低于12，优选低于8，特别优选低于6，特别优选5.5。 18. 根据权利要求7-17任一项权利要求所述的成型体的用途，其至少作为坩锅和/或熔炼槽和/或精炼槽和/或管和/或搅拌器和/或与至少
9、一种金属和/或半金属和/或半导体和/或玻璃的熔体接触使用的装置的组成部分。 搜索词频统计权利要求PDF格式评论 窗体顶端美国专利窗体底端搜索+二次搜索+Web搜索+转到摘要转到权利要求+转到说明+词频研究添加评论添加个人注释添加到项目中复制粘贴在概念中在关键词中在标题中在摘要中在权利要求中在说明中在公司中在发明人中在美国分类中在国际分类中在概念中按其来排序在关键词中在标题中在摘要中在权利要求中在说明中在公司中在发明人中在美国分类中在国际分类中Google搜索学术搜索Claims1. 制备成型体的方法，其包括以下步骤： a)提供基本上为.3. 根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于在步骤b)
10、中使用.4. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中在至.5. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧.6. 根据任一前述权利要求所述的方法，其特征在于在步骤e)中的烧.9. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.10. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.11. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.12. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.13. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.14. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于从表面测量的厚.15. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于在从成型体表面.16. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于至少在一定区域.17. 根据任一前述权利要求所述的成型体，其特征在于在至少在一定区.Descriptions附图说明下面借助于实施例并参考附图说明本发明。在附图中
