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1、（清华大学）材料科学基础真题2002年（总分：100.00，做题时间：90分钟） 一、论述题（总题数：10,分数：100.00）1.已知面心立方合金 a -黄铜的轧制织构为110 112 。1 解释这种织构所表达的意义。2 用立方晶体001标准投影图说明其形成原因。（分数：10.00）正确答案：（1 .为板织构。110 112织构表示110 /轧面， 112/轧向。2. a -黄铜为FCC结构，滑移系统为111 101。沿轧向受到拉力的作用，晶体滑移转动。如图所示,在晶体学坐标系中，设拉力轴T1位于001-101-111取向三角形中，则始滑移系为011方向，使拉力轴与滑移方向的夹角入减小。当力
2、轴到达两个取向三角形的公共边，即011，拉力轴转向T2时，开始发101也启动，拉力轴既转向011方向，又转向101方向，结果沿公共边转动。 入角同时减小到最小值，故112生双滑移，滑移系到达112方向时，由于101、112、011位于同一个大圆上，两个为最终稳定位置，从而使 112方向趋向于轧向；在轧面上受到压力作用，设压力轴Pl位于攵向三角形中，则始滑移系为101，压力轴转向减小。当力轴到达两个取向三角形的公共边，即P2时，开始发生双滑移，滑移系，结果沿公共边转动。到达个又转向面时，由于同时减小到最小值，故轧面， 112/轧向。最终稳定位置，从而使,使压力轴与滑移面的夹角位于同一大圆上，两最
3、终稳定位置，从而使趋于平行于轧面。其结果，110 /启动，压力轴既转向面,解析：2. 证明：对立方晶系，有hkl丄（hkl）。（分数：5.00 ）J-正确答案：（根据晶面指数的确定规则并参照下图，（hkl）晶面ABC在a b、c坐标轴上的截距分别是艮据晶向指数的确定规则，hkl晶向L=ha+kb+lc。利用立方晶系中a=b=c， a * = y =90的特点，有由于L与ABC面上相交的两条直线垂直，所以L垂直于ABC面，从而在立方晶系中有hkl上（hkl）。）解析：3. 二维点阵共有几种？指岀其类型并用图表示。（分数：5.00 ）正确答案：（二维点阵有5种，分别是斜方、六角、长方、体心长方、正
4、方，如下表所示。解析:4. 以BaTiO3为例，画岀钙钛矿的晶体结构，并解释这类结构材料的介电常数较高和可能具有超导性的原因（分数：10.00 ） 正确答案：（钙钛矿（BaTiO 3）的晶体结构如图所示。訴*-： 这类结构材料介电常数较大的原因是因为位于氧原子八面体间隙中的金属原子半径较小，在交流电场作用下可以来回振动。可能具有超导性的原因是氧原子和金属原子的层状结构，以ABO为例，一层为A和O的原子层，一层为B和0的原子层，交替堆垛，超导载流子易于在层内运动。）解析：5. 面心立方金属单晶体沿001拉伸可有几个等效滑移系同时启动？沿 111拉伸可有几个等效滑移系同时 启动？并具体写岀各滑移系
5、的指数。（分数：10.00 ）正确答案：（根据“映象规则”，利用立方晶体的001标准投影，可知当FCC结构的晶体沿001轴拉伸时,其等效滑移系共有8个，分别是：（111）（111）101、101、011、解析：011、110、011。当FCC结构的晶体沿111方向拉伸时，其等效滑移系有6个，分别是:011、 101、101、一6. 按下列5条汇总FCC晶体中的主要位错： 位错名称；柏式矢量；位错性质（刃型、螺型、混合位错等）;位错形成方式；运动状态（滑移、攀移、还是不动等）O（分数：15.00 ）（分数：10.00）正确答案：（克根达耳效应：如图所示，在FCC吉构的a -黄铜（Cu+30%Zn
6、）棒上敷上很细的钼丝作为标记,再在黄铜上镀铜，将钼丝包在黄铜与铜之间，在一定温度下进行扩散。其中钼丝仅作为标志物，在整个实 验过程中不参加扩散。扩散组元是铜和锌，二者构成置换式固溶体。在置换式固溶体的扩散过程中，放置 在原始界面上的标志物朝着低熔点元素的方向移动，移动距离与时间呈抛物线关系。造成这种现象的原因 是：低熔点组元扩散快，高熔点组元扩散慢。这种不等量的原子交换造成克根达耳效应。克根达耳效应的实际意义有：揭示了扩散宏观规律与微观扩散机制的内在联系，具有普遍性；直接否 认了置换式固溶体扩散的换位机制，支持了空位机制；扩散系统中每一种组元都有自己的扩散系数； 克根达耳现象往往会产生副效应，
7、如收缩不完全会造成克根达耳孔等，这些副效应在实际当中往往产生不 利的影响，因而应设法加以控制。）解析：8. 解释冷变形金属加热时回复、再结晶及晶粒长大的过程及特点。2.已知Cu-30%Zn合金的再结晶激活能为 250kJ/mol，此合金在400C的恒温下完成再结晶需要1小时，试求此合金在390C的恒温下完成再结晶需要多少小时。（分数：15.00 ） 正确答案：（1 冷变形金属加热时，先后发生回复、再结晶、晶粒长大三个过程，各自特点如下：（1）回复过程的特征 回复过程组织不发生变化，仍保持变形状态伸长的晶粒。 回复过程使变形引起的宏观 （一类）应力全部消除，微观（二类）应力大部消除。 回复过程中
8、一般力学性能变化不大，硬度、强度仅稍有降低，塑性稍有提高，某些物理性能有较大变化,电阻率显著降低，密度增大。 变形储能在回复阶段部分释放。（2）再结晶过程的特征 组织发生变化，由冷变形的伸长晶粒变为新的等轴晶粒。 力学性能发生急剧变化，强度、硬度急剧降低，塑性提高，恢复至变形前的状态。 变形储能在再结晶过程中全部释放，点阵畸变（三类应力）清除，位错密度降低（3）晶粒长大过程的特征晶粒长大。 引起一些性能变化，如强度、塑性、韧性下降。由公式有 伴随晶粒长大，还发生其他结构上的变化，如再结晶织构2.所以 t2=t1X1.962=1.962h）解析：9. 合金由基体a和第二相B组成，若B相分布在晶界
9、，B和a相不共格，试分析因界面能丫小的不同, B相可能的组织形态。（分数：10.00）式中,正确答案：（合金由基体a和第二相B组成，若B相分布在晶界，B和a相不共格，其形貌取决于两 个a晶粒间的夹角（两面角、接触角），在界面张力间存在图 a所示的平衡关系，即：9为两面角，决定于界而张力的比值 丫 Y a3oa，第二相形状如图 d所示。a = Y a相的界面张力；丫0为两相间的界面张力； 3，9 =120 ，第二相形状如图b所示。，9 =180 ，第二相形状如图c所示。10. 画出Cu-AI合金在时效处理过程中硬度随时间的变化曲线，并用位错理论加以解释。（分数：10.00）正确答案：（Cu-AI合金在时效处理过程中硬度随时间的变化曲线如图所示。由于原子偏聚或形成有序化区域，产生共格变形的晶格畸变。位错线切过析岀物，会增加界面能、反相畴界能、再加上位错线与高密度析出物的长程相互作用，使材料强度增加。变化曲线中第一个峰形GP区（GPI）和过渡相9 ” （GPII）就是这个原因的结果。位错线与析岀物的长程相互作用，位错线绕过析岀物，从而使材料强化。随着析岀物粗化，这种强化作用 减弱。变化曲线中第二个峰形过渡相（9 ）就是这个原因的结果。）解析：
