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1、模拟电子期中复习题 注意：期中考试闭卷考，作弊按0分算，占整个期末成绩的15%，考试题就在下面这些题中抽取部分，其中的计算题参数可能有变，填空题考试时是直接填，不选择了,考试时间下周三。 一、选择填空题（请大家看书，然后在括号里选出一个正确答案）： 1、P型半导体中空穴为（多数 ）载流子，自由电子为（ 少数 ）载流子。2、PN结正偏时 （ 导通或截止），反偏时 （导通或截止），所以PN结具有 （双向或单向）导电性。 3、漂移电流是 （正向或反向）电流，它由（多数或少数）载流子形成，其大小与 （温度或湿度）有关，而与外加电压 （有关或无关）。 4、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为 （零或
2、无穷大），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为 （零或无穷大），等效成断开； 5、三极管是 （电压或电流）控制元件，场效应管是 （电压或电流）控制元件。 6、三极管具有放大作用，外部电压条件是发射结 （正偏或反偏），集电结 （正偏或反偏）。 7、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic （变大或变小），发射结压降UBE （变大或变小）。 8、三极管放大电路共有三种组态分别是 （共射极或共源极 ）、 （共集电极或共漏极）、 （共栅极或共基极）放大电路。 9、共集电极电路电压放大倍数为 （大于1或1），输入电阻 （小或大），输出电阻 （小或大），常用在输入级，输出级或缓冲级。10、稳压二极管是一个可
3、逆击穿二极管，稳压时工作在 （正偏或反偏）状态，但其两端电压必须 （大于或小于）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于 （导通或截止）状态。 11、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是 （B 、C、E或E、C、B），该管是 （ NPN 或 PNP）型。 12、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC uB uE。（ = 或 或 ） 13、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的 。（相等 或 大 或 小） 13、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为 （饱和失真或截止失真），此时应该 （增大或 减小）偏置电阻。 14.BJT镜像电流源电路
4、中两只晶体管的特性应 (完全相同或可以有部分指标不同)，MOSFET镜像电流源电路中两只管的特性应 (完全相同或可以有部分指标不同) 15. 在一个放大电路中，三只三极管三个管脚、的电位分别如表所示，将每只管子所用材料（Si或Ge）、类型（NPN或PNP）及管脚为哪个极（e、b或c）填入表内。 管 号 T1 T2 T3 管 号 T1 T2 T3管 脚电 位（V） 0.7 6.2 3 电 极名 称 0 6 10 5 3 3.7 材 料 类 型答案： 管 号 T1 T2 T3 管 号 T1 T2 T3管 脚电 位（V） 0.7 6.2 3 电 极名 称BEE 0 6 10EBC 5 3 3.7CC
5、B 材 料SiGeSi 类 型NPNPNPNPN16. 试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。图T2.2 答案：（a）不能。因为输入信号被VBB短路。 （b）可能。 （c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。 （d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。 （e）不能。因为输入信号被C2短路。 （f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。 （g）可能。 （h）不合理。因为G-S间电压将大于零。 （i）不能。因为T截止。二、简答题1. 基本放大电路有哪几类？每类的特点是什么？一般用于哪里？2. 画直
6、流通路的原则是什么？画交流通路的原则是什么？3. 三极管与场效应管分别在中低频和高频时的小信号等效模型分别是什么？4. 放大电路为什么要工作在适当的静态点上？如三极管放大电路，如何规划其静态工作点？5. 什么是直流负载线？什么是交流负载线？它们什么时候相同？三、综合题1、已知电力如下图示：为理想二极管，试分析：二极管导通还是截止？UA0=？ 1)二极管V截止 2) UA0=-4V2、已知：电路如图所示V1、V2为理想二极管。求：1）哪只二极管导通 2）UAO=？1）V2导通 2）UAO =-5V3.已知：电路如图示：Vcc=12V，RB1=40K，RB2=20K，Rc=RL=2K，RE=1.65K，UBEQ=0.7V，C1=C2=20uf，rbe=1.5K，=100，CE=10uf。求： 判断三极管应该是哪一类型？（NPN或PNP） RE的名称和作用是？（看书） 该电路的名称是什么？有什么特点？（看书） 求ICQ 、UCEQ Au、Ri、R0（取小数点后1位）2mA 4.7V -66.7 1.4K 2K4. 改正图P2.20所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。要求保留电路的共漏接法。图P2.20 答案：（a）源极加电阻RS。 （b）漏极加电阻RD。 （c）输入端加耦合电容。 （d）在Rg支路加VGG，VDD改为VDD改正电路如解图P2.20所示。6
