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1、其实初学者对于二极管击穿的问题，有时候会有一个误区，我就有过这样的情况。尤其当我 们看到二极管击穿电压可达到1000V甚至可能更高的时候，有些人可能会产生这样一个疑 问：我们了解到硅二极管的正向导通压降约为0.60.8V,锗二极管的正向导通压降约为 0.20.3V,而为什么，其击穿电压可以达到1000V呢？对于这个问题我们先了解一下二极管的一些特性1、二极管的正向性外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡 作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电 压。当正向电压大于死区电压以后， PN 结内电场被克服，二极管正向导
2、通，电流随电压增 大而迅速上升。在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压 称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值，内电场很快被削弱，电流 迅速增长，二极管正向导通。叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。 硅二极管的正向导通压降约为0.60.8V,锗二极管的正向导通压降约为0.20.3V。2、二极管的反向性 外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流 由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二 极管的反向饱和电流受温度影响很大。一般硅管的反向电流比锗管小得
3、多，小功率硅管的反 响饱和电流在nA数量级，小功率锗管在“A数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数 载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的 临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电 击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复， 否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为 灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用
4、的多是晶体二极 管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多 的电路中起着重要的作用，它是诞生最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V,发 光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色，具体压降参考值如下：红 色发光二极管的压降为2.0-2.2V，黄色发光二极管的压降为1.82.0V,绿色发光二极管的 压降为3.03.2V，正常发光时的额定电流约为20mA。如果仔细的话，我们不难从二极管的反向性得出结论，我们通常所说的二极管的击穿，是指 反向击穿，注意一个词语，这是关键，就是“反向 ”，通常所说的击穿，都是反向击穿， 使得二极管失去单向导通性。
