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1、BJ2989D晶体三极管正偏二次击穿测试系统简介1.1 概述BJ2989D晶体管正偏二次击穿测试系统可测试中、大功率NPN型晶体三极管热阻参数的二次击穿电压。采用计算机自动控制测试，测试结果自动处理，十分方便快捷，可自动绘制构成器件安全工作区重要的二次击穿功率PSB曲线。 1.2 本系统的主要特点 正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三极管； 二次击穿测试过程中对被测管保护速度快，关断时间小于500ns，能够有效避免被测管在测试过程中损坏； 采用通用微机控制，基于Windows系统的控制软件，具有友好的人机交互界面，窗口填表式编程，测试结果以表格及图形曲线方式显示，使您轻松掌握测试。1.3
2、二次击穿功率PSB曲线 1.4 本系统的主要技术指标1.4.1 测试电压源电压范围负载能力备注0300V3.5A1.4.2 测试电流源电流量程分辨力精度-250mA250mA122uA(610uA+2%set)(250mA2.5)A1.22mA(6.1mA+2%set)(2.5A3.5)A12.2mA(61mA+2%set)1.4.3 VSB测试电压范围及精度电压量程分辨力精度-8.1258.125V3.97 mV(7.94mV+0.25%Rdg)(8.12516.25)V7.94mV(15.88mV+0.25%Rdg)(16.2532.5) V15.88mV(31.76mV+0.25%Rdg)(32.565) V31.76mV(63.52mV+0.25%Rdg)(65130) V63.52mV(127.04mV+0.25%Rdg)(260300) V127.04mV(254.08mV+0.25%Rdg)1.4.4 测试电流源施加条件脉宽：50us、100us、1ms、10ms 、100ms、 直流；占空比：1:2、1:4、1:8、1:16、1:32、1:64、直流。脉宽与占空比可进行以上选项任意组合选择。- 1 - -
