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1、反激式（RCD）开关电源器件参数计算RCD的计算方法先上个RCD钳位的原理图再上个MOS的VDS波形11 i1traoi下面再说几个名词，这几个名词其实大家也知道，一个是钳位电压，上边用Vsn表 示;一个是折射电压，上边用VRO表示;还有个脉动电压，上边用AV表示;MOS管的 最大耐压，上边用BVdss表示；电源的最高输入电压，上边用Vin Max表示。1. 钳位电压Vsn是电容C两端的电压，与选用MOS的BVdss及最高输入电压以及 降额系数有关，一般在最高输入电压Vin Max下考虑0.9的降额，则有Vsn=0.9*BVdss-Vin Max（我上边的实验选择的 MOS 为 IRF640，
2、BVdss=200V ，VinMax=70V）可以算出钳位电压Vsn为110V2. 然后算折射电压VRO，根据VRO= （ VOUT+VD）/ （ NS/NP）式中VOUT为输出电压VD为二极管管压降NS为次级匝数NP为初级匝数我的初级NP为31匝，次级NS为10匝，管压降VD4V ,输出电压VOUT=12V 算出 VRO= ( 12+1 ) / ( 10/31 ) =40V3. 确定漏感量LIK ,这个可以通过测试得出，我的实测了下为2.79uH ；不过可以估 测此漏感值，一般为初级电感量的1%-5% ；4. 确定峰值电流IPK的值输入功率PIN=POUT/H ，式中POUT为输出功率H为效
3、率我的输出电压为12V，电流为3A，假设效率为80% ；代入式中得 PIN=12*3/0.8=45W算出平均电流Iin-Avg=PIN/Vin Min式中Vin Min为最小输入电压我的最小输入是40V，也就是1207的最低输入电压。代 入式得 Iin-Avg=45/40-1.125A确定峰值电流IPK=2*Iin- Avg/Amax式中Amax为最大占空比我的设的为0.5代入式得 IPK=2*1.125/0.5=4.2A5. 确 定钳位 由阳R的值，根据公式R=2 ( Vsn-VRO)*Vsn/LIK*IPK*IPK*Fs式中Fs为开关频率IPK*IPK 为IPK 的平方，俺不会写我的频率F
4、s为50Khz代入式得 R=【2*( 110-40)*110 】/【2.79*4.2*4.2*50k】R=27K6. 确定R的功率PR=Vsn*Vsn/R代入数值得PR=110*110/27000=0.448W 可以用1W的电阻我手头没有1W27k电阻所以用个30K吧7. 确定钳位电容C的值我们前边一直把C的点电压VC当成不变的处理，实际是有波动的，因为有漏感等 杂散电感的影响，所有会有所波动，一般这个脉动电压AV取钳位电压Vsn的 5%-10%，我们这取10%吧，所以AV=11V钳位电容的值C=Vsn/AV*R*Fs带入值得 C=110/ll*27k*50k=0.0074uF这里我们选个C=
5、0.01uF的也就是103PF的电容回头我把实验结果和波形放上来！1.初级用了 C=103 R=30K,次级 R=22R,C=102 ，峰峰值 160V2.我把初级R又并了个30K，R=15K 了，别的没动，峰峰值150V 了M Fos： U.OOi我又把初级C=103改为472，R=15K，次级没动，峰峰值又到138V 了存體位置Bit Map 类型 位蜃我想看看要是不动电阻呢，按计算结果，把并那个30K电阻去掉，C=472 ,次级不动，峰峰值150Votup存储位置3f呆存Ch2Map 类型57.60ms17.36kHz28.60p.s -29.00jjiem. 2Hz：if :1/AT J rbwww. dz3 w. comff M 5.00ms CHI f Sjdbv以上总结，算出来的结果还得再试验中得到验证，只能做个参考;mn so.ovbw Math Off所以我们应以计算为基础，根据实验来回调整，找到一个更适合你的值。还有吸收 电阻R 一定要考虑降额使用，满足功率要求。
