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1、一、选择题1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（B）A.12B.18C.20D.242. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）A. 体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。（D）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区4.MOS管一旦出现现象，此时的MOS管将进入饱和区。（A）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽5.表征了MOS器件的灵敏度。（C）A.B.C.D.6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。 （B）A.B.C.D.7. 基本差分对电
2、路中对共模增益影响最显著的因素是。（C）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。 （ C ）A. 二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器9.镜像电流源一般要求相同的。 （ D ）A.制造工艺 B.器件宽长比 C.器件宽度W D.器件长度L10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。（ ）A. 电子B.空穴C.正电荷D.负电荷11.下列结构中密勒效应最大的是。（A）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大
3、器12. 在NMOS中，若会使阈值电。（A）A.增大B.不变C.减小D.可大可小13.模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。（C）A.增益B.输出电阻C.输出摆幅D.输入电阻14.模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。（A）A.增益B.电压净空C.输出摆幅D.输入偏置15.下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。请计算该电路的等效输入电阻为。 （）第15题A. B. C.D.16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。（C）A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载17.模拟集成电路设计中的最后一步是。（B）A.电路设计B.版图
4、设计C.规格定义D.电路结构选择18.在当今的集成电路制造工艺中，工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。（B）A.MOSB.CMOSC.BipolarD.BiCMOS19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。（B）B. 电子B.空穴C.正电荷D.负电荷20.电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（D）A.增大器件宽长比B.增大负载电阻C.降低输入信号直流电平D.增大器件的沟道长度L21.下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。（D）A.为放大器管提供固定偏置B.为放大管提供电流通路C.减小放大器的共模增益D.提高放大器的增益22.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出
5、阻抗。（D）A.低B.一般C.高D.很高23.MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义来表示电压转换电流的能力。（A）A.跨导B.受控电流源C.跨阻D.小信号增益24.MOS管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是。（C）A.电导B.电阻C.跨导D.跨阻25.随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（ D）A.不断提高B.不变C.可大可小D.不断降低26.工作在饱和区的MOS管，可以被看作是一个。（B）A.恒压源B.电压控制电流源C.恒流源D.电流控制电压源27.模拟集成电路设计中的第一步是。（C）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择28.NMOS管
6、中，如果VB变得更负，则耗尽层。（C）A.不变B.变得更窄C.变得更宽D.几乎不变29.模拟集成电路设计中的最后一步是。（B）A.电路设计B.版图设计C.规格定义D.电路结构选择30.不能直接工作的共源极放大器是（ C ）共源极放大器。A.电阻负载B.二极管连接负载C.电流源负载D.二极管和电流源并联负载31.采用二极管连接的CMOS，因漏极和栅极电势相同，这时晶体管总是工作在 。 （ ）A.线性区 B.饱和区 C.截止区 D.亚阈值区32.对于MOS管，当W/L保持不变时，MOS管的跨导随过驱动电压的变化是 。 （ ）A.单调增加 B.单调减小 C.开口向上的抛物线 D.开口向下的抛物线33
7、.对于MOS器件,器件如果进入三极管区(线性区), 跨导将 。 （ ） .增加 B.减少 C.不变 D.可能增加也可能减小34. 采用PMOS二极管连接方式做负载的NMOS共源放大器，下面说法正确的是 。 （ ）A.PMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比有关。BPMOS和NMOS都存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比无关。C.PMOS和NMOS不存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比无关。DPMOS和NMOS不存在体效应，电压放大系数与NMOS和PMOS的宽长比有关。35. 在W/L保持不变的情况下，跨导随过驱动电压和漏电流变化的
8、关系是 （ ）A.跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而增大。B.跨导随过驱动电压增大而增大，跨导随漏电流增大而减小。C.跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而增大。D.跨导随过驱动电压增大而减小，跨导随漏电流增大而减小。36.和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要 。 （ ）A.小得多 B.相当 C.大得多 D.不确定37. MOSFETs的阈值电压具有 温度特性。 （ ）A.零 B.负 C.正 D.可正可负。38.在差分电路中,可采用恒流源替换”长尾”电阻.这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻 。 （ ）A越高越好 B.越低越好 C.没有要求 D.可高可低39
9、.MOS器件中，保持VDS不变，随着VGS的增加，MOS器件 。（ ）A.从饱和区线性区截止区 B.从饱和区截止区线性区C.从截止区饱和区线性区 D. 从截止区线性区饱和区40.对于共源共栅放大电路, 如果考虑器件的衬底偏置效应, 则电压增益会（ ）A.增大 B.不变 C.减小 D.可能增大也可能减小41.在当今的集成电路制造工艺中， 工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。 （ ）A.MOS B.CMOS C.Bipolar D.BiCMOS42. 保证沟道宽度不变的情况下，采用电流源负载的共源级为了提高电压增益，可以 。 （）A.减小放大管的沟道长度，减小负载管的沟道长度；B. 减小放大管的沟道长度，增加负载管的沟道长度；C. 增加放大管的沟道长度，减小负载管的沟道长度；D. 增加放大管的沟道长度，增加负载管的沟道长度。43. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会 。 （ ） A.不断提高 B.不变
