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1、传感器与检测技术期考试试卷及答案传感器与自动检测技术一、填空题每题 3 分1、传感器通常由直接响应于被测量的敏感元件、产生可用信号输出的转换元件、以及相应的信号调整转换电路组成。2、金属材料的应变效应是指金属材料在受到外力作用时，产生气械变形， 导致其阻值发生变化的现象 叫金属材料的应变效应。3、半导体材料的压阻效应是半导体材料在受到应力作用后，其电阻率发生明显变化 ，这种现象称为压阻效应。4、金属丝应变片和半导体应变片比较其一样点是 它们都是在外界力作用下产生气械变形 ，从而导致材料的电阻发生变化。5、金属丝应变片和半导体应变片比较其不同点是金属材料的应变效应以机械形变为主，材料的电阻率相对
2、变化为辅；而半导体材料则正好相反，其应变效应以机械形变导致的电阻率的相对变化为主，而机械形变为辅。6、金属应变片的灵敏度系数是指金属应变片单位应变引起的应变片电阻的相对变化叫金属应变片的灵敏度系数。7、固体受到作用力后电阻率要发生变化，这种现象称 压阻效应。8、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器。9、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为 电阻变化的传感器。10、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器，传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成，弹性元件用来感知应变， 电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。11、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换
3、为电阻变化的传感器，传感器由 在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成，弹性元件用来 感知应变 ，电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。12、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器，传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成，弹性元件用来感知应变，电阻敏感元件用来将应变的转换为电阻的变化。13、应变式传感器是利用电阻应变片将应变转换为电阻变化的传感器，传感器由在弹性元件上粘贴电阻敏感元件构成，弹性元件用来感知应变，电阻敏感元 件用来将应变的转换为电阻的变化 。14、要把微小应变引起的微小电阻变化准确地测量出来，需承受特别设计的测量电路，通常承受 电桥 电路。15、电容式传感器利用了
4、将非电量的变化转换为电容的变化来实现对物理量的测量。16、变极距型电容传感器做成差动构造后，灵敏度提高原来的 2倍。17、电容式传感器的优点主要有测量范围大、灵敏度高、动态响应时间短、机械损失小、构造简洁、适应性强。18、 电容式传感器主要缺点有 寄生电容影响较大 、当电容式传感器用于变间隙原理进展测量时具有非线性输出特性。19、电感式传感器是建立在 电磁感应根底上的一种传感器。20、电感式传感器可以把输入的物理量转换为线圈的自感系数 或线圈的互感系数的变化，并通过测量电路进一步转换为电量的变化，进而实现对非电量的测量。21、电感式传感器可以把输入的物理量转换为线圈的自感系数或线圈的互感系数
5、的变化，并通过测量电路进一步转换为电量的变化，进而实现对非电量的测量。22、电涡流传感器可用于 位移测量 、振幅测量、转速测量和无损探伤。23、电涡流传感器可用于位移测量、 振幅测量 、转速测量和无损探伤。24、电涡流传感器可用于位移测量、振幅测量、 转速测量 和无损探伤。25、电涡流传感器可用于位移测量、振幅测量、转速测量和 无损探伤 。26、电涡流传感器从测量原理来分，可以分为高频扫射式和低频透射式 两大类。27、电感式传感器可以分为 自感式 、互感式、涡流式三大类。28、压电式传感器可等效为一个电荷源和一个电容 并联，也可等效为一个与电容相串联的电压源。29、压电式传感器是一种典型的自发
6、电型传感器(或发电型传感器) ，其以某些频率54、电阻应变片的工作原理是基于金属的应变效应。55、.传感器的动态特性包括瞬态响应特性和响应特性。56、霍尔电势与半导体薄片的厚度成正比。57、温度传感器主要用来检测物体的58、传感器是由敏感元件温度。与转换元件组成的。霍尔效应59、红外测温仪是利用热辐射体在温度的。60、霍尔传感器是利用传感器。61、压电传感器的工作原理是以波段的辐射通量来测量红外原理将被测物理量转化为电势的晶体的压电效应为理论依据。62、热电偶属于温度传感器，常用来测量物体的温度。多模63、电磁波谱中紫光携带的能量比红光携带的能量要大或多。温度64、光纤按其传输模式多少分为单模
7、光纤和PTC 或正温度系数65、湿敏元件除对环境湿度敏感外，对66 、 热敏电阻按温度系数可分为光纤。亦格外敏感。型、NTC 或负温度系数型以及在某一温度下电阻值会电势发生突变的临界温度电阻器 CTR 的传感器。67、霍尔传感器是利用霍尔效应原理将被测量转换为的传感器。68、弹性和弹性后效及蠕变是弹性敏感元件的两个根本特滞后性。69、金属应变片的弯曲半径越大，其效应也越大。横向电阻率70、固体受到作用力后效应。71、热电阻传感器分为金属热电阻和发生变化的现象称为固体的压阻半导体热电阻两大类。PN 结72、光纤模式指的是光波沿光纤传播的途径和方式。73、光敏二极管是一种利用单向导电性的结型光电器
8、件。自感量75 、 电 感 式 传 感 器 以 电 和 磁 为 媒 介 ， 利 用 磁 场 变 换 引 起 线 圈 的或者互感量的变化，把非电量转换为电量的装置。76、热电偶回路产生的电势由成。77、光电管是利用78、应变片的敏感元件是电势传和温差电势两局部组接触外光电效应制成的光电元件。敏感栅磁阻效应79、压电式传感器的工作原理是以晶体的论根底。热敏电阻80、磁敏二极管是利用压电效应为理进展磁电转换的。81、利用半导体电阻随温度变化的特性制成的测温元件。82、光电效应通常分为外光电效应、内光电效应应变效和光生伏特效应。83 、 金属应变片的工作原理是基于金属的应温度误。84 、 霍尔传感器的
9、误差主要包括零位误差和差幅频特性。85、传感器的频率响应特性通常由组成。86、压电式传感器的工作原理是以晶体的压电效应和相频特性为理论依据。87、红外传感器按工作原理可分为量子型及热型两类。88、常用的根本电量传感器包括传感器。89、传感器按能量变换关系分为、电感式和电容式电阻式有效应。源型和无源型。；90、光电池是基于光生伏打91、传感器的核心局部是转换元件二 、选择题将正确的选择项填入括号内，每题 2 分，15 题共 30 分1、金属丝应变片在测量构件的应变时，电阻的相对变化主要由 ( B ) 来打算的。A、贴片位置的温度变化B、 电阻丝几何尺寸的变化C、电阻丝材料的电阻率变化D、外接导线
10、的变化2、不能用涡流式传感器进展测量的是 (D) 。A位移B材质鉴别C探伤D非金属材料3、不能承受非接触方式测量的传感器是： C。A、霍尔传感器；B、光电 传感器；C、热电偶；D、涡流传感器4、通常所说的传感器核心组成局部是指： BA、敏感元件和传感元件B、敏感元件和转换元件C、转换元件和调理电路D、敏感元件、调理电路和电源 5、以下四种光电元件中，基于外光电效应的元件是： C A、光敏二极管B、硅光电池C、光电管D、光导管6、为提高电桥的灵敏度，可实行的方法是： C。A、半桥双臂各串联一片电阻应变片； B、半桥双臂各并联一片电阻应变片； C、适当提高电桥的电源电压；D、增大应变片的初始电阻值
11、。7、一阶传感器输出到达稳态值的 10%到 90%所需的时间是(B )。A、延迟时间 B、上升时间 C、峰值时间 D、响应时间8、传感器的以下指标全部属于静态特性的是(C)。A、线性度、灵敏度、阻尼系数B、幅频特性、相频特性、稳态误差 C、迟滞、重复性、漂移D、精度、时间常数、重复性8、此题为多项选择题利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量 ABCD。A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。 8、属于传感器动态特性指标的是(B)。A、重复性B、固有频率C、灵敏度D、漂移 8、影响金属导电材料应变灵敏度系数 K 的主要因素是(B )。A、导电材料电阻率的变化B、导电材料几何尺寸
12、的变化C、导电材料物理性质的变化D、导电材料化学性质的变化8、电阻应变片的线路温度补偿方法有(B)。A、差动电桥补偿法B、补偿块粘贴补偿应变片电桥补偿法 C、补偿线圈补偿法D、恒流源温度补偿电路法8、如将变面积型电容式传感器接成差动形式，其灵敏度将(B)。A、保持不变 B、增大为原来的一倍C、减小一倍 D、增大为原来的两倍8、试题关键字：变间隙式。当变间隙式电容传感器两极板间的初始距离 d 增加时，将引起传感器的(B )。A、灵敏度增加 B、灵敏度减小C、非线性误差增加 D、非线性误差不变8 、此题为多项选择题电容式传感器中输入量与输出量的关系为线性的有AB。A、变面积型电容传感器 B、变介质
13、型电容传感器C、变电荷型电容传感器 D、变极距型电容传感器8、试题关键字：平衡条件。沟通电桥的平衡条件为(B)。A、相邻桥臂阻抗值乘积相等B、相对桥臂阻抗值乘积相等C、相对桥臂阻抗值比值相等D、相邻桥臂阻抗值之和相等8、以下说法正确的选项是(D)。A、差动整流电路可以消退零点剩余电压，但不能推断衔铁的位置。 B、差动整流电路可以推断衔铁的位置和运动方向。C、相敏检波电路可以推断位移的大小，但不能推断位移的方向。 D、相敏检波电路可以推断位移的大小和位移的方向。8、试题关键字：测量此题为多项选择题电感式传感器可以对 (ABCD)等物理量进展测量。A、位移 B、振动 C、压力 D、流量8、试题关键字：压电式传感器。石英晶体和压电陶瓷的压电效应比照正确的选项是(B)。A、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性也比石英晶体好 B、压电陶瓷比石英晶体的压电效应明显，稳定性不如石英晶体好C、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性也比压电陶瓷好 D、石英晶体比压电陶瓷的压电效应明显，稳定性不如压电陶瓷好7、试题关键字：石英晶体。石英晶体在沿电轴 X 方向的力作用下会(D)。A、不产生压电效应 B、产生逆向压电效应C、产生横向压电效应 D、产生纵向压电效应7、试题关键字：石英晶体的构造。关于石英晶体的构造以下说法
